【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造业
,具体的说是一种无源单片高Q电感的隔离层结构。
技术介绍
GaAs是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中最重要、用途最广的半导体材料。GaAs中的电子迁移率是硅(Si)中电子迁移率的6倍,其电子峰值漂移速度是Si的2倍。GaAs器件具有高频、高速、低功耗、噪声小、可单片集成的特点。随着人们对高频电子器件的需求越来越迫切,提高和改善无源器件,尤其是电感的高频性能已成为国内外学者的研究重点。同时,由于要符合大规模集成电路的高集成度、低成本的发展要求,导致片上无源微电感的大量应用:片上无源微电感和微电容不仅可与片上电路相集成,而且要能显著降低其在芯片上的所占面积,从而达到电路高度集成的目的。在单片微波集成电路(MMIC)中,尤其是放大器应用中,急需高Q值的电感。电感的Q值是衡量电感器件的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比,电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。以GaAs低噪放为例,第一级电路中所用的电感,将直接作为插入损耗,恶化整个放大器的噪声系数,高Q值的电感将直接减小插损,优化放大器的噪声系数。因此,片内提高Q值,一直是人们的研究热点之一。一般来说,较大的介电常数意味着较大的介电损耗,介电损耗的大小直接影响电感的Q值。当前,在无源器件工艺中,一般采用SiN作为隔离层,主要是由于SiN性能稳定,不易变质,防潮性好,硬度高,具有较高的机械强度,但介电常数为6~8,影响了片内电感Q值的改善。另一方面,随着PBO(聚对苯撑苯并二恶唑)的日渐成熟,逐步应用到集成电路中,如作为芯片介质桥等,PBO介电 ...
【技术保护点】
一种无源单片高Q电感的隔离层结构,其特征在于:包括衬底、SiN层、PBO层,所述衬底上设有SiN层,SiN层上开设有多个电感区域,所述电感区域内均设有PBO层,所述SiN层与PBO层厚相同。
【技术特征摘要】
1.一种无源单片高Q电感的隔离层结构,其特征在于:包括衬底、SiN层、PBO层,所述衬底上设有SiN层,SiN层上开设有多个电感区域,所述电感区域内均设有PBO层,所述SiN层与PBO层厚相同。2.根据权利要求1所述的一种无源单片高Q电感的隔离层结构,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈一峰,陈汝钦,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。