半导体器件及驱动该半导体器件的方法技术

技术编号:14625851 阅读:340 留言:0更新日期:2017-02-12 13:43
一种半导体器件,包括:第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操作的刷新控制信号;以及第二控制器,适用于根据刷新控制信号而控制多个字线,以使得在与外部刷新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2014年10月17日提交的申请号为10-2014-0141052的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示范性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体地,涉及一种支持刷新操作的半导体器件,以及用于驱动该半导体器件的方法。
技术介绍
随着存储器集成度的增加,字线之间的间距减小。减小字线之间的间距已经引起相邻字线之间的耦合效应的增加。每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时,字线在有效状态和无效状态之间切换。如上所述,由于相邻字线之间的耦合效应增加,耦接到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单元中的数据可能受到损坏。这种现象被称为字线干扰。字线干扰可以引起这样的问题,即存储单元中的数据在存储单元刷新之前被损坏。为了解决这个问题,已经出现了智能刷新技术。智能刷新技术检测已经频繁激活的目标字线,并且刷新耦接至与目标字线相邻的字线的存储单元。智能刷新技术包括与正常刷新操作(例如,自动刷新操作)分开执行的附加刷新操作。图1是说明第一常规半导体器件的操作的时序图。参考图1,响应于单个外部刷新信号EXT_REF而执行两个自动刷新操作AR和两个智能刷新操作SR+1和SR-1。在与单个外部刷新信号EXT_REF相对应的单元刷新时段期间,多个存储体BANK0/1、BANK2/3、BANK4/5和BANK6/7根据第一自动刷新操作AR而同时激活第1字线至第8字线,根据第一智能刷新操作SR+1而激活与第N字线相邻的第(N+1)字线,根据第二智能刷新操作SR-1而激活与第N字线相邻的第(N-1)字线,以及最后根据第二自动刷新操作AR而同时激活第9字线至第16字线。换言之,在每个外部刷新信号EXT_REF的单元刷新时段期间,重复执行两个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。当如上所述操作第一半导体器件时,可能出现以下问题。由于重复执行两个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1,因此在先前单元刷新时段的第二自动刷新操作AR和在当前单元刷新时段的第一自动刷新操作相继地执行。与智能刷新操作SR+1和SR-1同时的自动刷新操作AR激活更大数目的字线。因此,当相继地执行自动刷新操作时,电流消耗不可避免地增加。图2是说明常规第二半导体器件的操作的时序图。参考图2,响应于单个外部刷新信号EXT_REF而执行三个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。在与单个外部刷新信号EXT_REF相对应的单元刷新时段期间,多个存储体BANK0/1、BANK2/3、BANK4/5和BANK6/7根据第一自动刷新操作AR而同时激活第1字线至第8字线,根据第一智能刷新操作SR+1而激活与第N字线相邻的第(N+1)字线,根据第二智能刷新操作SR-1而激活与第N字线相邻的第(N-1)字线,根据第二自动刷新操作AR而同时激活第9字线至第16字线,以及最后根据第三自动刷新操作AR而同时激活第17字线至第24字线。换言之,在每个外部刷新信号EXT_REF的单元刷新时段期间,重复执行三个自动刷新操作AR以及两个智能刷新操作SR+1和SR-1。即便当如上所述地操作第二半导体器件时,也可能出现上述问题。由于在每个单元刷新时段相继地执行第二自动刷新操作AR和第三自动刷新操作AR,因此电流消耗会不可避免地增加。
技术实现思路
各种实施例是针对能够交替执行自动刷新操作和智能刷新操作的半导体器件以及驱动该半导体器件的方法。在一个实施例中,半导体器件可以包括:第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操作的刷新控制信号;以及第二控制器,适用于根据刷新控制信号而控制多个字线,,以使得在与外部刷新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。所述两种或更多种类型的刷新操作可以包括自动刷新操作和智能刷新操作。在多个字线之中,第二控制器可以交替使能用于自动刷新操作的一个或更多个字线以及用于智能刷新操作的一个或更多个字线。第二控制器可以在自动刷新操作期间同时使能两个或更多个字线,以及在智能刷新操作期间使能一个字线。在一个实施例中,半导体器件可以包括:刷新控制器,适用于在与外部刷新信号相对应的每个单元刷新时段中,产生以相互相对的方式而触发的自动刷新使能信号和智能刷新使能信号,以及产生内部刷新信号,每当自动刷新使能信号和智能刷新使能信号激活时,所述内部刷新信号脉冲;地址供应单元,适用于根据自动刷新使能信号、智能刷新智能信号和目标地址来交替提供自动刷新地址和智能刷新地址;以及字线使能单元,适用于在单元刷新时段期间,交替地将与自动刷新地址相对应的字线和与智能刷新地址相对应的字线使能预定次数,其中响应于与自动刷新使能信号相对应的内部刷新信号而使能与自动刷新地址相对应的字线,响应于与智能刷新使能信号相对应的内部刷新信号而使能与智能刷新地址相对应的字线。刷新控制器可以包括:计数单元,适用于通过计数内部刷新信号来产生多个计数信号;刷新使能单元,适用于根据多个计数信号而产生自动刷新使能信号、智能刷新使能信号以及第一选择控制信号和第二选择控制信号;以及内部刷新信号发生单元,适用于根据外部刷新信号、自动刷新使能信号、智能刷新使能信号以及第一选择控制信号和第二选择控制信号而产生内部刷新信号。计数单元可以包括:计数复位部,适用于根据多个计数信号中的一个或更多个而产生计数复位信号;以及除法电路部,适用于根据计数复位信号而复位,以及通过内部刷新信号进行除法而产生多个计数信号。刷新使能单元可以包括:组合逻辑部,适用于逻辑组合多个计数信号中的通过将内部刷新信号除以2而得到的第一计数信号以及通过将内部刷新信号除以4而得到的第二计数信号,而产生多个选择控制信号;反相部,适用于通过将第一计数信号反相而产生自动刷新使能信号;以及非反相部,适用于通过不将第一计数信号反相而产生智能刷新使能信号。内部刷新信号发生单元可以包括:延迟部,适用于通过将外部刷新信号延迟预定延迟时间来产生延迟刷新信号;第一刷新脉冲部,适用于根据延迟刷新信号、自动刷新使能信号、第一选择控制信号和第二延迟刷新脉冲信号而在单元刷新时段期间产生响应于自动刷新使能信号的激活时段而顺序地脉冲的多个第一刷新脉冲信号,以及通过将多个第一刷新脉冲信号延迟来产生多个第一延迟刷新脉冲信号;第二刷新脉冲部,适用于根据通过将多个第一刷新脉冲信号延迟而得到的多个第一延迟刷新脉冲本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种半导体器,包括:第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操作的刷新控制信号;以及第二控制器,适用于根据所述刷新控制信号控制多个字线,以使得在与所述外部刷新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。

【技术特征摘要】
2014.10.17 KR 10-2014-01410521.一种半导体器,包括:
第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操
作的刷新控制信号;以及
第二控制器,适用于根据所述刷新控制信号控制多个字线,以使得在与所述外部刷
新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述两种或更多种类型的刷新操作包括自
动刷新操作和智能刷新操作。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第二控制器交替使能所述多个字线
之中的用于所述自动刷新操作的一个或更多个字线以及用于所述智能刷新操作的一个或
更多个字线。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第二控制器在所述自动刷新操作期
间同时使能两个或更多个字线,而在所述智能刷新操作期间使能一个字线。
5.一种半导体器件,包括:
刷新控制器,适用于在与外部刷新信号相对应的每个单元刷新时段期间产生相互相
对而触发的自动刷新使能信号和智能刷新使能信号,以及产生内部刷新信号,每当所述
自动刷新使能信号和所述智能刷新使能信号激活时所述内部刷新信号发生脉冲;
地址供应单元,适用于根据所述自动刷新使能信号、所述智能刷新智能信号和目标
地址而交替提供自动刷新地址和智能刷新地址;以及
字线使能单元,适用于在所述单元刷新时段期间,将与所述自动刷新地址相对应的
字线以及与所述智能刷新地址相对应的字线交替使能预定次数,其中基于与所述自动刷
新使能信号相对应的所述内部刷新信号而使能与所述自动刷新地址相应的所述字线,基
于与所述智能刷新使能信号相对应的所述内部刷新信号而使能与所述智能刷新地址相应
的所述字线。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述刷新控制器包括:
计数单元,适用于通过计数所述内部刷新信号来产生多个计数信号;
刷新使能单元,适用于根据所述多个计数信号而产生所述自动刷新使能信号、所述
智能刷新使能信号以及第一选择控制信号和第二选择控制信号;以及
内部刷新信号发生单元,适用于根据所述外部刷新信号、所述自动刷新使能信号、

...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱鲁根金载镒
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1