超低功率光接收终端电路制造技术

本实用新型专利技术公开了超低功率光接收终端电路，包括电阻R1、电阻R15、电阻R16、接地电容C1、光敏二极管D1、变压器T和电感L1。本实用新型专利技术超低功率光接收终端电路采用分立元件设计，除了实现阻抗匹配，还降低了杂散电容和前置放大器输入电容的影响，实现了光接收终端与RF前置放大电路的阻抗匹配连接，采用铁氧体磁环变压器T进行精确阻抗匹配，防止干扰，实现了灵敏度高、频带宽、功率超低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种接收终端，具体是超低功率光接收终端电路。
技术介绍
随着电子科技的不断发展，数据传输已经不仅仅局限于传统的有线传输和电磁波传输，更加倾向于研究光信息传输技术，光信息传输技术可靠地实现信息传输容量和传输距离的最大化。但是载波调制的频带宽度决定了通信系统的传输容量，频带宽度是随着载波频率的增高而变宽。在通信技术发展的过程中，载波频率不断地提高，同时传输容量也不断增加。所有的模拟接收机的设计都必须有好的线性特性，无论数字接收机还是模拟光接收机，影响其主要性能的部件都是前端接收部分，接收终端决定光接收机的性能的优劣，也决定光接收机的整机档次。现有的光接收终端中普遍存对光信息的射频功率要求过高，从而导致收光功率高，原因是光信息接收终端的可识别频谱范围窄，没有补偿措施，且易受干扰，从而阻碍了光信息传输技术的发展，而且一般光接收机的阻抗都很高，需经阻抗匹配电路与前置放大器级联，才能获得好的噪声性能和相对较低的功率消耗。
技术实现思路
本技术的目的在于提供超低功率光接收终端电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：超低功率光接收终端电路，包括电阻R1、电阻R15、电阻R16、接地电容C1、光敏二极管D1、变压器T和电感L1，所述接地电容分别连接电源VCC、电阻R1、电阻R15和电阻R16，电阻R1另一端分别连接接地电容C8、接地电阻R3和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C2和光敏二极管D1负极，光敏二极管D1正极分别连接接地电阻R4、电阻R5和变压器T线圈L1，电阻R5另一端连接接地电容C7，所述变压器T线圈L1另一端分别连接电容C2另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电阻R6、电阻R7、电容C3和三极管VT1基极，三极管VT1集电极分别连接电感L3和电阻R8，电阻R8另一端分别连接电阻R7另一端和电容C3另一端，所述三极管VT1发射极分别连接电阻R9、电阻R10和电容C4，电阻R9另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R11和电阻R12，所述电阻R10另一端分别连接电阻R11另一端、电容C4另一端和三极管VT2集电极，三极管VT2基极分别连接电阻R12另一端、电阻R14、电容C6和变压器T线圈L2另一端，电容C6另一端分别连接电阻R14另一端和电阻R13，电阻R13另一端分别连接三极管VT2发射极和电感L4，电感L4另一端分别连接电感L3另一端、电容C5、电阻R15另一端和电阻R16另一端，电容C5另一端连接微波管。作为本技术再进一步的方案：所述变压器T采用铁氧体磁环绕制而成。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术超低功率光接收终端电路采用分立元件设计，除了实现阻抗匹配，还降低了杂散电容和前置放大器输入电容的影响，实现了光接收终端与RF前置放大电路的阻抗匹配连接，采用铁氧体磁环变压器T进行精确阻抗匹配，防止干扰，实现了灵敏度高、频带宽、功率超低的优点。附图说明图1为超低功率光接收终端电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，超低功率光接收终端电路，包括电阻R1、电阻R15、电阻R16、接地电容C1、光敏二极管D1、变压器T和电感L1，接地电容分别连接电源VCC、电阻R1、电阻R15和电阻R16，电阻R1另一端分别连接接地电容C8、接地电阻R3和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C2和光敏二极管D1负极，光敏二极管D1正极分别连接接地电阻R4、电阻R5和变压器T线圈L1，电阻R5另一端连接接地电容C7，变压器T线圈L1另一端分别连接电容C2另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电阻R6、电阻R7、电容C3和三极管VT1基极，三极管VT1集电极分别连接电感L3和电阻R8，电阻R8另一端分别连接电阻R7另一端和电容C3另一端，三极管VT1发射极分别连接电阻R9、电阻R10和电容C4，电阻R9另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R11和电阻R12，电阻R10另一端分别连接电阻R11另一端、电容C4另一端和三极管VT2集电极，三极管VT2基极分别连接电阻R12另一端、电阻R14、电容C6和变压器T线圈L2另一端，电容C6另一端分别连接电阻R14另一端和电阻R13，电阻R13另一端分别连接三极管VT2发射极和电感L4，电感L4另一端分别连接电感L3另一端、电容C5、电阻R15另一端和电阻R16另一端，电容C5另一端连接微波管。变压器T采用铁氧体磁环绕制而成。本技术的工作原理是：一般光接收机的阻抗都很高，需经阻抗匹配电路与前置放大器级联，才能获得好的噪声性能和相对较低的功率消耗，本技术除了实现阻抗匹配，还采用电容C1和电容C8降低杂散电容和前置放大器输入电容的影响，为了实现光接收接与RF前置放大电路的阻抗匹配连接，采用铁氧体磁环变压器T进行精确阻抗匹配，这样可以使其具有灵敏度高、载噪比高、频带宽、功率超低的优点，而且采用电感L3、电感L4、三极管VT1和三极管VT2，还对光电转换接收组件光敏二极管D1、电阻R2等的输出电平、输出阻抗产生有利影响，实现给微波管供电，采用电阻R15和电阻R16进行隔离，避免了输出端交流对直流电源产生影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】
超低功率光接收终端电路，包括电阻R1、电阻R15、电阻R16、接地电容C1、光敏二极管D1、变压器T和电感L1，其特征在于，所述接地电容分别连接电源VCC、电阻R1、电阻R15和电阻R16，电阻R1另一端分别连接接地电容C8、接地电阻R3和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电容C2和光敏二极管D1负极，光敏二极管D1正极分别连接接地电阻R4、电阻R5和变压器T线圈L1，电阻R5另一端连接接地电容C7，所述变压器T线圈L1另一端分别连接电容C2另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电阻R6、电阻R7、电容C3和三极管VT1基极，三极管VT1集电极分别连接电感L3和电阻R8，电阻R8另一端分别连接电阻R7另一端和电容C3另一端，所述三极管VT1发射极分别连接电阻R9、电阻R10和电容C4，电阻R9另一端分别连接电阻R6另一端、电阻R11和电阻R12，所述电阻R10另一端分别连接电阻R11另一端、电容C4另一端和三极管VT2集电极，三极管VT2基极分别连接电阻R12另一端、电阻R14、电容C6和变压器T线圈L2另一端，电容C6另一端分别连接电阻R14另一端和电阻R13，电阻R13另一端分另连接三极管VT2发射极和电感L4，电感L4另一端分别连接电感L3另一端、电容C5、电阻R15另一端和电阻R16另一端，电容C5另一端连接微波管。...

【技术特征摘要】
1.超低功率光接收终端电路，包括电阻R1、电阻R15、电阻R16、接地电容C1、光敏
二极管D1、变压器T和电感L1，其特征在于，所述接地电容分别连接电源VCC、电阻R1、
电阻R15和电阻R16，电阻R1另一端分别连接接地电容C8、接地电阻R3和电阻R2，电阻
R2另一端分别连接电容C2和光敏二极管D1负极，光敏二极管D1正极分别连接接地电阻
R4、电阻R5和变压器T线圈L1，电阻R5另一端连接接地电容C7，所述变压器T线圈L1
另一端分别连接电容C2另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电阻R6、电阻R7、电容
C3和三极管VT1基极，三极管VT1集电极分别连接电感L3和电阻R8，电阻R8另一端分
别连接电阻R7另一端和电容C3另...

【专利技术属性】
技术研发人员：董朝阳，熊绍军，赵文彬，
申请(专利权)人：武汉隆瑞信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42