本实用新型专利技术公开了一种超高亮度白光LED芯片，涉及LED产品领域，包括LED发光本体、衬底和表面荧光体层，所述LED发光本体包括从上至下依次层叠设置的第二电极、N型层、发光层、P型层和第一电极，所述衬底设于LED发光本体下部，所述表面荧光体层设于LED发光本体上部，所述LED发光本体和衬底之间还设有金属反射层，所述衬底下部设有导电层，该种超高亮度白光LED芯片将表面荧光体层直接设置在发光本体上，LED发光色温较为一致，生产效率较高，值得推广。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED产品领域，具体涉及一种超高亮度白光LED芯片。
技术介绍
在现有技术中，采用在具有激发紫外光的发光元件上涂覆硅胶与荧光粉的混合体获得白光，采用此方法实现白光LED，由于荧光粉的沉降速度不一致使得荧光层的浓度不均匀，导致光线通过荧光层时，颜色和亮度会出现很大的偏差，整体亮度也会受到很大影响，且容易出现光斑。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超高亮度白光LED芯片，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。一种超高亮度白光LED芯片，包括LED发光本体、衬底和表面荧光体层，所述LED发光本体包括从上至下依次层叠设置的第二电极、N型层、发光层、P型层和第一电极，所述衬底设于LED发光本体下部，所述表面荧光体层设于LED发光本体上部，所述LED发光本体和衬底之间还设有金属反射层，所述衬底下部设有导电层。优选的，所述发光层为激发紫外光的多量子阱有源层。优选的，所述衬底由蓝宝石制成，所述N型层和P形层为氮化物半导体材料。优选的，所述表面荧光体层在所述第二电极处具有开口。优选的，所述第二电极的侧面的还设有侧面荧光体层，所述表面荧光体层和侧面荧光体层的厚度均为10μm-80μm。本技术的有益效果：该种超高亮度白光LED芯片，通过该种结构设计，在发光本体上形成表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片，同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率，同样使得LED的亮度大幅度增加，所述发光层为激发紫外光的多量子阱有源层，通过发光层激发紫外光，经过N型层和P型层，透过表面荧光体层产生白光，所述衬底为材质较好的蓝宝石，所述N型层和P形层为氮化物半导体材料，所选材料可以很好地处理由发光层产生的紫外光，提高产生白光的浓度和颜色的均匀性，所述表面荧光体层在所述第二电极上具有开口，这种结构可以方便设置于表面荧光体层下部的第二电极的电性引出，有利于后期操作，所述第二电极的侧面的还设有侧面荧光体层，所述表面荧光体层和侧面荧光体层的厚度为10μm-80μm，发光层在侧面发光时，为了防止光线溢出形成光斑，同样需要在侧面设置荧光层，整个LED芯片的表面荧光体层也需要保证厚度。附图说明图1为本技术所述的一种超高亮度白光LED芯片的结构示意图。图2为本技术所述的一种超高亮度白光LED芯片的LED发光本体部分的结构示意图。其中：1—第一电极，2—P型层，3—发光层，4—N型层，5—第二电极，6—表面荧光体层，7—金属反射层，8—衬底，9—导电层，10—侧面荧光体层。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。如图1和图2所示，一种超高亮度白光LED芯片，包括LED发光本体、衬底8和表面荧光体层6，所述LED发光本体包括从上至下依次层叠设置的第二电极5、N型层4、发光层3、P型层2和第一电极1，所述衬底8设于LED发光本体下部，所述表面荧光体层6设于LED发光本体上部，所述LED发光本体和衬底8之间还设有金属反射层7，所述衬底下部设有导电层9。该种超高亮度白光LED芯片，通过该种结构设计，在发光本体上形成表面荧光体层6，所述表面荧光体层6为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片，同时表面荧光体层6直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率，同样使得LED的亮度大幅度增加。在本实施例中，所述发光层3为激发紫外光的多量子阱有源层，通过发光层3激发紫外光，经过N型层4和P型层2，透过表面荧光体层6产生白光，所述衬底8所述由蓝宝石制成，所述N型层4和P形层2为氮化物半导体材料，所选材料可以很好地处理由发光层3产生的紫外光，提高产生白光的浓度和颜色的均匀性，所述表面荧光体层6在所述第二电极5处具有开口，这种结构可以方便设置于表面荧光体层6下部的第二电极5的电性引出，有利于后期操作，所述第二电极5的侧面的还设有侧面荧光体层10，所述表面荧光体层和侧面荧光体层10的厚度均为10μm-80μm，发光层3在侧面发光时，为了防止光线溢出形成光斑，同样需要在侧面设置荧光层，整个LED芯片的表面荧光体层6也需要保证厚度。基于上述，本技术通过该种结构设计，在发光本体上形成表面荧光体层，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，形成色温一致的白光LED芯片，同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率，值得推广。由技术常识可知，本技术可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本技术范围内或在等同于本技术的范围内的改变均被本技术包含。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超高亮度白光LED芯片，其特征在于，包括LED发光本体、衬底和表面荧光体层，所述LED发光本体包括从上至下依次层叠设置的第二电极、N型层、发光层、P型层和第一电极，所述衬底设于LED发光本体下部，所述表面荧光体层设于LED发光本体上部，所述LED发光本体和衬底之间还设有金属反射层，所述衬底下部设有导电层。
【技术特征摘要】
1.一种超高亮度白光LED芯片，其特征在于，包括LED发光本
体、衬底和表面荧光体层，所述LED发光本体包括从上至下依次层叠
设置的第二电极、N型层、发光层、P型层和第一电极，所述衬底设
于LED发光本体下部，所述表面荧光体层设于LED发光本体上部，所
述LED发光本体和衬底之间还设有金属反射层，所述衬底下部设有导
电层。
2.根据权利要求1所述的一种超高亮度白光LED芯片，其特征
在于：所述发光层为激发紫外光的多量子阱有...
【专利技术属性】
技术研发人员：方文发，杨全松，广旭，
申请(专利权)人：安徽科发信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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