【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域,具体而言,涉及一种高压输入的控制方法及装置。
技术介绍
传统的Boost功率因数校正(PowerFactorCorrection,简称PFC)因PFC续流二级管存在反向恢复损耗,导致该Boost的拓扑结构效率不高。为提高效率,将二级管替换成金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,简称MOSFET),此种拓扑结构便是图腾柱PFC。图腾柱PFC拓扑结构因其转换效率较高目前被广泛使用在开关电源中。典型的单相图腾柱BoostPFC拓扑结构图如图1所示。其中,图1中L为输入电感,VT1、VT2为功率MOSFET管,每个MOSFET管包括一个体二极管和一个寄生电容,D1、D2为工频半周回路所用的回流二极管,C为Bus电容。图腾柱PFC为提高效率一般使其工作在临界电流模式(BCM),在这种工作模式下比较容易通过一定的控制策略实现驱动管的零电压开通(ZVS)和续流管的零电流关断(ZCS),从而提高效率。在BCM工作模式下,当输入电压和Bus电压瞬时值比较接近时,会使电路工作不稳定,原因如下:以输入电压正半周为例,当驱动管VT2开通时,电感电流上升,斜率为当驱动管VT2关断后,VT1续流,电感电流下降,斜率为在BCM工作模式,电感电流下降为0后,才会发下一开关周期的驱动。由上式可见,高压输入时,此时输入电压vin较高,接近vbus,即vbus与vin的差值很小,电感电流下降斜率接近为0,即电感电流很难下降为0。带来的后果是驱动很难发出,致使在输入电压峰值附近输入电流振荡 ...
【技术保护点】
一种高压输入的控制方法,其特征在于,包括:获取当前电路的输入电压瞬时值的最大值;判断所述输入电压瞬时值的最大值是否大于预设阈值;在所述输入电压瞬时值的最大值大于所述预设阈值的情况下,提取对应所述预设阈值的控制策略;依据所述控制策略调节所述电路中的输入电流振荡的运行状态。
【技术特征摘要】
1.一种高压输入的控制方法,其特征在于,包括:获取当前电路的输入电压瞬时值的最大值;判断所述输入电压瞬时值的最大值是否大于预设阈值;在所述输入电压瞬时值的最大值大于所述预设阈值的情况下,提取对应所述预设阈值的控制策略;依据所述控制策略调节所述电路中的输入电流振荡的运行状态。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断所述输入电压瞬时值的最大值是否大于预设阈值,包括:当所述输入电压瞬时值的最大值大于所述预设阈值时,判定所述电路处于输入电流振荡的运行状态。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述控制策略至少包括:高压提升Bus电压参考基准策略、电感电流方波策略、驱动限值导通策略或高压关驱动策略的情况下,所述提取对应所述预设阈值的控制策略的步骤包括:当所述输入电压瞬时值的最大值大于第一预设阈值时,提取对应所述第一预设阈值的所述高压提升Bus电压参考基准策略;当所述输入电压瞬时值的最大值大于第二预设阈值时,提取对应所述第二预设阈值的所述电感电流方波策略;当所述输入电压瞬时值的最大值大于第三预设阈值时,提取对应所述第三预设阈值的所述驱动限值导通策略;当所述输入电压瞬时值的最大值大于第四预设阈值时,提取对应所述第四预设阈值的所述高压关驱动策略;其中,所述预设阈值包括:所述第一预设阈值、所述第二预设阈值、所述第三预设阈值和所述第四预设阈值,且,所述第一预设阈值、所述第二预设阈值、所述第三预设阈值和所述第四预设阈值为输入电流开始出现振荡时的输入电压最大值。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述依据所述控制策略调节所述电路中的输入电流振荡的运行状态的步骤包括:当所述控制策略为所述高压提升Bus电压参考基准策略时,将所述输入电压瞬时值的最大值与预设固定电压求和,得到Bus电压参考基准;当所述控制策略为所述电感电流方波策略时,将功率因数校正PFC电感电流由恒定导通时间控制的正弦波形切换为恒定电流峰值控制的方波波形,并控制由所述
\t恒定导通时间控制的正弦波形切换至所述恒定电流峰值控制的方波波形时的输出功率相等;当所述控制策略为所述驱动限值导通策略时,在预设周期中,在以输入电压峰值为中心的对称区域里,控制功率因数校正PFC驱动随所述输入电压瞬时值的增大而减小;当所述控制策略为所述高压关驱动策略时,在以输入电压峰值为中心的对称区域里,关闭功率因数校正PFC驱动。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述将所述输入电压瞬时值的最大值与预设固定电压求和,得到Bus电压参考基准之后,还包括:依据Bus电容的额定电压上限,调节所述Bus电压参考基准小于或等于所述额定电压上限,所述额定电压上限为所述Bus电容工作电压的有效值。6.一种高压输入的控制装置,其特征在于,包括:获取模块,用于获取当前电路的输入电压瞬时...
【专利技术属性】
技术研发人员:王静思,杨运东,吴琼,王明金,王鸿,程志荣,
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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