半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地，形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置(半导体模块)，例如涉及经由构件将某个电子部件与其他电子部件电连接的半导体装置。
技术介绍
在日本特开2011-134990号公报(专利文献1)中，记载了关于包括微型机和功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体装置的技术。在该技术中，在芯片搭载部上搭载布线基板，在布线基板上层叠配置构成微型机的半导体芯片。在日本特开平11-233712号公报(专利文献2)中，记载了关于逆变器的安装结构的技术。具体地说，在专利文献2中，记载了在芯片搭载部上搭载形成有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)的IGBT芯片、形成有二极管的二极管芯片、并且在布线基板上搭载形成有控制IGBT的开关动作的控制电路的控制芯片、芯片部件(栅极电阻等无源部件)的技术。在日本特开2015-65339号公报(专利文献3)中，记载了通过2个控制IC控制6个IGBT的技术。即，记载了通过高侧用的控制IC来控制高侧用的3个IGBT、通过低侧用的控制IC来控制低侧用的3个IGBT的技术。专利文献1：日本特开2011-134990号公报专利文献2：日本特开平11-233712号公报专利文献3：日本特开2015-65339号公报
技术实现思路
例如，作为构成控制马达的逆变器的半导体装置的安装结构，有上述专利文献1～3所示的结构。关于该结构，本专利技术者在进行研究后发现，如果考虑半导体装置的制造成本的削减、半导体装置的可靠性的提高，则在上述专利文献1～3所示的结构中存在应该改进的事项。其他课题和新颖的特征根据本说明书的叙述和附图将变得明确。在一个实施方式中的半导体装置中，多个第2电子部件中的一部分第2电子部件与第1电子部件经由将第1电子部件与基板连接的第1导线、基板以及将基板与一部分第2电子部件连接的第2导线而电连接。根据一个实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。附图说明图1是示出实施方式中的包括逆变器电路和3相感应马达的马达电路的结构的电路图。图2是示出形成有IGBT的半导体芯片的外形形状的俯视图。图3是示出实施方式中的IGBT的器件构造的剖视图。图4是示出形成有二极管的半导体芯片的外形形状的俯视图。图5是示出二极管的器件构造的剖视图。图6是示出栅极控制电路的电路块结构的图。图7是示意地示出在相关技术中实现3相逆变器电路的半导体装置的安装结构例的俯视图。图8是示出实施方式中的半导体装置的电路块结构的图。图9是示出图8所示的栅极控制电路的内部块结构的图。图10是示出实现图9所示的栅极控制电路的半导体芯片的结构的示意图。图11是示意地示出实施方式中的半导体装置的安装结构的俯视图。图12是示出按图11的A-A线切断而得到的剖视图。图13是示出实施方式中的半导体装置的制造工序的流程的流程图。图14是示出实施方式中的半导体装置的制造工序的俯视图。图15是示出接着图14的半导体装置的制造工序的俯视图。图16是示出接着图15的半导体装置的制造工序的俯视图。图17是示出接着图16的半导体装置的制造工序的俯视图。图18是示出接着图17的半导体装置的制造工序的俯视图。图19是示出接着图18的半导体装置的制造工序的俯视图。图20是示出接着图19的半导体装置的制造工序的俯视图。图21(a)是示出接着图20的半导体装置的制造工序的俯视图，(b)是侧视图。图22是示出变形例1中的半导体装置的安装结构的俯视图。图23是示出变形例2中的半导体装置的安装结构的俯视图。符号说明ADH1粘接构件(第1粘接构件、第2粘接构件)ADH2粘接构件(第3粘接构件)CHP1(HU)半导体芯片(第2电子部件、高侧用半导体芯片)CHP1(HV)半导体芯片(第2电子部件、高侧用半导体芯片)CHP1(HW)半导体芯片(第2电子部件、高侧用半导体芯片)CHP1(LU)半导体芯片(第2电子部件、低侧用半导体芯片)CHP1(LV)半导体芯片(第2电子部件、低侧用半导体芯片)CHP1(LW)半导体芯片(第2电子部件、低侧用半导体芯片)CHP2(HU)半导体芯片(第3电子部件)CHP2(HV)半导体芯片(第3电子部件)CHP2(HW)半导体芯片(第3电子部件)CHP2(LU)半导体芯片(第3电子部件)CHP2(LV)半导体芯片(第3电子部件)CHP2(LW)半导体芯片(第3电子部件)CHP3半导体芯片(第1电子部件)LD1引线(第1引线)LD2引线(第2引线)MR密封体RB1高侧用中继基板(基板、高侧用基板)RB2低侧用中继基板(基板、低侧用基板)TAB1～4芯片搭载部(第2部件搭载部)TAB5芯片搭载部(第1部件搭载部)VL假想线VL2假想线VL3假想线W1导线(第1导线、第3导线、第1栅极用导线、第3栅极用导线、第1发射极用导线)W2导线(第2导线、第2栅极用导线、第4栅极用导线、第2发射极用导线)W3导线(第4导线)W4导线W5导线W6导线WL1布线WL2布线WL3布线。具体实施方式在以下的实施方式中，为了方便说明，在需要时，分割成多个部分或者实施方式来说明，但除了在特别明示了的情况下，它们并非相互无关，而存在一方是另一方的一部分或者全部的变形例、详细说明、补充说明等的关系。另外，在以下的实施方式中，在提及要素的数量等(包括个数、数值、量、范围等)的情况下，除了在特别明示了的情况和从原理上明确被限定于特定的数量的情况等下，不限于该特定的数量，也可以在特定的数量以上或以下。进而，在以下的实施方式中，其构成要素(也包括要素步骤等)除了在特别明示了的情况和从原理上明确认为是必需的情况等下，不一定是必需的，这自不待言。同样地，在以下的实施方式中，在提及构成要素等的形状、位置关系等时，除了在特别明示了的情况和从原理上明确认为并非如此的情况等下，包括实质上与其形状等近似或者类似的形状等。这对于上述数值和范围也一样。另外，在用于说明实施方式的所有附图中，原则上对相同的部件附加相同的符号，省略其重复的说明。此外，为了容易理解附图，有时即使是俯视图也附加阴影。<用语的说明>在本说明书中，“电子部件”意味着利用电子的部件，特别地，利用半导体内的电子的部件为“半导体部件”。作为该“半导体部件”的例子，能够列举半导体芯片。因此，包含“半导体芯片”的语句是“半导体部件”，“半导体部件”的上位概念是“电子部件”。另外，在本说明书中，“半导体装置”意味着是具备半导体部件以及与该半导体部件电连接的外部连接端子的构造体、并且是通过密封体覆盖半导体部件的构造体。特别地，“半导体装置”构成为能够通过外部连接端子而与外部装置电连接。进而，在本说明书中，“功率晶体管”意味着通过将多个单位晶体管(单元晶体管)并联连接(例如，将数千个至数万个单位晶体管并联连接)，从而在比单位晶体管的容许电流大的电流下也实现单位晶体管的功能的单位晶体管的集合体。例如，在单位晶体管作为开关元件而发挥功能的情况下，“功率晶体管”为在比单位晶体管的容许电流大的电流下也能够适用的开关元件。特别地，在本说明书中，“功率晶体管”这样的用语例如作为表示包含“功率MOSFET”和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：密封体，平面形状由矩形形状构成；第1引线群，在俯视时，沿着所述密封体的第1边配置；第2引线群，在俯视时，沿着与所述第1边对置的所述密封体的第2边配置；第1部件搭载部，在俯视时，配置于所述第1引线群与所述第2引线群之间；多个第2部件搭载部，在俯视时，配置于所述第1引线群与所述第2引线群之间，并且配置于所述第1部件搭载部与所述第2引线群之间；第1电子部件，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述第1部件搭载部；基板，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述第1部件搭载部，并且在俯视时配置于所述第1电子部件的旁边；以及多个第2电子部件，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述多个第2部件搭载部，所述多个第2电子部件沿着所述密封体的所述第2边配置，将所述第1电子部件与所述第1引线群的一部分电连接，将所述第1电子部件与所述多个第2电子部件中的各个第2电子部件电连接，将所述第2电子部件与所述第2引线群的一部分电连接，所述多个第2电子部件中的一部分第2电子部件与所述第1电子部件经由将所述第1电子部件与所述基板连接的第1导线、所述基板以及将所述基板与所述一部分第2电子部件连接的第2导线而电连接。...

【技术特征摘要】
2015.07.31 JP 2015-1515551.一种半导体装置，其特征在于，包括：密封体，平面形状由矩形形状构成；第1引线群，在俯视时，沿着所述密封体的第1边配置；第2引线群，在俯视时，沿着与所述第1边对置的所述密封体的第2边配置；第1部件搭载部，在俯视时，配置于所述第1引线群与所述第2引线群之间；多个第2部件搭载部，在俯视时，配置于所述第1引线群与所述第2引线群之间，并且配置于所述第1部件搭载部与所述第2引线群之间；第1电子部件，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述第1部件搭载部；基板，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述第1部件搭载部，并且在俯视时配置于所述第1电子部件的旁边；以及多个第2电子部件，通过所述密封体来密封，并且搭载于所述多个第2部件搭载部，所述多个第2电子部件沿着所述密封体的所述第2边配置，将所述第1电子部件与所述第1引线群的一部分电连接，将所述第1电子部件与所述多个第2电子部件中的各个第2电子部件电连接，将所述第2电子部件与所述第2引线群的一部分电连接，所述多个第2电子部件中的一部分第2电子部件与所述第1电子部件经由将所述第1电子部件与所述基板连接的第1导线、所述基板以及将所述基板与所述一部分第2电子部件连接的第2导线而电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述基板形成布线，所述第1导线将所述第1电子部件与所述基板的所述布线连接，所述第2导线将所述第2电子部件与所述基板的所述布线连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，存在多个所述基板。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在多个所述基板中的各个基板形成布线，形成于多个所述基板中的各个基板的所述布线的图案不同。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在多个所述基板中的各个基板形成布线，形成于多个所述基板中的各个基板的所述布线的图案相同。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，存在2个所述基板，在俯视时，所述第1电子部件配置于2个所述基板之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1部件搭载部与所述第1电子部件通过第1粘接构件来粘接，所述第1部件搭载部与所述基板通过第2粘接构件来粘接，所述第1粘接构件和所述第2粘接构件包括相同种类的材料。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第2部件搭载部与所述第2电子部件通过第3粘接构件来粘接，所述第1粘接构件、所述第2粘接构件和所述第3粘接构件包括
\t相同种类的材料。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1引线群中的一部分第1引线与所述第1电子部件经由将所述第1电子部件与所述基板连接的第3导线、所述基板以及将...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤邦治，板东晃司，金泽孝光，神田良，田村晃洋，峰岸宏文，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP