半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种使光的提取效率提高的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-153665号(申请日：2015年8月3日)及日本专利申请案2015-237219号(申请日：2015年12月4日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
半导体发光装置具有在平板状的框架上配置有半导体发光元件，且在半导体发光元件上配置有荧光体层的构造。从半导体发光元件出射的光经由荧光体层而向外部出射。此时，光的一部分在荧光体层与外部的界面等反射之后，入射至半导体发光元件表面及框架。半导体发光元件表面及框架表面的光反射率较低，吸收所入射的光的大部分。在半导体发光装置中，人们期望使从半导体发光元件出射的光高效率地向外部出射。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种提高光的提取效率的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。附图说明图1是例示第1实施方式的半导体发光装置的立体图。图2(a)是例示第1实施方式的半导体发光装置的示意性俯视图。(b)是例示第1实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图3(a)至(d)是例示第1实施方式的半导体发光装置的芯片的形成方法的示意性剖视图。图4(a)至(c)是例示第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图5是例示第1实施方式的比较例的半导体发光装置的示意性透视图。图6是例示第2实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图7是例示第2实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图8是例示第3实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图9是例示第4实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图10(a)及(b)是例示第4实施方式的半导体发光装置的芯片的形成方法的示意性剖视图。图11(a)及(b)是例示第4实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图12是例示第4实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图13是例示第5实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图14(a)及(b)是例示第5实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图15(a)及(b)是例示第5实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图16是例示第6实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图17(a)及(b)是例示第7实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。图18是例示第7实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。图19是例示第7实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实情况相同。另外，即便在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而相互的尺寸或比率不同地表示的情况。此外，在本案说明书与各图中，对与在已出现的图中所述者相同的要素，标注相同符号并适当省略详细的说明。(第1实施方式)对本实施方式的半导体发光装置的构成进行说明。图1是例示本实施方式的半导体发光装置的立体图。如图1所示，在本实施方式的半导体发光装置1中，设置有平板状的框架10。在框架10设置有相互隔离的2片电极11a及电极11b，在电极11a与电极11b之间例如设置有包含树脂材料的绝缘构件12。电极11a的上表面、绝缘构件12的上表面及电极11b的上表面形成同一平面。另外，从上方，也就是说从与板面垂直的方向观察，电极11a比电极11b更宽。而且，在电极11a的绝缘构件12侧的端部上搭载有芯片17。在框架10上例如设置有包含白色树脂的外围器31。将包含框架10及外围器31的构造体称为外壳主体50。外围器31为以长方体的中央部分从上表面朝向底面而开口面积慢慢变小的方式挖通的形状。外围器31的内侧成为研钵状。在框架10的上表面，将周围被外围器31包围的区域称为区域B。图2(a)是例示第1实施方式的半导体发光装置的示意性俯视图。如图2(a)所示，在芯片17的四角落设置有LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片13的阴极电极C1、阳极电极A1、阴极电极C2及阳极电极A2。阴极电极C1与电极11b通过导线21连接。阳极电极A1与电极11a通过导线22连接。阴极电极C2与电极11b通过导线23连接。阳极电极A2与电极11a通过导线24连接。导线21至24例如由金(Au)形成。图2(b)是例示第1实施方式的半导体发光装置的示意性透视图。如图2(a)及图2(b)所示，外壳主体50是外围器31设置在区域B的周围而形成凹部51。在该凹部51内设置有荧光体树脂层43。荧光体树脂层43是将荧光体44混入至树脂45而形成。树脂45例如为苯基系硅酮树脂。荧光体树脂层43包含树脂45与荧光体44。芯片17设置在外壳主体50的区域B上。芯片17由LED芯片13及设置在LED芯片13上的透明膜42而形成。芯片17隔着安装材16而粘接在电极11a上。透明膜42优选为导热率较高、透明、且折射率较高的材料。透明膜42例如由碳化硅(SiC)而形成。在本实施方式的半导体发光装置1中，使用在LED芯片13上形成有透明膜42的具有透明膜的LED芯片即芯片17。芯片17有在形成LED芯片13之后，在LED芯片13上成膜透明膜42而形成的情况。因此，对在本实施方式的半导体发光装置中所使用的芯片17的形成方法进行说明。图3(a)至图3(d)是例示本实施方式的半导体发光装置的芯片的形成方法的示意性剖视图。如图3(a)所示，在成长用板76上，例如通过MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，金属有机化学气相沉积)法而外延生长来形成n型半导体层74及p型半导体层72。在n型半导体层74与p型半导体层72之间形成有发光层13。在p型半导体层72上，例如通过PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)法而形成金属层75。在金属层75上贴附硅板71。如图3(b)所示，通过湿式蚀刻而将成长用板76去除。将n型半导体层74、发光层73及p型半导体层72的一部分通过蚀刻而去除。其结果，金属层75的表面的一部分露出。图3(b)是为了方便说明而使图3(a)的上下反转。如图3(c)所示，在n型半导体层74上涂布碳化硅而形成透明膜42。此时，在配置n型半导体层74及金属层75上的阴极电极C1、阴极电极C2、阳极电极A1及阳极电极A2的部分，以不形成透明膜42的方式进行遮盖。此外，代替涂布碳化硅而形成透明膜42，也可预先将配合LED芯片13的大小而形成的透明膜42配置在n型半导体层74上。如图3(d)所示，在n型半导体层74上形成阴极电极C1及阴极电极C2。在露出的金属层75上形成阳极电极A1及A2，从而形成具有透明膜的LED芯片即芯片17。对本实施方式的半导体发光装置的制造方法进行说明。图4(a)至图4(c)是例示本实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意性透视图。如图4(a)所示，在区域B的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于具备：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；以及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体；并且所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。

【技术特征摘要】
2015.08.03 JP 2015-153665;2015.12.04 JP 2015-237211.一种半导体发光装置，其特征在于具备：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；以及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体；并且所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：所述透明膜包含碳化硅、氧化钛及磷化镓的至少任一个。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于还具备：第1电极，载置所述半导体发光芯片；第2电极，在与从所述第1电极朝向所述透明膜的第1方向正交的方向上与所述第1电极隔离；以及反射层；并且所述荧光体树脂层包含在所述第1方向上与所述半导体发光芯片不重叠的部分；所述反射层设置在所述荧光体树脂层的所述不重叠的所述部分的一部分与所述第1电极之间，以及所述荧光体树脂层的所述不重叠的所述部分的其他部分与所述第2电极之间。4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其特征在于：所述反射层包含氧化钛。5.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于还具备：散热构件，设置在所述荧光体树脂层上；并且所述散热构件的导热率比所述荧光体树脂层的导热率高。6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于：所述散热构件包含铝氧化物。7.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于还具备：第1电极，载置所述半导体发光芯片；第2电极，在与从所述第1电极朝向所述透明膜的第1方向正交的方向上与所述第1电极隔离；反射层；以及透明树脂层，设置在所述荧光体树脂层上；并且所述透明树脂层包含在所述第1方向上与所述半导体发光芯片不重叠的部分；...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛山直矢，小串昌弘，田村一博，江越秀德，黑木敏宏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP