【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器电路
,特别是涉及一种灵敏放大器以及存储器。
技术介绍
静态随机存取存储器(SRAM,StaticRandomAccessMemory)嵌入到几乎所有的大规模集成电路中,并且在要求高速、高集成度、低功耗、低电压、低成本、短周期的应用中起到了关键性的作用。SRAM可包括不同数目的晶体管,并经常根据晶体管的数目而命名,例如,6晶体管(6-T)SRAM、8晶体管(8-T)SRAM等等。SRAM主要包括存储阵列和外围辅助电路两部分。存储阵列是SRAM的核心组成部分,起着存储数据的作用;存储阵列的结构相对固定,性能一般由集成电路制造工艺水平决定。外围辅助电路包括灵敏放大器(SA,SenseAmplifier)、译码电路、输入输出电路、时序产生电路等等。其中,灵敏放大器是外围辅助电路的一个重要组成部分,灵敏放大器性能的优劣对SRAM的速度等性能的提升有重要影响。在现有技术中,灵敏放大器感应位线(bit-line)上的小信号变化并通过放大所述小信号变化来得到存储阵列中存储单元上储存的数据。然而,采用现有技术的灵敏放大器,存储单元很容易受干扰。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种灵敏放大器以及存储器,有利于减小存储单元间的干扰。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种灵敏放大器,包括:控制单元,接收一输入信号和一时钟信号,在所述时钟信号为高电位时,所述控制单元输出一与 ...
【技术保护点】
一种灵敏放大器,包括:控制单元,接收一输入信号和一时钟信号,在所述时钟信号为高电位时,所述控制单元输出一与所述输入信号相同的控制信号,在所述时钟信号为低电位时,所述控制单元不输出所述控制信号;变换器,将所述控制信号转换为相反的反相控制信号;第一电流镜单元,所述第一电流镜单元的输入端连接一第一参考节点,所述第一电流镜单元的输出端连接一第一输出节点;第一分压单元,接收所述控制信号,在所述控制信号为高电位时,拉低所述第一输出节点的电压;第二分压单元,接收所述反相控制信号,在所述反相控制信号为低电位时,所述第一参考节点充电;第二电流镜单元,所述第二电流镜单元的输入端连接一第二参考节点,所述第二电流镜单元的输出端连接一第二输出节点;第三分压单元,接收所述控制信号,在所述控制信号为高电位时,拉低所述第二输出节点的电压;以及第四分压单元,接收所述反相控制信号,在所述反相控制信号为低电位时,所述第二参考节点充电。
【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器,包括:
控制单元,接收一输入信号和一时钟信号,在所述时钟信号为高电位时,
所述控制单元输出一与所述输入信号相同的控制信号,在所述时钟信号为低电
位时,所述控制单元不输出所述控制信号;
变换器,将所述控制信号转换为相反的反相控制信号;
第一电流镜单元,所述第一电流镜单元的输入端连接一第一参考节点,所
述第一电流镜单元的输出端连接一第一输出节点;
第一分压单元,接收所述控制信号,在所述控制信号为高电位时,拉低所
述第一输出节点的电压;
第二分压单元,接收所述反相控制信号,在所述反相控制信号为低电位时,
所述第一参考节点充电;
第二电流镜单元,所述第二电流镜单元的输入端连接一第二参考节点,所
述第二电流镜单元的输出端连接一第二输出节点;
第三分压单元,接收所述控制信号,在所述控制信号为高电位时,拉低所
述第二输出节点的电压;以及
第四分压单元,接收所述反相控制信号,在所述反相控制信号为低电位时,
所述第二参考节点充电。
2.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括:
第一预充电单元,接收所述时钟信号,在所述时钟信号为低电位时,所述
第一预充电单元对所述第一输出节点充电;以及
第二预充电单元,接收所述时钟信号,在所述时钟信号为低电位时,所述
第二预充电单元对所述第二输出节点充电。
3.如权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一预充电单元包
括一第一PMOS管,所述第一PMOS管的栅极接收所述时钟信号,所述第一
PMOS管的源极接工作电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一输出节点。
4.如权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二预充电单元包
括一第二PMOS管,所述第二PMOS管的栅极接收所述时钟信号,所述第二
PMOS管的源极接工作电压,所述第二PMOS管的漏极连接所述第二输出节点。
5.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一电流源单元包
括一第三PMOS管和一第四PMOS管,所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅
极相连后,连接所述第一参考节点,所述第三PMOS管的源极接工作电压,所
述第三PMOS管的漏极连接所述第一输出节点,所述第四PMOS管的源极接工
作电压,所述第四PMOS管的漏极连接所述第一参考节点。
6.如权利要求5所述的灵敏放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员:仲纪者,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。