【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用包括说明书、附图和摘要的、于2015年7月30日提交的日本专利申请No.2015-151267的公开的全部内容以引用方式并入本文中。
本专利技术涉及半导体器件并且能正确用于例如包括在与沟槽栅极正交的方向上的有源单元和无源单元的诸如注入增强型(IE)沟槽栅极绝缘栅双极晶体管(IGBT)的功率半导体器件。
技术介绍
例如,日本未审专利申请公开No.2013-140885公开了一种IE沟槽栅极IGBT,在该IE沟槽栅极IGBT中,单元形成区基本上包括具有线性有源单元区的第一线性单位单元区、具有线状空穴集电极单元区(linearholecollectorcellregion)的第二线性单位单元区以及在这些区域之中的线性无源单元区。
技术实现思路
例如,在日本未审专利申请公开No.2013-140885中描述的IE沟槽栅极IGBT中,线状空穴集电极单元区两侧的沟槽栅电极耦合到发射极电极。因此,有源单元的减薄率保持正确范围,以在避免栅极电容增大的同时,充分得到IE效果,从而实现单元缩小。然而,不同于替代线状空穴集电极单元区而具有线性有源单元区的IE沟槽栅极IGBT,提供线状空穴集电极单元区减小了积累的载流子浓度。遗憾的是,这样会增大导通电压并且使性能劣化。根据说明书的描述和附图,其他问题和新颖特征将变得清楚。根据实施例的一种半导体器件被配置为,使得发射极电极通过形成在层间绝缘膜上的第一接触凹槽耦合到线性有源单元区的P型本体区和N+型发射极区并且通过第二接触凹槽耦合到线状空穴集电极单元区的P型本体区。在平面图上,布置在线状空穴集电极单元区中的第二接触凹槽比 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面;第一电极,所述第一电极形成在所述第二主表面上方;第一半导体区,所述第一半导体区形成为具有第一导电类型、接触所述第一电极,且靠近所述半导体衬底的所述第二主表面;第二半导体区,所述第二半导体区形成为具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,且在所述第一半导体区上方;第一栅电极和第二栅电极,所述第一栅电极和所述第二栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一主表面的第一方向延伸;第三半导体区,所述第三半导体区被形成为具有所述第一导电类型,且在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间;第四半导体区,所述第四半导体区被形成为具有所述第二导电类型,且在所述第三半导体区上方;第三栅电极和第四栅电极,所述第三栅电极和所述第四栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一方向延伸;第五半导体区,所述第五半导体区被形成为具有所述第一导电类型,且在所述第三栅电极和所述第四栅电极之间,并且沿着所述第一方向延伸;层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述第一主表面; ...
【技术特征摘要】
2015.07.30 JP 2015-1512671.一种半导体器件,所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面;第一电极,所述第一电极形成在所述第二主表面上方;第一半导体区,所述第一半导体区形成为具有第一导电类型、接触所述第一电极,且靠近所述半导体衬底的所述第二主表面;第二半导体区,所述第二半导体区形成为具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型,且在所述第一半导体区上方;第一栅电极和第二栅电极,所述第一栅电极和所述第二栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一主表面的第一方向延伸;第三半导体区,所述第三半导体区被形成为具有所述第一导电类型,且在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间;第四半导体区,所述第四半导体区被形成为具有所述第二导电类型,且在所述第三半导体区上方;第三栅电极和第四栅电极,所述第三栅电极和所述第四栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一方向延伸;第五半导体区,所述第五半导体区被形成为具有所述第一导电类型,且在所述第三栅电极和所述第四栅电极之间,并且沿着所述第一方向延伸;层间绝缘膜,所述层间绝缘膜覆盖所述第一主表面;以及第二电极,所述第二电极形成在所述层间绝缘膜上方、通过形成在所述层间绝缘膜上方的第一接触凹槽耦合到所述第三半导体区和所述第四半导体区,并且通过形成在所述层间绝缘膜上方的多个第二接触凹槽耦合到所述第五半导体区。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,在所述第一方向上,所述第二接触凹槽比所述第一接触凹槽短。3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第一耦合部分和第二耦合部分,所述第一耦合部分和所述第二耦合部分耦合所述第三栅电极和所述第四栅电极并且在所述第一方向上彼此靠近地布置,其中,所述第二接触凹槽布置在所述第一耦合部分和所述第二耦合部分之间。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三半导体区连续地在所述第一方向上延伸,其中,所述第四半导体区在所述第一方向上分隔开,以及其中,布置在相邻的第四半导体区之间的所述第三半导体区通过所述第一接触凹槽耦合到所述第二电极。5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一接触凹槽在所述第一方向上跨过所述相邻的第四半导体区延伸。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三栅电极与所述第二栅电极相邻,以及其中,所述半导体器件还包括第六半导体区,所述第六半导体区被布置成具有所述第一导电类型,且在所述第二栅电极和所述第三栅电极之间,以便比所述第二栅电极和所述第三栅电极深。7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三栅电极和所述第四栅电极耦合到所述第二电极。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三栅电极和所述第...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。