具有堆叠通孔的再分布线制造技术

一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在第一介电层中形成开口；以及镀金属材料以形成电耦合至导电部件的第一再分布线。再分布线包括位于开口中的通孔和金属迹线。该金属迹线包括直接位于通孔上方的第一部分和与通孔不重合的第二部分。金属迹线的第一部分的第一顶面与第二部分的第二顶面基本共面。本发明专利技术还提供了一种具有堆叠通孔的再分布线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及封装件的形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，需要将更多的功能集成到半导体管芯中。因此，半导体管芯需要需要在更小的区域中封装越来越多的I/O焊盘，并且I/O焊盘的密度随时间快速增加。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，对封装的产量产生不利的影响。传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在被切割之前进行封装。这种封装技术具有一些有利的特征，诸如更大的产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充或模塑料。然而，这种封装技术还具有一些缺陷。管芯的尺寸变得越来越小，并且对应的封装件仅可以为多输入型封装件，其中每个管芯的I/O焊盘限于直接位于对应管芯的表面上方的区域。在管芯具有有限面积的情况下，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受限。如果焊盘的间距减小，则会发生焊料桥接。此外，在固定焊球尺寸的要求下，焊球必须具有特定尺寸，从而又限制了可封装在管芯表面上的焊球的数量。在另一类封装中，管芯在被封装之前从晶圆上切割下来。这种封装技术的有利特征在于可能形成多输出型封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘可以再分布到比管芯更大的面积，因此可以增加管芯表面上封装的I/O焊盘的数量。这种封装技术的另一有利特征在于“已知良好管芯”被封装而有缺陷管芯被丢弃，因此不会将成本和精力浪费在有缺陷管芯上。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口；以及镀金属材料以形成电耦合至所述导电部件的第一再分布线，其中所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述第一开口中；和第一金属迹线，包括直接位于所述第一通孔上方的第一部分和与所述第一通孔不重合的第二部分，所述第一金属迹线的所述第一部分的第一顶面与所述第二部分的第二顶面基本共面。根据本专利技术的另一方面，提供了一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口，通过所述第一开口露出所述导电部件的一部分；镀第一再分布线，所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述第一开口中；和第一金属迹线，包括直接位于所述第一通孔上方的第一部分和与所述第一通孔不重合的第二部分；在所述第一金属迹线上方形成第二介电层；在所述第二介电层中形成第二开口，通过所述第二开口露出所述第一金属迹线的第一部分的第一顶面；以及镀第二再分布线，所述第二再分布线包括：第二通孔，位于所述第二开口中，所述第二通孔包括与所述第一再分布线的第一顶面接触的底面；和第二金属迹线，包括直接位于所述第二通孔上方的第三部分和与所述第二通孔不重合的第四部分。根据本专利技术的又一方面，提供了一种方法，包括：在密封材料中密封器件管芯；执行平坦化以露出所述器件管芯内的金属柱；形成与所述器件管芯和所述密封材料均重叠的第一聚合物层；在所述第一聚合物层中形成第一开口以露出所述金属柱；形成第一再分布线，所述第一再分布线包括位于所述第一开口中的第一通孔和位于所述第一聚合物层上方的第一金属迹线；在所述第一再分布线上方形成第二聚合物层；在所述第二聚合物层中形成第一开口阵列以露出所述第一再分布线；镀第二再分布线，所述第二再分布线包括：第一通孔阵列，位于所述第一开口阵列中；和第二金属迹线，位于所述第一通孔阵列上方并接触所述第一通孔阵列；在所述第二再分布线上方形成第三聚合物层；在所述第三聚合物层中形成第二开口阵列以露出所述第二再分布线；以及镀第三再分布线，所述第三再分布线包括：第二通孔阵列，位于所述第二开口阵列中，所述第二通孔阵列中的每个通孔均以一一对应的关系与所述第一通孔阵列中的一个通孔重叠；和第三金属迹线，位于所述第二通孔阵列上方并接触所述第二通孔阵列。附图说明当阅读附图时，根据以下的详细描述来更好地理解本专利技术的各个方面。注意，根据工业的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各个部件的尺寸。图1至图21示出了根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。图22A、图22B、图22C和图22D示出了根据一些实施例的再分布线的多种轮廓。图23示出了根据一些实施例的形成封装件的工艺流程。具体实施方式以下公开提供了许多不同的用于实施本专利技术主题的不同特征的实施例或实例。以下描述部件或配置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不用于限制。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成为直接接触的实施例，并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成附件部件使得第一部件和第二部分没有直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚，其本身并不表示所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。此外，为了易于描述，可以使用空间相对术语(诸如“在…下方”、“之下”、“下部”、“在…上方”、“上部”等)以描述图中所示一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除图中所示的定向之外，空间相对术语还包括使用或操作中设备的不同定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，本文所使用的空间相对描述可因此进行类似的解释。根据各个示例性实施例提供了堆叠封装(PoP)结构/封装件和形成该封装件的方法。讨论了实施例的一些变形例。在各附图和所示实施例中，类似的参考标号用于表示类似的元件。应该理解，尽管封装件的形成被用作实例，但本
技术实现思路
的教导可容易地用于其他集成电路部件(诸如晶圆/管芯、中介片、封装衬底等)的形成。图1至图21示出了根据一些实施例的封装件形成的中间阶段的截面图。在随后的讨论中，参照图23中的工艺步骤来讨论图1至图21所示的工艺步骤。参照图1，设置载体30，并在载体30上方设置粘合层32。载体30可以是空白玻璃载体、空白陶瓷载体等，并且可以具有半导体晶圆的形状，其具有圆形顶视图形状。载体30有时被称为载体晶圆。粘合层32例如可由光热转换(LTHC)材料形成，但是还可以使用其他类型的粘合剂。根据本专利技术的一些实施例，粘合层32能够在光热的作用下分解，因此可以将载体30与其上形成的结构分离。参照图2，在粘合层32上方形成介电层34。在图23所示的工艺流程中以步骤202示出对应步骤。根据本专利技术的一些实施例，介电层34是由聚合物形成的聚合物层，其可以是光敏聚合物，诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺等。根据一些实施例，介电层34由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅的氧化物、磷硅酸玻璃(PSG)、硼硅酸玻璃(BSG)、掺硼磷硅酸玻璃(BPSG)等形成。参照图3，例如通过物理气相沉积(PVD)，在介电层34上方形成导电晶种层40。在图23所示的工艺流程中以步骤206示出对应步骤。导电晶种层40可以是金属晶种层，包括铜、铝、钛、它们的合金或者它们的多层。根据本专利技术的一些实施例，导电晶种层40包括诸如钛层的第一金属层(未示出)和位于第一金属层上方的诸如铜层的第二金属层(未示出)。根据本专利技术的可选实施例，导电晶种层40包括诸如铜层的单个金属层，其可以由基本纯的铜或铜合金形成。图4至图7示出了通孔的形成。如图4所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口；以及镀金属材料以形成电耦合至所述导电部件的第一再分布线，其中所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述第一开口中；和第一金属迹线，包括直接位于所述第一通孔上方的第一部分和与所述第一通孔不重合的第二部分，所述第一金属迹线的所述第一部分的第一顶面与所述第二部分的第二顶面基本共面。

【技术特征摘要】
2015.07.31 US 14/815,1691.一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口；以及镀金属材料以形成电耦合至所述导电部件的第一再分布线，其中所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述第一开口中；和第一金属迹线，包括直接位于所述第一通孔上方的第一部分和与所述第一通孔不重合的第二部分，所述第一金属迹线的所述第一部分的第一顶面与所述第二部分的第二顶面基本共面。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一金属迹线上方形成第二介电层；在所述第二介电层中形成第二开口，通过所述第二开口露出所述第一金属迹线的第一部分；以及镀附加金属材料以形成第二再分布线，其中，所述第二再分布线包括：第二通孔，位于所述第二开口中，所述第二通孔包括与所述第一顶面接触的底面；和第二金属迹线，包括直接位于所述第二通孔上方的第三部分和与所述第二通孔不重合的第四部分，所述第二金属迹线的所述第三部分的第三顶面与所述第四部分的第四顶面基本共面。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：形成位于所述第二金属迹线上方并且电耦合至所述第二金属迹线的焊料区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述焊料区域与所述第一通孔和所述第二通孔在垂直方向上不重合。5.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一金属迹线不执行平坦化。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一介电层包括涂覆
\t聚合物。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一介电层包括层压聚合物膜。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在密封材料中密封器件管芯，所述第一介电层覆盖所述器件管芯和所述密封材料。9.一种方法，包括：在导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，黄立贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71