【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2014年10月17日提交的申请号为10-2014-0141052的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示范性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体地,涉及一种支持刷新操作的半导体器件,以及用于驱动该半导体器件的方法。
技术介绍
随着存储器集成度的增加,字线之间的间距减小。减小字线之间的间距已经引起相邻字线之间的耦合效应的增加。每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时,字线在有效状态和无效状态之间切换。如上所述,由于相邻字线之间的耦合效应增加,耦接到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单元中的数据可能受到损坏。这种现象被称为字线干扰。字线干扰可以引起这样的问题,即存储单元中的数据在存储单元刷新之前被损坏。为了解决这个问题,已经出现了智能刷新技术。智能刷新技术检测已经频繁激活的目标字线,并且刷新耦接至与目标字线相邻的字线的存储单元。智能刷新技术包括与正常刷新操作(例如,自动刷新操作)分开执行的附加刷新操作。图1是说明第一常规半导体器件的操作的时序图。参考图1,响应于单个外部刷新信号EXT_REF而执行两个自动刷新操作AR和两个智能刷新操作SR+1和SR-1。在与单个外部刷新信号EXT_REF相对应的单元刷新时段期间,多个存储体BANK0/1、BANK2/3、BANK4/5和BANK6/7根据第一自动刷新操作AR而同时激活第1字线至第8字线,根据第一智能 ...
【技术保护点】
一种半导体器,包括:第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操作的刷新控制信号;以及第二控制器,适用于根据所述刷新控制信号控制多个字线,以使得在与所述外部刷新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。
【技术特征摘要】
2014.10.17 KR 10-2014-01410521.一种半导体器,包括:
第一控制器,适用于根据外部刷新信号而产生用于控制两种或更多种类型的刷新操
作的刷新控制信号;以及
第二控制器,适用于根据所述刷新控制信号控制多个字线,以使得在与所述外部刷
新信号相对应的单元刷新时段期间两种或更多种类型的刷新操作交替执行预定次数。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述两种或更多种类型的刷新操作包括自
动刷新操作和智能刷新操作。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第二控制器交替使能所述多个字线
之中的用于所述自动刷新操作的一个或更多个字线以及用于所述智能刷新操作的一个或
更多个字线。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第二控制器在所述自动刷新操作期
间同时使能两个或更多个字线,而在所述智能刷新操作期间使能一个字线。
5.一种半导体器件,包括:
刷新控制器,适用于在与外部刷新信号相对应的每个单元刷新时段期间产生相互相
对而触发的自动刷新使能信号和智能刷新使能信号,以及产生内部刷新信号,每当所述
自动刷新使能信号和所述智能刷新使能信号激活时所述内部刷新信号发生脉冲;
地址供应单元,适用于根据所述自动刷新使能信号、所述智能刷新智能信号和目标
地址而交替提供自动刷新地址和智能刷新地址;以及
字线使能单元,适用于在所述单元刷新时段期间,将与所述自动刷新地址相对应的
字线以及与所述智能刷新地址相对应的字线交替使能预定次数,其中基于与所述自动刷
新使能信号相对应的所述内部刷新信号而使能与所述自动刷新地址相应的所述字线,基
于与所述智能刷新使能信号相对应的所述内部刷新信号而使能与所述智能刷新地址相应
的所述字线。
6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述刷新控制器包括:
计数单元,适用于通过计数所述内部刷新信号来产生多个计数信号;
刷新使能单元,适用于根据所述多个计数信号而产生所述自动刷新使能信号、所述
智能刷新使能信号以及第一选择控制信号和第二选择控制信号;以及
内部刷新信号发生单元,适用于根据所述外部刷新信号、所述自动刷新使能信号、
...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱鲁根,金载镒,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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