一种光波分复用/解复用的封装组件制造技术

本实用新型专利技术涉及光通信领域，提出了一种光波分复用/解复用的封装组件，组件包括金属壳体、波分复用/解复用组件、光纤组件、直流过渡块、射频过渡块和PD阵列芯片，具体的：波分复用/解复用组件、直流过渡块、射频过渡块和PD阵列芯片设置在金属管壳内；直流过渡块与射频过渡块以相对于金属壳体底面以前后关系连接；光纤组件设与金属管壳的外壁上，并与波分复用/解复用组件连通；PD阵列芯片与射频过渡块通过溅射有金锡焊料实现贴合，其中，射频过渡块和PD阵列芯片相对于金属壳体底面以垂直方式固定。本实用新型专利技术实施例所述光波分复用/解复用的组件结构可有效的减小封装空间，使得产品微型化。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通信领域，尤其涉及一种光波分复用/解复用的封装组件。
技术介绍
光子集成是近年来光通信产业的热门话题之一，是多年来业界公认的未来发展方向。但是光子集成技术提出30多年来，从业界的商用情况看整体仍旧处于初级阶段，还没有达到规模商用的条件，究其原因还是受制于光子集成技术本身的限制和供应链的单一、不成熟性。光子集成按照实现集成的技术方式分类，可以分为单片集成(MonolithicIntegration)和混合集成(HybriDIntegration)。其中单片集成指的是在单一衬底上实现预期的各种功能。混合集成指采用不同的材料实现，而后将这些不同的功能部件固定在一个统一的基片上。一般来讲，水平集成比较适合采用单片集成方式，垂直集成比较适合采用混合集成方式。由于数据中心业务的飞速发展，光器件也在往小型化封装、高集成度上发展。这对器件小型化封装提出了更高的要求。过长或者过细的金丝都与导致电感效应，引入较多的寄生参数，影响整个阵列的高频性能。并且高度集成阵列芯片所引起的散热问题以及耦合效率的问题也难以解决。现有的CWDM/LAN-WDM波分复用光接收组件光路结构多采用滤光片实现波分解复用的空间光学结构，其结构复杂，封装难度大，其光路如下：光进入输入端口后，被第一透镜准直聚焦，进入滤光片组，在滤光片组内多次来回反射滤波实现波长解复用，然后再经过第二透镜组，聚焦到光探测器上。在实际封装过程中首先要把单个滤光片单元按一定顺序精准地组合成一个多通道滤光片组，然后再实现光输入端口、至少两个透镜组、多通道滤光片组以及探测器之间的光路耦合，不仅耦合封装难度极大而且容易造成通道之间光程的部均匀性，特别针对最后一个通道λ4通道，由于光经过多次反射进入，指标明显有劣化。这不仅与光器件小型化、集成化的发展方向相反，更重要的是让器件整体性能大打折扣。本技术的内容本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种光波分复用/解复用的封装组件。本技术是这样实现的：本技术提供一种光波分复用/解复用的封装组件，所述组件包括金属壳体1、波分复用/解复用组件2、光纤组件3、直流过渡块4、射频过渡块5和PD阵列芯片6，具体的：所述波分复用/解复用组件2、直流过渡块4、所述射频过渡块5和所述PD阵列芯片6设置在所述金属管壳1内；所述直流过渡块4与所述射频过渡块5以相对于金属壳体底面以前后关系连接；所述光纤组件3设与金属管壳的外壁上，并与所述波分复用/解复用组件2连通；所述PD阵列芯片6与射频过渡块5通过溅射有金锡焊料实现贴合，其中，所述射频过渡块和所述PD阵列芯片相对于金属壳体底面以垂直方式固定。优选的，所述射频过渡块5上用于和所述PD阵列芯片6贴合的面，以及用于和直流过渡块4贴合的面均镀金。优选的，所述射频过渡块5和所述直流过渡块4的外壳均采用氮化铝材料。优选的，所述PD阵列芯片6金属管壳1对应管脚之间采用金丝键合的方式进行连接。优选的，所述射频过渡块上用于镀金的面上设有至少一个凹形槽。优选的，所述PD阵列芯片的封装结构还包括热沉的钨铜，所述热沉的钨铜设于所述金属管壳底面上，所述钨铜上方固定有直流过度块4和波分复用/解复用组件2。优选的，所述直流过度块4和波分复用/解复用组件2均采用紫外胶粘接技术固定于钨铜热沉上。优选的，所述PDarray芯片6和波分复用/解复用组件2之间采用无源对准技术由钨铜热沉方式固定。本技术实施例通过利用PD阵列芯片和射频过渡块上下层设置，并采用平面光波导芯片实现波分复用/解复用功能，PD芯片与波分复用/采用无源耦合技术，不仅有效的减小封装空间，使得产品微型化，更增加了整体光路的稳定性，降低了产品的封装难度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的一种光波分复用/解复用的封装组件的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种射频过渡块和PD阵列芯片构成的组件示意图；图3为本技术实施例提供的一种PD阵列芯片和光波分复用/解复用芯片的组装结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种光波分复用/解复用的封装组件的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术用中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术型保护的范围。实施例一：如图1-图2，本技术实施例提供一种光波分复用/解复用的封装组件，所述组件包括金属壳体1、波分复用/解复用组件2、光纤组件3、直流过渡块4、射频过渡块5和PD阵列芯片6，具体的：所述波分复用/解复用组件2、直流过渡块4、所述射频过渡块5和所述PD阵列芯片6设置在所述金属管壳1内；所述直流过渡块4与所述射频过渡块5以相对于金属壳体底面以前后关系连接；所述光纤组件3设与金属管壳的外壁上，并与所述波分复用/解复用组件2连通；所述PD阵列芯片6与射频过渡块5通过溅射有金锡焊料实现贴合，其中，所述射频过渡块和所述PD阵列芯片相对于金属壳体底面以垂直方式固定。本技术实施例通过利用PD阵列芯片和射频过渡块上下层设置，并由平放式转换成垂直式放置，所述光波分复用/解复用的组件结构可有效的减小封装空间，使得产品微型化。结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中，所述射频过渡块5上用于和所述PD阵列芯片6贴合的面，以及用于和直流过渡块4贴合的面均镀金。上述镀金连接方式可以改善PD阵列芯片6的散热。在具体使用环境中，所述射频过渡块5为所述PD阵列芯片6提供偏置电压和高频调制信号。结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中，所述射频过渡块5和所述直流过渡块4的外壳均采用氮化铝材料。结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中，所述PD阵列芯片6金属管壳1对应管脚之间采用金丝键合的方式进行连接。结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中，所述射频过渡块上用于镀金的面上设有至少一个凹形槽。结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中，所述PD阵列芯片的封装结构还包括热沉的钨铜，所述热沉的钨铜设于所述金属管壳底面上，所述钨铜上方固定有直流过度块4和波分复用/解复用组件2，所述的PD阵列(array)芯片(6)和波分复用/解复用组件(2)采用无源对准技术由钨铜热沉方式固定,结合本技术实施例，存在一种优选的实现方案，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光波分复用/解复用的封装组件，其特征在于，组件包括金属壳体(1)、波分复用/解复用组件(2)、光纤组件(3)、直流过渡块(4)、射频过渡块(5)和PD阵列芯片(6)，具体的：所述波分复用/解复用组件(2)、直流过渡块(4)、所述射频过渡块(5)和所述PD阵列芯片(6)设置在所述金属管壳(1)内；所述直流过渡块(4)与所述射频过渡块(5)以相对于金属壳体底面以前后关系连接；所述光纤组件(3)设与金属管壳的外壁上，并与所述波分复用/解复用组件(2)连通；所述PD阵列芯片(6)与射频过渡块(5)通过溅射有金锡焊料实现贴合，其中，所述射频过渡块和所述PD阵列芯片相对于金属壳体底面以垂直方式固定。

【技术特征摘要】
1.一种光波分复用/解复用的封装组件，其特征在于，组件包括金属壳体(1)、波分复用/解复用组件(2)、光纤组件(3)、直流过渡块(4)、射频过渡块(5)和PD阵列芯片(6)，具体的：
所述波分复用/解复用组件(2)、直流过渡块(4)、所述射频过渡块(5)和所述PD阵列芯片(6)设置在所述金属管壳(1)内；
所述直流过渡块(4)与所述射频过渡块(5)以相对于金属壳体底面以前后关系连接；
所述光纤组件(3)设与金属管壳的外壁上，并与所述波分复用/解复用组件(2)连通；所述PD阵列芯片(6)与射频过渡块(5)通过溅射有金锡焊料实现贴合，其中，所述射频过渡块和所述PD阵列芯片相对于金属壳体底面以垂直方式固定。
2.根据权利要求1所述的光波分复用/解复用的封装组件，其特征在于：所述射频过渡块(5)上用于和所述PD阵列芯片(6)贴合的面，以及用于和直流过渡块(4)贴合的面均镀金。
3.根据权利要求1或2所述的光波分复用/解复用的封装组件，其特征在于，所述射频过渡...

【专利技术属性】
技术研发人员：成璇璇，董旭光，翟宇佳，朱虎，李凤，马卫东，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42