双路微波变频器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了双路微波变频器电路，包括电容C1、电阻R1、MOS管Q1和电感L1。本实用新型专利技术双路微波变频器电路左右对称，减小了本振信号的泄露，也减少了偶次谐波项，具有较低的本振功率、较高的转换增益、较强的共模抑制能力，并具有高的LO-IF和RF-IF端口隔离度的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及变频器，具体是双路微波变频器电路。
技术介绍
近年来，由于无线通信的广泛需求和迅速发展，射频集成电路已成为IC设计中被普遍关注和大量研究的课题，随着硅CMOS工艺的不断改进，MOS器件的截止频率已达到GHZ的水平，完全能满足多数现代无线通信应用要求，CMOS技术与双极技术相比，其非常显著的优点就是低成本、低功耗、高集成度，以及可以与收发器后端电路进行单片集成，微波变频器是无线通信系统射频接收机前端的关键模块之一，负责接收机的频率转换，其性能直接影响整个系统的性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供抗干扰、性能高的双路微波变频器电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：双路微波变频器电路，包括电容C1、电阻R1、MOS管Q1和电感L1，所述电容C1一端连接输入信号LO+，电容C1另一端连接电阻R1，电阻R1另一端连接电感L1，电感L1另一端分别连接MOS管Q1的G极和MOS管Q4的G极，MOS管Q1的D极分别连接MOS管Q2的D极和MOS管Q6的S极，MOS管Q1的S极分别连接输入信号IF+和MOS管Q3的S极，所述MOS管Q2的S极连接输入信号IF-，MOS管Q2的G极分别连接MOS管Q3的G极和电感L2，电感L2另一端连接电阻R2，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2另一端连接输入信号LO-，所述MOS管Q6的G极分别连接电感L3和电容C4，电感L3另一端分别连接接地电阻R3和电阻R4，电阻R4另一端连接电容C3，电容C3另一端连接输入信号RF+，所述电容C4另一端分别连接电感L4和MOS管Q6的D极，电感L4另一端分别连接电感L5和MOS管Q7的S极，MOS管Q7的D极连接电源VCC，MOS管Q7的G极分别连接MOS管Q8的G极、MOS管Q8的S极和电源VCC，MOS管Q8的D极接地，所述MOS管Q3的D极分别连接MOS管Q4的S极和MOS管Q5的S极，MOS管Q5的D极分别连接电感L5另一端和电容C6，电容C6另一端分别连接电感L6和MOS管Q5的G极，电感L6另一端分别连接接地电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端连接电容C5，电容C5另一端连接输入信号RF-，所述MOS管Q4的S极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5另一端和电源VCC。作为本技术再进一步的方案：所述电源VCC电压为3V。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术双路微波变频器电路左右对称，减小了本振信号的泄露，也减少了偶次谐波项，具有较低的本振功率、较高的转换增益、较强的共模抑制能力，并具有高的LO-IF和RF-IF端口隔离度的优点。附图说明图1为双路微波变频器电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，双路微波变频器电路，包括电容C1、电阻R1、MOS管Q1和电感L1，电容C1一端连接输入信号LO+，电容C1另一端连接电阻R1，电阻R1另一端连接电感L1，电感L1另一端分别连接MOS管Q1的G极和MOS管Q4的G极，MOS管Q1的D极分别连接MOS管Q2的D极和MOS管Q6的S极，MOS管Q1的S极分别连接输入信号IF+和MOS管Q3的S极，MOS管Q2的S极连接输入信号IF-，MOS管Q2的G极分别连接MOS管Q3的G极和电感L2，电感L2另一端连接电阻R2，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2另一端连接输入信号LO-，MOS管Q6的G极分别连接电感L3和电容C4，电感L3另一端分别连接接地电阻R3和电阻R4，电阻R4另一端连接电容C3，电容C3另一端连接输入信号RF+，电容C4另一端分别连接电感L4和MOS管Q6的D极，电感L4另一端分别连接电感L5和MOS管Q7的S极，MOS管Q7的D极连接电源VCC，MOS管Q7的G极分别连接MOS管Q8的G极、MOS管Q8的S极和电源VCC，MOS管Q8的D极接地，MOS管Q3的D极分别连接MOS管Q4的S极和MOS管Q5的S极，MOS管Q5的D极分别连接电感L5另一端和电容C6，电容C6另一端分别连接电感L6和MOS管Q5的G极，电感L6另一端分别连接接地电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端连接电容C5，电容C5另一端连接输入信号RF-，MOS管Q4的S极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5另一端和电源VCC。电源VCC电压为3V。本技术的工作原理是：请参阅图1，射频信号通过RF+和RF-两个端口输入，线性跨到MOS管Q1和Q1用来放大射频信号，并将该射频电压信号转换为电流信号，本振信号从差分开关对Q3～Q6的LO+和LO-两个端口输入，并通过控制电流的导通与开断来实现双路变频，中频信号通过IF+和IF-输入，经带通滤波器滤波后就可以得到所需中频信号。电路中电感L3～L6主要用于完成射频端口的输入阻抗匹配，同时，通过采用电感L4和电感L5源极电感负反馈技术有利于改善电路的线性度，为了减小匹配电感值，在MOS管Q5和MOS管Q6的G-S极端并接电容C4和C6。电感L1和L2主要用于本振端口的输入阻抗匹配，电阻R1、R2、R4和R8用于改善各输入端的反射参数，电容C1、C2、C3和C5用于隔离直流，减小干扰，电阻R5和R6为负载，即用来调节电路的转换增益又用以实现输出端口的阻抗匹配，MOS管Q7和Q8为电路提供稳定的偏置电流。本文档来自技高网...

【技术保护点】
双路微波变频器电路，包括电容C1、电阻R1、MOS管Q1和电感L1，其特征在于，所述电容C1一端连接输入信号LO+，电容C1另一端连接电阻R1，电阻R1另一端连接电感L1，电感L1另一端分别连接MOS管Q1的G极和MOS管Q4的G极，MOS管Q1的D极分别连接MOS管Q2的D极和MOS管Q6的S极，MOS管Q1的S极分别连接输入信号IF+和MOS管Q3的S极，所述MOS管Q2的S极连接输入信号IF‑，MOS管Q2的G极分别连接MOS管Q3的G极和电感L2，电感L2另一端连接电阻R2，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2另一端连接输入信号LO‑，所述MOS管Q6的G极分别连接电感L3和电容C4，电感L3另一端分别连接接地电阻R3和电阻R4，电阻R4另一端连接电容C3，电容C3另一端连接输入信号RF+，所述电容C4另一端分别连接电感L4和MOS管Q6的D极，电感L4另一端分别连接电感L5和MOS管Q7的S极，MOS管Q7的D极连接电源VCC，MOS管Q7的G极分别连接MOS管Q8的G极、MOS管Q8的S极和电源VCC，MOS管Q8的D极接地，所述MOS管Q3的D极分别连接MOS管Q4的S极和MOS管Q5的S极，MOS管Q5的D极分别连接电感L5另一端和电容C6，电容C6另一端分别连接电感L6和MOS管Q5的G极，电感L6另一端分别连接接地电阻R7和电阻R8，电阻R8另一端连接电容C5，电容C5另一端连接输入信号RF‑，所述MOS管Q4的S极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R5另一端和电源VCC。...

【技术特征摘要】
1.双路微波变频器电路，包括电容C1、电阻R1、MOS管Q1和电感L1，其特征在于，
所述电容C1一端连接输入信号LO+，电容C1另一端连接电阻R1，电阻R1另一端连接电
感L1，电感L1另一端分别连接MOS管Q1的G极和MOS管Q4的G极，MOS管Q1的D极分
别连接MOS管Q2的D极和MOS管Q6的S极，MOS管Q1的S极分别连接输入信号IF+和MOS
管Q3的S极，所述MOS管Q2的S极连接输入信号IF-，MOS管Q2的G极分别连接MOS管
Q3的G极和电感L2，电感L2另一端连接电阻R2，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2
另一端连接输入信号LO-，所述MOS管Q6的G极分别连接电感L3和电容C4，电感L3另
一端分别连接接地电阻R3和电阻R4，电阻R4另一端连接电容C3，电容C3另一端连接输
入信号R...

【专利技术属性】
技术研发人员：董朝阳，熊绍军，赵文彬，
申请(专利权)人：武汉隆瑞信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42