【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微电子元件的封装,尤其涉及半导体芯片的封装。
技术介绍
微电子元件通常包括半导体材料诸如硅或砷化镓的薄板,该薄板通常被称为裸片或半导体芯片。半导体芯片通常作为单独的预封装的单元提供。在一些单元设计中,将半导体芯片安装到衬底或芯片载体上,该衬底或芯片载体继而安装到电路面板诸如印刷电路板上。有源电路被制作在半导体芯片的第一面(例如正面)中。为了便于电连接至有源电路,芯片在相同的面上设有接合垫。接合垫通常设置成规则的阵列,其或者围绕裸片的边缘设置,或者对于许多存储器装置而言设置在裸片的中心。接合垫通常由大约0.5微米(μm)厚的导电金属诸如铜或铝制成。接合垫可包括单层或多层金属。接合垫的尺寸将随器件类型而有所不同,但其侧边通常测得为数十至数百微米。微电子元件(诸如半导体芯片)通常要求到其他电子部件的许多输入和输出连接。半导体芯片或其他相当的器件的输入和输出触点通常设置成基本上覆盖芯片表面的栅格状图案(俗称为“面积阵列”),或设置成可平行于且相邻于芯片的前表面的每个边缘延伸的或在前表面的中心中延伸的细长行。半导体芯片通常在封装中提供,所述封装促进在制造期间和在将芯片安装在外部衬底(诸如电路板或其他电路面板)上期间处置芯片。例如,将诸多半导体芯片在适于进行表面安装的封装中提供。已提议这种一般类型的众多封装来用于各种应用。最常见的是,这些封装包括在电介质上具有形成为电镀或蚀刻的金属结构的端子的介电元件,俗称为“芯片载体”。这些端子通常通过以下项连接到芯片自身的触点:诸如沿芯片载体自身延伸的薄迹线的特征结构,和在芯片触点与端子或迹线之间延伸的细引线或导线 ...
【技术保护点】
一种微电子组件,包括:第一支撑元件和第二支撑元件,每个支撑元件具有第一表面,所述第一表面面向所述组件的向外方向,并且每个支撑元件具有第二表面,所述第二表面面向所述组件的向内方向、朝向所述第一支撑元件和所述第二支撑元件中的另一者的第二表面,以及以下各项中的至少一者:所述第一支撑元件的所述第一表面处的第一端子,或所述第二支撑元件的所述第一表面处的第二端子;所述第一支撑元件的所述第二表面处的导电第一元件;感光材料的图案化层,所述图案化层覆盖在所述第一支撑元件的所述第二表面上,并且具有与所述第一元件对齐的开口,每个开口所具有的截面尺寸保持恒定,或随着从所述第一支撑元件的所述第二表面的高度而增加;粘结材料的导电块,所述导电块穿过所述图案化层的所述对应开口,而与所述第一元件电耦接并凸出在所述第一元件上方,每个块具有截面尺寸,所述截面尺寸由所述块从中凸出的所述对应开口的截面尺寸限定;微电子元件,所述微电子元件安装到所述第一支撑元件或所述第二支撑元件之一的所述第二表面;所述第二支撑元件的所述第二表面处的导电第二元件,所述第二元件与所述块电耦接,并且通过所述块而与所述第一元件电耦接;以及囊封层,所述囊封 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.31 US 14/230,3881.一种微电子组件,包括:第一支撑元件和第二支撑元件,每个支撑元件具有第一表面,所述第一表面面向所述组件的向外方向,并且每个支撑元件具有第二表面,所述第二表面面向所述组件的向内方向、朝向所述第一支撑元件和所述第二支撑元件中的另一者的第二表面,以及以下各项中的至少一者:所述第一支撑元件的所述第一表面处的第一端子,或所述第二支撑元件的所述第一表面处的第二端子;所述第一支撑元件的所述第二表面处的导电第一元件;感光材料的图案化层,所述图案化层覆盖在所述第一支撑元件的所述第二表面上,并且具有与所述第一元件对齐的开口,每个开口所具有的截面尺寸保持恒定,或随着从所述第一支撑元件的所述第二表面的高度而增加;粘结材料的导电块,所述导电块穿过所述图案化层的所述对应开口,而与所述第一元件电耦接并凸出在所述第一元件上方,每个块具有截面尺寸,所述截面尺寸由所述块从中凸出的所述对应开口的截面尺寸限定;微电子元件,所述微电子元件安装到所述第一支撑元件或所述第二支撑元件之一的所述第二表面;所述第二支撑元件的所述第二表面处的导电第二元件,所述第二元件与所述块电耦接,并且通过所述块而与所述第一元件电耦接;以及囊封层,所述囊封层覆盖在所述第二支撑元件的所述第二表面、所述图案化层的表面上,并且接触至少一些所述块,所述块延伸穿过所述囊封层的至少一部分。2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述组件包括所述第一支撑元件的所述第一表面处的第一端子以及所述第二支撑元件的所述第一表面处的第二端子,所述第一端子通过所述第一元件、所述第二元件和其间的所述块而与所述第二端子电耦接,或所述组件包括以下各项中的一者:所述第一支撑元件的所述第一表面处的第一端子,所述第一端子通过其间的所述块而与所述第二元件电耦接;或所述第二支撑元件的所述第一表面处的第二端子,所述第二端子通过其间的所述块而与所述第一元件电耦接。3.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述块包括球状部分,其中所述块延伸穿过所述囊封层的所述至少一部分。4.根据权利要求2所述的微电子组件,其中所述囊封层形成为与所述图案化层的所述表面相接触,并且与所述第二支撑元件的所述第二表面相接触。5.根据权利要求2所述的微电子组件,其中所述微电子元件具有背离所述第二支撑元件的表面,并且所述囊封层为第一囊封层,所述第一囊封层形成为与以下各项中的至少一者相接触:所述微电子元件的所述表面,或所述微电子元件的所述表面上所形成的第二囊封层。6.根据权利要求5所述的微电子组件,其中所述微电子组件包括在所述微电子元件的所述表面上形成的所述第二囊封层,并且所述第一囊封层形成为与所述第二囊封层相接触。7.一种堆叠式多芯片微电子组件,所述堆叠式多芯片微电子组件包括根据权利要求2所述的微电子组件以及覆盖在所述第一支撑元件的所述第一表面上的微电子封装,所述微电子封装具有与所述微电子组件的所述第一端子连接的端子。8.根据权利要求7所述的堆叠式多芯片微电子组件,其中所述第一端子的最小节距大于所述第一元件的最小节距。9.根据权利要求8所述的堆叠式多芯片微电子组件,其中所述第一端子的所述最小节距与所述第二端子的最小节距相同。10.一种堆叠式多芯片微电子组件,所述堆叠式多芯片微电子组件包括根据权利要求2所述的微电子组件,其中所述微电子组件包括所述第二端子而不包括所述第一端子,并且所述第二端子通过其间的所述块而与所述第一元件电耦接。11.根据权利要求10所述的堆叠式多芯片微电子组件,还包括第二微电子元件和第二囊封层,所述第二微电子元件安...
【专利技术属性】
技术研发人员:B·哈巴,I·莫哈梅德,王亮,
申请(专利权)人:伊文萨思公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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