【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉半导体领域,具体涉及一种晶体管及其形成方法。
技术介绍
现有半导体器件制作工艺中,通过应力技术来提高MOS晶体管的性能成为越来越常用的手段。通过适当控制沟道区的应力的方式,可以提高载流子(NMOS晶体管中的电子,PMOS晶体管中的空穴)迁移率,进而提高驱动电流,以此极大地提高MOS晶体管的性能。目前,通常嵌入式硅锗(EmbeddedSiGe)技术提高PMOS晶体管沟道区的应力,即在衬底中形成凹槽,在凹槽中形成硅锗材料,同时进行掺杂形成PMOS晶体管的源区和漏区。形成所述硅锗材料是为了引入硅和硅锗(SiGe)之间晶格失配形成的压应力,以提高PMOS晶体管的性能。为了进一步改善半导体器件性能和提高生产效率,现有技术发展了一种在外延生长应力层时,进行原位掺杂硼离子的方法,这样能够在生长应力层的同时完成对应力层的掺杂。但是,采用现有技术原位掺杂硼离子的方法,部分硼离子不能起到载流子的作用,应力层中能够起到载流子作用的有效硼离子含量较低。并且晶圆不同位置的界面处的硼含量差距较大,这样就使得不同位置的形成的晶体管性能有所差异。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶体管及其形成方法,提高应力层中的P型离子含量,并使应力层中P型离子含量分布均匀,进而改善晶体管的性能。为解决上述问题,本专利技术提供一种晶体管的形成方法,包括:提供硅衬底;在所述硅衬底上形成栅极结构,在所述栅极结构两
【技术保护点】
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供硅衬底;在所述硅衬底上形成栅极结构,在所述栅极结构两侧的硅衬底内形成凹槽;在所述凹槽内形成应力层;在形成应力层的过程中进行P型掺杂和碳掺杂,以形成源极和漏极,其中所述碳掺杂与所述P型掺杂同时进行或者所述碳掺杂在P型掺杂之前进行。
【技术特征摘要】
1.一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:
提供硅衬底;
在所述硅衬底上形成栅极结构,在所述栅极结构两侧的硅衬底内形成凹
槽;
在所述凹槽内形成应力层;
在形成应力层的过程中进行P型掺杂和碳掺杂,以形成源极和漏极,其
中所述碳掺杂与所述P型掺杂同时进行或者所述碳掺杂在P型掺杂之前进行。
2.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述P型掺杂为硼离子掺
杂,在所述凹槽内在形成应力层的步骤包括:
采用外延生长工艺形成硅锗层,所述硅锗层作为应力层,
进行P型掺杂和碳掺杂的步骤包括:在外延生长硅锗层过程中通入碳源
气体和硼源气体,以原位掺杂碳和硼。
3.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述P型掺杂为硼离子掺
杂,在所述凹槽内在形成应力层的步骤包括:在所述凹槽内采用外延生长工
艺依次形成硅籽晶层和硅锗层,所述应力层包括所述硅籽晶层和硅锗层;
进行P型掺杂和碳掺杂的步骤包括:在凹槽内外延生长硅籽晶层的过程
中,通入碳源气体,以在硅籽晶层中原位掺杂碳;
在外延生长硅锗层的过程中,通入硼源气体,以在硅锗层中原位掺杂硼。
4.根据权利要求2所述的形成方法,其特征在于,采用外延生长工艺形成硅
锗层的步骤包括:
依次外延生长硅锗缓冲层和体硅锗层,所述硅锗缓冲层中的锗含量低于
体硅锗层中的锗含量,所述硅锗层包括所述硅锗缓冲层和体硅锗层。
5.根据权利要求4所述的形成方法,其特征在于,进行P型掺杂和碳掺杂的
步骤包括:
在外延生长硅锗缓冲层的步骤中同时通入碳源气体和硼源气体,在硅锗
缓冲层中原位掺杂硼和碳;
在外延生长体硅锗层的步骤中通入硼源气体,以在体硅锗层中原位掺杂
硼。
6.根据权利要求4所述的形成方法,其特征在于,进行P型掺杂和碳掺杂的
步骤包括:
在外延生长硅锗缓冲层的步骤中先通入碳源气体,以在硅锗缓冲层中原
位掺杂碳,再通入硼源气体,在硅锗缓冲层中原位掺杂硼;
在外延生长体硅锗层的步骤中通入硼源气体,以在体硅锗层中原位掺杂
硼。
7.根据权利要求4所述的形成方法,其特征在于,进行P型掺杂和碳掺杂的
步骤包括:在外延生长体硅锗层的步骤中同时通入硼源气体和碳源气体,以
在体硅锗层中原位掺杂硼和碳;
或者,
进行P型离子掺杂和碳掺杂的步骤包括:在外延生长体硅锗...
【专利技术属性】
技术研发人员:周祖源,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。