一种复合LED玻璃基板显示模组的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种复合LED玻璃基板显示模组的制造方法和显示模组，该方法包括：在复合LED玻璃基板熔嵌倒装LED晶片组一侧，第一绝缘层的图形化区域内露出第一电极和第二电极；图形化制备ITO顶层导电层，与第一电极相连接；在第二绝缘层的图形化区域内露出第二电极；图形化制备ITO底层导电层，与第二电极相连接；在第三绝缘层的图形化区域内露出部分ITO顶层导电层和部分ITO底层导电层；图形化制备ITO驱动控制导电层，根据设计所需与ITO顶层导电层或ITO底层导电层相连接；图形化覆盖第四绝缘层；制作BGA共晶焊球和数据级联端子，通过BGA焊装将熔嵌倒装有LED晶片组的复合LED玻璃基板与ASIC IC共晶焊接，形成显示模组。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种复合LED玻璃基板显示模组的制备方法和显示模组。
技术介绍
在传统的半导体显示器产品发展到今天，配套的或是交叉行业的资源已经极大地丰富和完善。在传统的LED产品结构中，通常采用FR4电路板用来做LED电路基板。但是，在传统电路板作为LED电路基板时，其材料的材质里存在的杂质，气孔，热应力，热膨胀等缺陷，都会造成致命的产品稳定性信赖性的隐患。传统的FR4电路板板松散的材质也会带来的集成成品的热不稳定性问题，平整度强度问题，以及为安装拼接为大屏幕所需要的注塑面罩和塑壳的可靠性等等。而且在半导体显示器的分辨率提高到一定程度时(例如像素间距要求小于1MM时)无法实现加工。因此传统电路板是完全没法满足小尺寸、高精度的要求，这些都严重限制着LED显示技术在高密度领域的突破和应用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种复合LED玻璃基板显示模组的制备方法和显示模组，所述方法工艺简单，成本低，适于大规模生产应用。第一方面，本专利技术提供了一种复合LED玻璃基板显示模组的制备方法，包括：在所述复合LED玻璃基板熔嵌倒装LED晶片组一侧的第一表面图形化淀积第一绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极；在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡ITO顶层导电层；其中，所述ITO顶层导电层与所述第一电极相连接；在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出所述LED晶片组的第二电极；在所述第一表面上图形化制备ITO底层导电层；其中，所述ITO底层导电层与所述第二电极相连接；在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，根据设计所需在图形化区域内露出部分所述ITO顶层导电层和所述ITO底层导电层；在所述第一表面上图形化制备ITO驱动控制导电层；其中，所述ITO驱动控制导电层包括多个ITO导线，分别根据设计所需与所述ITO顶层导电层或所述ITO底层导电层相连接；图形化淀积第四绝缘层；在所述第四绝缘层的图形化区域内制作数据级联端子；制作球状引脚栅格阵列BGA共晶焊球和数据级联端子，通过BGA焊装方式，将所述熔嵌倒装有LED晶片组的复合LED玻璃基板与ASICIC进行共晶焊接，形成所述显示模组。优选的，所述ITO为不透明的ITO，所述ITO的电阻率在10e-5Ω·cm级。优选的，在所述制作球状引脚栅格阵列BGA共晶焊球和数据级联端子之后，所述方法还包括：通过所述数据级联端子，对所述显示模组进行电学测试。优选的，所述方法还包括：利用保护胶对各所述导电层进行选择性掩蔽。优选的，在所述对所述显示模组进行电学测试之后，所述方法还包括：在所述ASICIC一侧贴装散热支架，用以对所述显示模组进行散热。第二方面，本专利技术实施例提供了一种应用上述第一方面所述的方法制备的复合LED玻璃基板显示模组。优选的，所述显示模组包括：熔嵌了倒装LED晶片组的复合LED玻璃基板，ITO电路，BGA焊球，数据级联端子，ASICIC和散热支架。本专利技术的复合LED玻璃基板显示模组的制造方法，工艺简单，成本低，适于大规模生产应用。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种复合LED玻璃基板显示模组的制备方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之二；图4为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之三；图5为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之四；图6为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之五；图7为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之六；图8为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图之七；图9为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的示意图。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。具体实施方式本专利技术的复合LED玻璃基板显示模组的制备方法，主要用于LED显示屏，超小间距LED显示屏，超高密度LED显示屏，LED正发光电视，LED正发光监视器，LED视频墙，LED指示，LED特殊照明等领域的显示面板制造。图1为本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备方法流程图。图2-图8为本专利技术实施例的复合LED玻璃基板显示模组的制备过程示意图，下面以图1并结合图2-图8对本专利技术的制备方法进行说明。本专利技术实施例提供的复合LED玻璃基板显示模组的制备方法包括如下步骤：步骤110，在所述复合LED玻璃基板熔嵌倒装LED晶片组一侧的第一表面图形化淀积第一绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极；具体的，本专利技术中的复合LED玻璃基板，为专利201410485949.5《一种用于磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法》或者201410486656.9《一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法》中制备的复合玻璃基板。图形化淀积第一绝缘层的过程可以是，先淀积生长第一绝缘层，再进行图形化刻蚀。或者也可以是制备掩蔽层，再利用掩蔽层进行选择性生长等过程。制备完毕的第一绝缘层20可以如图2所示，图中所示21为第一电极，22为第二电极。步骤120，在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡(ITO)顶层导电层；其中，所述ITO顶层导电层与所述第一电极相连接；具体的，本专利技术中的ITO工艺为ITO的改性工艺，制备的ITO导电薄膜为不透明的ITO薄膜，其电阻率降低至10e-5Ω·cm级。可以具体如图3中所示的ITO顶层导电层31。步骤130，在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出所述LED晶片组的第二电极；具体的，如图4所示。图形化制备第二绝缘层的过程可以是，先淀积生长第二绝缘层41，再进行图形化刻蚀露出第二电极22。或者也可以是制备掩蔽层，再利用掩蔽层进行选择性生长等过程。步骤140，在所述第一表面上图形化制备ITO底层导电层；其中，所述ITO底层导电层与所述第二电极相连接；具体的，如图5所示，51为ITO底层导电层。步骤150，在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，根据设计所需在图形化区域内露出部分所述ITO顶层导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合LED玻璃基板显示模组的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在所述复合LED玻璃基板熔嵌倒装LED晶片组一侧的第一表面图形化淀积第一绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极；在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡ITO顶层导电层；其中，所述ITO顶层导电层与所述第一电极相连接；在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出所述LED晶片组的第二电极；在所述第一表面上图形化制备ITO底层导电层；其中，所述ITO底层导电层与所述第二电极相连接；在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，根据设计所需在图形化区域内露出部分所述ITO顶层导电层和部分所述ITO底层导电层；在所述第一表面上图形化制备ITO驱动控制导电层；其中，所述ITO驱动控制导电层包括多个ITO导线，分别根据设计所需与所述ITO顶层导电层或所述ITO底层导电层相连接；图形化淀积第四绝缘层；制作球状引脚栅格阵列BGA共晶焊球和数据级联端子，通过BGA焊装方式，将所述熔嵌倒装有LED晶片组的复合LED玻璃基板与ASIC IC进行共晶焊接，形成所述显示模组。

【技术特征摘要】
1.一种复合LED玻璃基板显示模组的制造方法，其特征在于，所述方
法包括：
在所述复合LED玻璃基板熔嵌倒装LED晶片组一侧的第一表面图形化
淀积第一绝缘层，并在图形化区域内露出LED晶片组的第一电极和第二电极；
在所述第一表面上图形化制备氧化铟锡ITO顶层导电层；其中，所述ITO
顶层导电层与所述第一电极相连接；
在所述第一表面上图形化制备第二绝缘层，并在图形化区域内露出所述
LED晶片组的第二电极；
在所述第一表面上图形化制备ITO底层导电层；其中，所述ITO底层导
电层与所述第二电极相连接；
在所述第一表面上图形化制备第三绝缘层，根据设计所需在图形化区域
内露出部分所述ITO顶层导电层和部分所述ITO底层导电层；
在所述第一表面上图形化制备ITO驱动控制导电层；其中，所述ITO驱
动控制导电层包括多个ITO导线，分别根据设计所需与所述ITO顶层导电层
或所述ITO底层导电层相连接；
图形化淀积第四绝缘层；
制作球状引脚栅格阵列BGA共晶焊球和数据级联端子，通过BGA焊装
方式，将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：严敏，程君，周鸣波，
申请(专利权)人：严敏，程君，周鸣波，
类型：发明
国别省市：北京;11