半导体材料少子寿命测试装置制造方法及图纸

技术编号:14615790 阅读:231 留言:0更新日期:2017-02-10 03:27
本实用新型专利技术提供了一种半导体材料少子寿命测试装置,其中,绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°,由此能够使得发射到绝缘材料层侧面的微波向绝缘材料层底面反射,从而可减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,由此可减弱甚至消除干扰信号。进一步的,所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷或凸起,可使得发射到绝缘材料层侧面的微波向多个方向反射,从而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,进而可进一步减弱甚至消除干扰信号。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造
,特别涉及一种半导体材料少子寿命测试装置
技术介绍
通过MWPCD(MicrowavePhotoconductivityDecay,微波光电导衰减)的方法测试半导体材料的非平衡载流子(通常称少子)寿命是一种比较常见的方法。主要是通过激光照射半导体材料,激发电子空穴对以改变半导体材料瞬时的电导率,并用微波垂直入射到半导体材料进行测量,通过微波反射信号的变化,测量半导体材料的少子寿命。但由于半导体材料少子寿命较小,多为ps(皮秒)或ns(纳秒)量级,无法较好的测量其衰减曲线,所以有使用微波垂直反射信号的峰值(PEAKVALUE)来间接反映半导体材料的少子寿命的方法和装置。请参考图1,其为现有的半导体材料少子寿命测试装置。如图1所示,所述半导体材料少子寿命测试装置1包括载台(Stage)10、微波探头12以及激光头13,其中,所述载台10用以承载样品11,所述微波探头12用以发射探测微波,所述激光头13用以发射激光。所述样品11包括玻璃基板110及形成于玻璃基板110上的半导体材料层111。具体的,所述载台10包括金属平板100以及位于所述金属平板100上的绝缘材料层101,所述金属平板100用于反射透过样品11的微波,以增强样品11信号;所述绝缘材料层101用于增强其上样品11所处的微波场信号敏感度,从而增强样品11电导率变化时微波反射信号的变化。但是由于探测微波不仅会沿垂直方向传播和反射,也会沿着横向进行传播,所以在测试样品11时其边缘反射回来的第一反射微波14将和绝缘材料层101边缘反射回来的第二反射微波15在样品11的固定位置形成干涉,产生干扰信号,从而对检测结果形成影响。请参考图2,其为现有的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping)。如图2所示,所述检测图上具有周期性的波纹和横竖条纹,此即干扰信号。因此,如何避免半导体材料少子寿命测试装置在检测半导体材料少子寿命时形成干涉,成了本领域技术人员亟待解决的一个问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体材料少子寿命测试装置,以解决现有的半导体材料少子寿命测试装置在检测半导体材料少子寿命时形成干涉,产生干扰信号,从而对检测结果形成影响的问题。为解决上述技术问题,本技术提供一种半导体材料少子寿命测试装置,所述半导体材料少子寿命测试装置包括:载台、位于所述载台上方的微波探头以及激光头,其中,所述载台包括金属平板以及位于所述金属平板上的绝缘材料层,所述绝缘材料层包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面,其中所述绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述多个凹陷所占的侧面面积大于等于侧面总面积的60%。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述凹陷的形状为不规则形状。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述凹陷的深度为0.5mm~1mm。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凸起。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述多个凸起所占的侧面面积大于等于侧面总面积的60%。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述凸起的高度为0.5mm~1mm。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述绝缘材料层的每个侧面表面形成有微波吸收材料层。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述微波吸收材料层为铁氧体层。可选的,在所述的半导体材料少子寿命测试装置中,所述微波吸收材料层的厚度为0.5mm~1mm。在本技术提供的半导体材料少子寿命测试装置中,绝缘材料层的侧面与底面的夹角小于等于45°,由此能够使得发射到绝缘材料层侧面的微波向绝缘材料层底面反射,从而可减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,由此可减弱甚至消除干扰信号。进一步的,所述绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷或凸起,可使得发射到绝缘材料层侧面的微波向多个方向反射,从而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,进而可进一步减弱甚至消除干扰信号。更进一步的,所述绝缘材料层的每个侧面表面形成有微波吸收材料层,从而可部分吸收发射到绝缘材料层侧面的微波,进而可进一步减少绝缘材料层侧面反射的微波与样品侧面反射的微波形成干涉的几率,进一步减弱甚至消除干扰信号。附图说明图1是现有的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图;图2是现有的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping);图3是本技术实施例一的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图;图4是图3所示的半导体材料少子寿命测试装置做出的半导体材料少子寿命检测图(mapping);图5是本技术实施例二的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的半导体材料少子寿命测试装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。【实施例一】请参考图3,其为本技术实施例一的半导体材料少子寿命测试装置的结构示意图。如图3所示,所述半导体材料少子寿命测试装置2包括:载台20、位于所述载台20上方的微波探头22以及激光头23,其中,所述载台20包括金属平板200以及位于所述金属平板200上的绝缘材料层201,所述绝缘材料层201包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面,所述侧面与底面的夹角A小于等于45°。其中,所述载台20用以承载样品21,所述微波探头22用以发射探测微波,所述激光头23用以发射激光,所述样品21包括玻璃基板210及形成于玻璃基板210上的半导体材料层211。由于所述绝缘材料层201的侧面与底面的夹角A小于等于45°,由此便能够使得发射到绝缘材料层201侧面的微波向绝缘材料层201底面反射,从而可减少绝缘材料层201侧面反射的微波与样品21侧面反射的微波(更具体为所述玻璃基板210侧面反射的微波)形成干涉本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种半导体材料少子寿命测试装置,其包括:载台、位于所述载台上方的微波探头以及激光头,其中,所述载台包括金属平板及位于所述金属平板上的绝缘材料层,其特征在于,所述绝缘材料层包括底面、与底面相对的顶面及连接顶面与底面的侧面,所述侧面与底面的夹角小于等于45°。

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料少子寿命测试装置,其包括:载台、位于所述载台上方
的微波探头以及激光头,其中,所述载台包括金属平板及位于所述金属平板上
的绝缘材料层,其特征在于,所述绝缘材料层包括底面、与底面相对的顶面及
连接顶面与底面的侧面,所述侧面与底面的夹角小于等于45°。
2.如权利要求1所述的半导体材料少子寿命测试装置,其特征在于,所述
绝缘材料层的每个侧面上具有多个凹陷。
3.如权利要求2所述的半导体材料少子寿命测试装置,其特征在于,所述
多个凹陷所占的侧面面积大于等于侧面总面积的60%。
4.如权利要求2所述的半导体材料少子寿命测试装置,其特征在于,所述
凹陷的形状为不规则形状。
5.如权利要求2~4中任一项所述的半导体材料少子寿命测试装置,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏博周诗丽
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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