半导体封装制造技术

技术编号:14581508 阅读:158 留言:0更新日期:2017-02-08 11:57
半导体封装。提供一种半导体封装,该半导体封装包括:基板,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;至少一个第一电子装置,其形成于第一表面上并且电连接到基板;第一模制品,其形成于第一表面上以覆盖第一电子装置;第二模制品,其形成为覆盖第二表面;多个第一导电凸块,其形成于第二表面上并且电连接到基板且穿过第二模制品;电磁干扰(EMI)屏蔽层,其形成为围绕基板的表面、第一模制品和第二模制品以与第一导电凸块间隔开;以及多个第二导电凸块,其形成于第二模制品的一个表面上以相应地电连接到多个第一导电凸块。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考/以引用的方式并入本申请参考第10-2015-0159058号韩国专利申请、主张该韩国专利申请的优先权,并且主张该韩国专利申请的权益,该韩国专利申请于2015年11月12日在韩国知识产权局递交并且标题为“半导体封装及其制造方法”,该韩国专利申请的内容在此以引用的方式全文并入本文中。
本技术是关于半导体封装。
技术介绍
当前半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的,举例来说,引起过多的成本、减小的可靠性、不适当的屏蔽、封装大小过大等等。通过比较常规和传统方法与如在本技术的其余部分中参考图式阐述的本技术,所属领域的技术人员将显而易见此类方法的另外的限制和缺点。
技术实现思路
本技术的各个方面提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例,本技术的各个方面提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法,该方法包括在其多个侧面上的屏蔽。附图说明图1是说明根据本技术的实施例的半导体封装的截面图。图2是说明用于制造图1中说明的半导体封装的方法的流程图。图3A到3E是说明用于制造图2中说明的半导体封装的方法的各个步骤的截面图。图4是说明根据本技术的另一实施例的半导体封装的截面图。图5A和5B是说明通过图2中说明的半导体封装制造方法制造图4中说明的半导体封装中的各个步骤的截面图。图6示出了说明在图5A中说明的夹具的结构的平面图和截面图。图7是说明制造根据本技术的另一实施例的图4中说明的半导体封装的方法的流程图。图8A到8C是说明用于制造图7中说明的半导体封装的方法的各个步骤的截面图。具体实施方式以下论述通过提供实例来呈现本技术的各个方面。此类实例是非限制性的,并且由此本技术的各个方面的范围应不必受所提供的实例的任何特定特征限制。在以下论述中,短语“举例来说”、“例如”和“示例性”是非限制性的且通常与“借助于实例而非限制”“举例来说且非限制”等等同义。如本文中所使用,“和/或”意指通过“和/或”联结的列表中的项目中的任何一个或多个。作为一个实例,“x和/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装,其特征在于,包括:基板,其具有顶部基板表面、底部基板表面和多个横向基板表面;第一电子装置,其位于所述顶部基板表面上并且电连接到所述基板;第一模制品,其至少覆盖所述顶部基板表面和所述第一电子装置,所述第一模制品具有顶部第一模制品表面、底部第一模制品表面和多个横向第一模制品表面;第二模制品,其至少覆盖所述底部基板表面,所述第二模制品具有顶部第二模制品表面、底部第二模制品表面和多个横向第二模制品表面;多个第一导电凸块,其位于所述底部基板表面上、电连接到所述基板并且穿过所述第二模制品;电磁干扰屏蔽层,其至少覆盖所述顶部第一模制品表面、所述横向第一模制品表面、所述横向基板表面和所述横向第二模制品表面,其中所述电磁干扰屏蔽层与所述第一导电凸块间隔开;以及多个第二导电凸块,其位于所述底部第二模制品表面上,所述多个第二导电凸块的每一个电连接到所述第一导电凸块中的相应一个。

【技术特征摘要】
2015.11.12 KR 1020150159058;2016.05.08 US 15/149,11.一种半导体封装,其特征在于,包括:基板,其具有顶部基板表面、底部基板表面和多个横向基板表面;第一电子装置,其位于所述顶部基板表面上并且电连接到所述基板;第一模制品,其至少覆盖所述顶部基板表面和所述第一电子装置,所述第一模制品具有顶部第一模制品表面、底部第一模制品表面和多个横向第一模制品表面;第二模制品,其至少覆盖所述底部基板表面,所述第二模制品具有顶部第二模制品表面、底部第二模制品表面和多个横向第二模制品表面;多个第一导电凸块,其位于所述底部基板表面上、电连接到所述基板并且穿过所述第二模制品;电磁干扰屏蔽层,其至少覆盖所述顶部第一模制品表面、所述横向第一模制品表面、所述横向基板表面和所述横向第二模制品表面,其中所述电磁干扰屏蔽层与所述第一导电凸块间隔开;以及多个第二导电凸块,其位于所述底部第二模制品表面上,所述多个第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员:李杰恩李英宇崔美京金锦雄
申请(专利权)人:艾马克科技公司
类型:新型
国别省市:美国;US

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