晶圆结构制造技术

一种晶圆结构，其包括多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记为设置在所述结构层上的凹陷或凸起,其中，所述多个芯片中的至少两个芯片相对应位置上的所述标记至少部分图案不同。通过在芯片上设置标记，该标记可以表示其产源信息、批次信息、以及各芯片具有的不同位置信息等，方便直接读取，提高了产品的可追溯性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体邻域，更具体地，涉及一种晶圆结构。
技术介绍
在晶圆加工制成芯片的过程中，为使芯片产品具有可追溯性，会在芯片上设置标记。这样当一片晶圆上的芯片完成划片制成一批产品后，仍可以依据芯片上的标记来定位到它在晶圆状态下的测试数据和出厂检验情况，从而保证产品的可追溯性。在芯片上设置标记时，对于集成电路(IntegratedCircuit，IC)芯片，一般通过在IC内部写入编码的方式进行标记，追溯时，通过电学的手段读出该编码，例如约定一个协议，然后利用该协议读出识别码即可。而对于微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)芯片，受制程和读出管脚所限，无法在芯片上制作电学坐标信息并读出；而要通过生产管控的方式追溯，只能管控到晶圆级，难以进一步追踪到具体芯片。MEMS芯片通常为多层结构，例如微机电麦克风，其顶层通常是金属制成的导电层，对于在该微机电麦克风上设置标记，现有技术中，往往采用图案化该导电层以形成起标识其位置坐标的标记。但在金属制成的导电层上制作标记具有以下问题：1、金属上制作标记误差大，金属线宽和间隙线宽大，需要的芯片上专门为之留出的面积较多，占据成本较高。2、金属制成的导电层在芯片表面，制作时标记一般通过金属腐蚀工艺或剥离(lift-off)工艺。金属腐蚀工艺的误差较大，其腐蚀时存在随机的过刻蚀风险，例如将6刻成0，或将7刻成1；而lift-off工艺存在相反的问题，即会多出一部分金属无法去除，例如数字0内部的部分无法去除，从而影响到辨识，同时lift-off工艺在剥离过程中有时会出现不良残留物。技术内容鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种提高产品可追溯性的晶圆结构。根据本技术提供的一种晶圆结构，包括：多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记为设置在所述结构层上的凹陷或凸起,其中，所述多个芯片中的至少两个芯片相对应位置上的所述标记至少部分图案不同。优选地，至少部分所述多个芯片上的所述标记对应于一层掩膜。优选地，所述多个结构层包括顶层和次顶层，所述标记包括位于所述顶层的第一标记和位于所述次顶层的第二标记。优选地，至少部分所述第二标记与至少部分所述第一标记位置对应且图案相同。优选地，所述第一标记的厚度与所述顶层主体厚度相同。优选地，至少部分所述第二标记在所述芯片释放后消失。优选地，所述芯片为微机电芯片。优选地，所述微机电芯片为微机电麦克风，所述微机电麦克风包括衬底、位于所述衬底上的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层上的振膜层、位于所述振膜层上的第二牺牲层、位于所述第二牺牲层上的背极层以及位于所述背极层上的保护层，其中，所述保护层为顶层，所述背极层为次顶层，所述第一标记位于所述保护层，所述第二标记位于所述背极层。优选地，所述微机电芯片为微机电麦克风，所述微机电麦克风包括衬底、位于所述衬底上的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层上的振膜层、位于所述振膜层上的第二牺牲层以及位于所述第二牺牲层上的背极层，其中，所述背极层为顶层，所述第二牺牲层为次顶层，所述第一标记位于所述背极层，所述第二标记位于所述第二牺牲层。优选地，部分所述第二牺牲层在所述微机电麦克风释放后消失，至少部分所述第二标记在所述微机电麦克风释放后消失。优选地，所述标记的一部分为表示所述芯片处于所述晶圆中的位置坐标的位置标记，另一部分为表示包括所述芯片的产地编号、批次编号、芯片型号中的一种或多种的信息标记。优选地，所述位置标记为七段数码管字体。优选地，所述位置标记为16进制编码。优选地，所述位置标记设置在所述芯片的功能结构区域的外周边。根据本技术的晶圆结构，在芯片上设置标记，该标记可以表示其产源信息、批次信息、以及各芯片具有的不同位置信息等，方便直接读取，提高了产品的可追溯性。在优选的实施例中，至少部分标记可以共同利用一层掩膜形成，节省了生产成本和制程时间。在优选的实施例中，所述标记设置在所述芯片的次顶层，从而避免将所述标记设置在所述芯片顶层时容易脱落的问题，进一步地该次顶层为非金属制成的结构层时，可以避免在金属层上制作标记的误差较大的问题，使得标记的字体表面清楚，占据面积更小，设置位置灵活，加工一致性高，并且改善过刻和残留的问题。在优选的实施例中，所述位置标记设置在所述芯片的功能结构区域的外周边，从而使所述位置标记与所述芯片的功能结构区域更近，方便形成焊盘时采用的lift-off工艺的进行，减少金属在所述功能结构区域上的残留，提高产品质量。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1a示出根据本技术第一实施例的晶圆结构包括的芯片释放前的截面示意图。图1b示出根据本技术第一实施例的晶圆结构包括的芯片释放后的截面示意图。图2示出根据本技术第二实施例的晶圆结构包括的芯片的截面示意图。图3示出根据本技术第三实施例的晶圆结构包括的芯片的截面示意图。图4a示出根据本技术第四实施例的晶圆结构包括的芯片释放前的截面示意图。图4b示出根据本技术第四实施例的晶圆结构包括的芯片释放后的截面示意图。图5a示出根据本技术第五实施例的晶圆结构包括的芯片释放前的截面示意图。图5b示出根据本技术第五实施例的晶圆结构包括的芯片释放后的截面示意图。图6示出根据本技术第五实施例的晶圆结构的局部俯视示意图。图7a至图7d示出加工本技术第五实施例的晶圆结构的方法的各个阶段的截面示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“A直接在B上面”或“A在B上面并与之邻接”的表述方式。在本申请中，“A直接位于B中”表示A位于B中，并且A与B直接邻接。本文中，术语“晶圆结构”为采用晶圆形成且包括半导体衬底和芯片的半导体结构，其中，晶圆主要用于提供半导体器件的衬底。术语“芯片”以及“微机电(MEMS)麦克风”指在制造芯片、MEMS麦克风的各个步骤中形成的整个半导体结构的统称，包括已经形成的所有层或区域。在下文中描述了本技术的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本技术。本技术提供一种晶圆结构，该晶圆结构包括多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记为设置在所述结构层上的凹陷或凸起,其中，所述多个芯片中的至少两个芯片相对应位置上的所述标记至少部分图案不同。该标记可以表示其产源信息、批次信息、以及各芯片具有的不同位置信息等，方便直接读取，提高了产品的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆结构，其特征在于，包括：多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记为设置在所述结构层上的凹陷或凸起,其中，所述多个芯片中的至少两个芯片相对应位置上的所述标记至少部分图案不同。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：多个芯片，所述芯片包括多个结构层，所述多个结构层中的至少一层上设有标记，所述标记为设置在所述结构层上的凹陷或凸起,其中，所述多个芯片中的至少两个芯片相对应位置上的所述标记至少部分图案不同。2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，至少部分所述多个芯片上的所述标记对应于一层掩膜。3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个结构层包括顶层和次顶层，所述标记包括位于所述顶层的第一标记和位于所述次顶层的第二标记。4.根据权利要求3所述的晶圆结构，其特征在于，至少部分所述第二标记与至少部分所述第一标记位置对应且图案相同。5.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一标记的厚度与所述顶层主体厚度相同。6.根据权利要求5所述的晶圆结构，其特征在于，至少部分所述第二标记在所述芯片释放后消失。7.根据权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述芯片为微机电芯片。8.根据权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，所述微机电芯片为微机电麦克风，所述微机电麦克风包括衬底、位于所述衬底上的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层上的振膜层、位于所述振膜层上的第二牺牲层、位于所述第二牺牲层上的背极层以及位于所述背极...

【专利技术属性】
技术研发人员：万蔡辛，朱佳辉，刘宏志，
申请(专利权)人：北京卓锐微技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11