一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。本发明专利技术是将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层，以此来减弱量子点发光层所处的电场强度，在减少电子和空穴注入势垒的同时提高了电子空穴的复合几率，进而有效的提高QLED器件的效率与寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点发光二极管
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光量子点由于其荧光强度高，色纯度好等优点，有望成为下一代新型显示材料。在对红绿蓝三色电致发光量子点的相关参数进行评价时都是基于QLED器件来完成的，直接的评价参数有亮度、电流效率、外量子效率。然而，对于QLED器件本身而言，影响这些参数的最直接因素是电子（e-）与空穴（h+）在发光层的注入是否平衡，如电子（e-）与空穴（h+）的复合几率，电子（e-）与空穴（h+）的注入势垒。在QLED器件当中，研究工作者为了降低电子与空穴的注入势垒以及电子与空穴的复合率，主要是对电子传输层和空穴传输层进行优化，如利用氧化镍（NiO），氧化钼（MoO3），氧化钨（WO3）等来代替聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）来降低空穴的注入势垒，进而有效提高电子空穴的注入平衡以及复合几率；利用纳米的ZnO，TiO2等氧化物来优化电子传输层，提高电子注入率，进而有效提高电子空穴复合几率。还有就是利用一些交联剂，如氨基酸（COOH-CH2-NH3）、乙醇胺（HO-CH2-NH3）、乙二胺（NH3-CH2-NH3）、乙二醇（HO-CH2-CH2-OH）、十八烷基三氯硅烷（ODTS）等的小分子对量子点固态膜或量子点层与传输层的界面之间进行修饰处理，使量子点固态膜实现交联，或使量子点膜与传输层的界面层之间实现交联，以此来优化不同功能层与界面的势垒高度，进而来优化电子与空穴的注入平衡。然而，在QLED器件中，针对量子点层所处电场的优化目前很少。总所周知，对于QLED器件而言，起亮电压越低相应的器件寿命会较长，随着开路电压逐渐升高，相应的外量子点效率达到最高时其相应的电压也较高。当器件的效率最高时，此时器件内量子点发光层所处的电场相对于起亮电压也增大，这进一步增加了电子和空穴的注入势垒，同时也降低了电子与空穴的复合率，影响器件的寿命和效率。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有器件的效率高时，器件起亮电压增大，导致电子和空穴的注入势垒增加，同时电子与空穴的复合率也降低的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点为核壳量子点，所述核壳量子点的核为CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、PbSeS、InP、GaP、CuInS、CuGaS中的一种，所述核壳量子点的壳为ZnS、ZnSe、CdS中的一种或几种。所述的量子点发光二极管，其中，所述无定型绝缘化合物为无机绝缘化合物或有机绝缘化合物，所述无机绝缘化合物为As2S3、SiO2、B2O3中的一种或多种，所述有机绝缘化合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚α-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸亚丙酯、聚苯乙烯中的一种或多种。所述的量子点发光二极管，其中，所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底，所述柔性衬底为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚苯乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚乙烯醇膜中的一种。所述的量子点发光二极管，其中，所述阳极为铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、铝掺氧化锌、镓掺氧化锌、镉掺氧化锌、铜铟氧化物、氧化锡、氧化锆、石墨烯、纳米碳管、镍、金、铂和钯组成的组中的一种或多种。所述的量子点发光二极管，其中，所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化铬、氧化钒、p型氮化镓、MoS2、WS2、WSe2、MoSe2、自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]、聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-（4,4'-（N-（4-仲丁基苯基）二苯胺）]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-双-（1-萘基）-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的至少两种。所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输层的材料为ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3中的一种。所述的量子点发光二极管，其中，所述阴极的材料为Al、LiF/Al、Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ag、Ca/Ag、BaF2、BaF2/Al、BaF2/Ag、BaF2/Ca/Al、BaF2/Ca、Ag、Mg、CsF/Al、CsCO3/Al中的一种或多种。一种如上任一所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：A、在衬底上制备阳极；B、然后在阳极上制备空穴传输层；C、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物;D、最后在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，形成量子点发光二极管。所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，含有量子点与无定型绝缘化合物的制备步骤包括：首先取无定型绝缘化合物溶于溶剂中，加热搅拌至完全溶解，得到无定型绝缘化合物的溶液；然后抽取量子点的溶液添加到无定型绝缘化合物的溶液中，搅拌均匀，备用。有益效果：本专利技术是将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层，利用这种方法来减弱量子点发光层所处的电场强度，进而有效提高电子和空穴的复合几率。附图说明图1为本专利技术的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。图2为本专利技术的一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底（图中未示出）、阳极1、空穴传输层2、量子点发光层3、电子传输层4及阴极5；其中，所述量子点发光层3的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。本专利技术所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。即将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层，以此来减弱量子点发光层所处的电场强度，在减少电子和空穴注入势垒的同时提高了电子空穴的复合几率，进而有效的提高QLED器件的效率与寿命。本专利技术所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物，即是将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层。具体地，配置该溶液时，以占溶液总质量计，所述无定型绝缘化合物的浓度为10~本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点为核壳量子点，所述核壳量子点的核为CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、PbSeS、InP、GaP、CuInS、CuGaS中的一种或几种，所述核壳量子点的壳为ZnS、ZnSe、CdS中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述无定型绝缘化合物为无机绝缘化合物或有机绝缘化合物，所述无机绝缘化合物为As2S3、SiO2、B2O3中的一种或多种，所述有机绝缘化合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚α-甲基苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸亚丙酯、聚苯乙烯中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底，所述柔性衬底为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚苯乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚乙烯醇膜中的一种。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、铝掺氧化锌、镓掺氧化锌、镉掺氧化锌、铜铟氧化物、氧化锡、氧化锆、石墨烯、纳米碳管、镍、金、铂和钯组成的组中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、氧化钼、氧化铬、氧化钒、p型氮化镓、MoS2、WS2、WSe2、MoSe2、自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]、聚[...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44