中频小电流的检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种中频小电流的检测电路，包括直流电源，直流电源的正端与Buck变换器的1脚连接，直流电源的负端与Buck变换器的2脚连接，Buck变换器的3脚与三相逆变桥的1脚连接，Buck变换器的4脚与电流检测电阻的一端连接，电流检测电阻的另一端与三相逆变桥的2脚连接，三相逆变桥的3脚与无刷直流电机的A相绕组连接、三相逆变桥的4脚与无刷直流电机的B相绕组连接，三相逆变桥的5脚与无刷直流电机的C相绕组连接，电流检测电路将采集的电压信号输出到DSP控制板中。本发明专利技术测量精度高，能准确测量无刷直流电机的中频小电流，本发明专利技术的电流检测电路造价较低，可大大降低开发成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种检测电路，具体涉及一种中频小电流的检测电路。
技术介绍
高速无刷直流电机由于结构特殊，其相电流非常小，最大不超过1A，同时相电流频率正比于电机转速，由于直流电机转速较高，电机相电流频率变化范围为0-2000Hz，因此直流电机的相电流为中频小电流，必须采用测量范围小、精度较高的电流传感器进行测量。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术存在的问题而提出，其目的是提供一种中频小电流的检测电路。本专利技术的技术方案是：一种中频小电流的检测电路，包括直流电源，直流电源的正端与Buck变换器的1脚连接，直流电源的负端与Buck变换器的2脚连接，Buck变换器的3脚与三相逆变桥的1脚连接，Buck变换器的4脚与电流检测电阻的一端连接，电流检测电阻的另一端与三相逆变桥的2脚连接，三相逆变桥的3脚与无刷直流电机的A相绕组连接、三相逆变桥的4脚与无刷直流电机的B相绕组连接，三相逆变桥的5脚与无刷直流电机的C相绕组连接，电流检测电路将采集的电压信号输出到DSP控制板中，DSP控制板分别与Buck变换器、电流检测电路、三相逆变桥、无刷直流电机相连。所述的Buck变换器由+50V直流电源、可控硅T1、二极管D3、滤波电感组以及滤波电容组组成，可控硅T1的PWM驱动信号由外部输入，电阻R6、电容C5、二极管D3组成RCD吸收电路，用于吸收可控硅T1两端的高频信号，以降低可控硅T1的开关损耗。所述的三相逆变桥中包括三个桥臂的六个可控硅Q1-Q6，三相逆变桥的1脚、2脚并行连接于串联后的可控硅Q1、可控硅Q2，串联后的可控硅Q3、可控硅Q4，串联后的可控硅Q5、可控硅Q6，三相逆变桥的3脚与可控硅Q1、可控硅Q2的连线中点处相接，三相逆变桥的4脚与可控硅Q3、可控硅Q4的连线中点处相接，三相逆变桥的5脚与可控硅Q5、可控硅Q6的连线中点处相接。所述的电流检测电路包括运算放大器，运算放大器的2脚通过电阻R1与FKDL端口连接，运算放大器的3脚通过电阻R2与GND端口连接，通过电阻R4与AGND连接，电阻R2与AGND之间连接有电容C2，运算放大器的1脚、2脚之间并联有电容C1、电阻R3，运算放大器的1脚依次与电阻R5、二极管D1、3.3VA连接，电阻R5、二极管D1之间设置有相互并联的电容C3、电容C4、二极管D2，电容C3、电容C4、二极管D2的另一端与AGND连接。运算放大器的4脚与+15VA连接，运算放大器的11脚与-15VA连接。本专利技术测量精度高，能准确测量无刷直流电机的中频小电流，本专利技术的电流检测电路造价较低，可大大降低开发成本。附图说明图1是本专利技术的结构框图；图2是本专利技术中Buck变换器的电路图图3是本专利技术中三相逆变桥的内部结构图；图4是本专利技术中电流检测电路的电路图；其中：1直流电源2Buck变换器3三相逆变桥4无刷直流电机5DSP控制板6电流检测电阻7电流检测电路8运算放大器9滤波电感组10滤波电容组。具体实施方式以下，参照附图和实施例对本专利技术进行详细说明：如图1所示，一种中频小电流的检测电路，包括直流电源1、Buck变换器2、三相逆变桥3、无刷直流电机4、DSP控制板5、电流检测电阻6以及电流检测电路7，直流电源1的正端与Buck变换器2的1脚连接，直流电源1的负端与Buck变换器2的2脚连接，Buck变换器2的3脚与三相逆变桥3的1脚连接，Buck变换器2的4脚与电流检测电阻6的一端连接，电流检测电阻6的另一端与三相逆变桥3的2脚连接，三相逆变桥3的3脚与无刷直流电机4的A相绕组连接、三相逆变桥3的4脚与无刷直流电机4的B相绕组连接，三相逆变桥3的5脚与无刷直流电机4的C相绕组连接，电流检测电路7将采集的电压信号输出到DSP控制板5中，DSP控制板5分别与Buck变换器2、电流检测电路7、三相逆变桥3、无刷直流电机4相连。如图2所示，所述的Buck变换器2由+50V直流电源、可控硅T1、二极管D3、滤波电感组9以及滤波电容组10组成，可控硅T1的PWM驱动信号由外部输入，电阻R6、电容C5、二极管D3组成RCD吸收电路，用于吸收可控硅T1两端的高频信号，以降低可控硅T1的开关损耗。本专利技术中Buck变换器2的电路图连接关系如下：+50V直流电源端口与电阻R6、可控硅T1的集电极、二极管D3的阳极连接，电阻R6的另一端以及二极管D3的阴极与电容C5连接，电容C5的另一端与可控硅T1的发射极连接。驱动信号GPWM、EPWM分别与可控硅T1的基极、发射极连接。二极管D4的阳极与GND连接，二极管D4的阴极与可控硅T1的发射极、电容C5的另一端连接。滤波电感组9由三个电感串联组成，其一端同时与二极管D4的阴极、可控硅T1的发射极、电容C5的另一端连接，另一端与滤波电容组10连接，滤波电容组10由两个电容并联组成，其一端与滤波电感组9连接，另一端与GND连接。如图3所示，所述的三相逆变桥中包括三个桥臂的六个可控硅Q1-Q6，三相逆变桥的1脚、2脚并行连接于串联后的可控硅Q1、可控硅Q2，串联后的可控硅Q3、可控硅Q4，串联后的可控硅Q5、可控硅Q6，三相逆变桥的3脚与可控硅Q1、可控硅Q2的连线中点处相接，三相逆变桥的4脚与可控硅Q3、可控硅Q4的连线中点处相接，三相逆变桥的5脚与可控硅Q5、可控硅Q6的连线中点处相接。本专利技术中三相逆变桥的结构连接关系如下：三相逆变桥3的1脚与可控硅Q1、可控硅Q3、可控硅Q5的集电极连接，三相逆变桥3的2脚与可控硅Q2、可控硅Q4、可控硅Q6的发射极连接，可控硅Q1的发射极与可控硅Q2的集电极连接，可控硅Q3的发射极与可控硅Q4的集电极连接，可控硅Q5的发射极与可控硅Q6的集电极连接。三相逆变桥3的3脚与可控硅Q1的发射极、可控硅Q2的集电极连接，三相逆变桥3的4脚与可控硅Q3的发射极、可控硅Q4的集电极连接，三相逆变桥3的5脚与可控硅Q5的发射极、可控硅Q6的集电极连接。如图4所示，所述的电流检测电路7包括运算放大器8，运算放大器8的2脚通过电阻R1与FKDL端口连接，运算放大器8的3脚通过电阻R2与GND端口连接，通过电阻R4与AGND连接，电阻R2与AGND之间连接有电容C2，运算放大器8的1脚、2脚之间并联有电容C1、电阻R3，运算放大器8的1脚依次与电阻R5、二极管D1、3.3VA连接，电阻R5、二极管D1之间设置有相互并联的电容C3、电容C4、二极管D2，电容C3、电容C4、二极管D2的另一端与AGND连接。其中，电阻R1连接FKDL端口，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中频小电流的检测电路，包括直流电源（1），其特征在于：直流电源（1）的正端与Buck变换器（2）的1脚连接，直流电源（1）的负端与Buck变换器（2）的2脚连接， Buck变换器（2）的3脚与三相逆变桥（3）的1脚连接，Buck变换器（2）的4脚与电流检测电阻（6）的一端连接，电流检测电阻（6）的另一端与三相逆变桥（3）的2脚连接，三相逆变桥（3）的3脚与无刷直流电机（4）的A相绕组连接、三相逆变桥（3）的4脚与无刷直流电机（4）的B相绕组连接，三相逆变桥（3）的5脚与无刷直流电机（4）的C相绕组连接，电流检测电路（7）将采集的电压信号输出到DSP控制板（5）中，DSP控制板（5）分别与Buck变换器（2）、电流检测电路（7）、三相逆变桥（3）、无刷直流电机（4）相连。

【技术特征摘要】
1.一种中频小电流的检测电路，包括直流电源（1），其特征在于：直流电源（1）的正端与
Buck变换器（2）的1脚连接，直流电源（1）的负端与Buck变换器（2）的2脚连接，Buck变换器
（2）的3脚与三相逆变桥（3）的1脚连接，Buck变换器（2）的4脚与电流检测电阻（6）的一端连
接，电流检测电阻（6）的另一端与三相逆变桥（3）的2脚连接，三相逆变桥（3）的3脚与无刷直
流电机（4）的A相绕组连接、三相逆变桥（3）的4脚与无刷直流电机（4）的B相绕组连接，三相
逆变桥（3）的5脚与无刷直流电机（4）的C相绕组连接，电流检测电路（7）将采集的电压信号
输出到DSP控制板（5）中，DSP控制板（5）分别与Buck变换器（2）、电流检测电路（7）、三相逆变
桥（3）、无刷直流电机（4）相连。
2.根据权利要求1所述的中频小电流的检测电路，其特征在于：所述的Buck变换器（2）
由+50V直流电源、可控硅T1、二极管D3、滤波电感组（9）以及滤波电容组（10）组成，可控硅T1
的PWM驱动信号由外部输入，电阻R6、电容C5、二极管D3组成RCD吸收电路，用于吸收可控硅
T1两端的高频信号，以降低可控硅T1的开关损耗。
3.根据权利要求1所述的中频小电流的检测电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏振，傅隽，赵武玲，
申请(专利权)人：核工业理化工程研究院，
类型：发明
国别省市：天津;12