一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆制造技术

本发明专利技术公开了一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，包括基材、连接两种分离材料的粘合剂、用来传输电信号的导体、隔离导体的内绝缘层、屏蔽辐射干扰的屏蔽层及包裹在最外层的外绝缘层，所述的导体从上到下依次包括横截面为薄片状的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述的第一导电层与屏蔽层连接，所述的第三导电层与内绝缘层连接。本发明专利技术通过三层导体之间形成的等效电容，实现了抗干扰的技术效果，仿FPC的结构设计，实现了真正意义上的电缆扁平化，同时通过外绝缘层隔离电线防止人们触电受伤，通过屏蔽层屏蔽辐射干扰，通过加强部件实现抗拉，使得该电缆相较于以往的扁平电缆来说，体积更小，厚度更薄，抗干扰能力和屏蔽能力更强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电线电缆领域，尤其涉及一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆。
技术介绍
电缆是由几根或几组导线绞合而成，每组导线之间相互绝缘，并常围绕着一根中心扭成，整个外面包有高度绝缘的覆盖层，使得电缆具有内通电、外绝缘的特征。在日常使用当中，我们会经常使用到三插电源线，其三个插头分别连接火线L、零线N和地线PE，零线认为是三相电的中线，零线与火线之间的干扰叫做“差模干扰”，“差模干扰”也是指作用于信号正端和负端之间的干扰电压，这种干扰加载在有用信号上，直接影响测量与控制的精度；火线与地线之间的干扰叫做“共模干扰”，这是由于电缆与大地之间存在电位差，使得电缆上会有共模电流，如果设备在其电缆上产生共模电流，电缆会产生强烈的电磁辐射，对电子、电气产品元器件产生电磁干扰，影响产品的性能指标；为了避免“差模干扰”和“共模干扰”的影响，人们需要增加一些设计来抑制“差模干扰”和“共模干扰”，比如在电路上并联电容或应用差模电感或在设备的电源进线处加入EMI滤波器，但此类设计在产品体积受限制时很难实现。同时，诸如发电、冶金、化工、港口等恶劣环境下移动电器设备之间电器连接往往采用的扁平电缆，其相对于圆形结构的电缆来说，易于安装，安全隐患较少，然而扁平电缆内的多根电线或电缆平行放置的结构，使得电缆在使用的过程中容易发生相互之间的信息干扰，针对于此种情况，专利公告号为CN204066795U的一种防干扰的扁平电缆，通过在位于扁平电缆内部的电缆内芯之间设置有中空通道，通过中空通道内的空气来减少信号传输过程中的电缆内芯之间的信号干扰，从而使得信号传输更加清晰准确，然而该专利技术抗干扰的效果很有限，只能抗辐射干扰，无法防止传导干扰；且增加了中空通道，即增加了电缆的宽度，使得该扁平电缆不适用于狭小的空间内。因此，有必要设计一种抗干扰能力更强且厚度更薄的扁平电缆。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题提供一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，通过第一导电层、第二导电层和第三导电层之间形成的等效电容，实现了抗传导干扰的技术效果，仿FPC的结构设计，使得电缆的厚度进入微米量级，实现了真正意义上的电缆扁平化，同时通过外绝缘层隔离电线防止人们触电受伤，通过屏蔽层屏蔽辐射干扰，通过加强部件实现抗拉，使得该电缆相较于以往的扁平电缆来说，体积更小，厚度更薄，抗干扰能力和屏蔽能力更强。为实现上述目的，达到上述效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆包括：基材、连接两种分离材料的粘合剂、用来传输电信号的导体、隔离导体的内绝缘层、屏蔽辐射干扰的屏蔽层及包裹在最外层的外绝缘层，所述的导体从上到下依次包括横截面为薄片状的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述的第一导电层、第二导电层和第三导电层相互平行，所述的第一导电层与屏蔽层连接，所述的第三导电层与内绝缘层连接。进一步的，所述的导体的宽度小于基材与粘合剂的宽度。进一步的，所述的内绝缘层为加强绝缘层，所述的加强绝缘层通过粘合剂覆盖在第三导电层外侧，所述的加强绝缘层的宽度大于第三导电层的宽度，其超出第三导电层的部分填充有粘合剂。进一步的，所述的第一导电层与第三导电层的位置可以互换。进一步的，所述的外绝缘层内设置有加强芯缠绕而成的加强部件。进一步的，所述的导体为175μm以下的铜箔或银箔或镀银铜箔或镀锡铜箔。进一步的，所述的屏蔽层为铜箔或铝箔或铜丝编织层或铜箔叠加铜丝编织层或铝箔叠加铜丝编织层。本专利技术的有益效果是：一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，仿造FPC的层叠式结构来代替传统的圆形结构，使得电缆的厚度进入微米量级，实现了真正意义上的电缆扁平化，同时在横截面积一样的情况下，薄片状导体比圆柱形导体的表面积更大，其散热能力显著提高，使得该电缆更加安全；三层导体相互之间的平行结构等效为多个电容，若将其应用在电源线中，形成的Y电容可以抑制共模干扰，形成的X电容可以抑制差模干扰，实现了抗传导干扰的技术效果；同时通过外绝缘层隔离电线防止人们触电受伤，通过内绝缘层防止屏蔽层和导体之间的干扰，通过屏蔽层屏蔽辐射干扰，通过加强部件和基材实现抗拉，通过基材达到耐压标准，使得该电缆相较于以往的扁平电缆来说，体积更小，厚度更薄，抗干扰能力更强，适合于对空间要求高、对设备精度要求高、对抗干扰能力和屏蔽能力要求高的用户使用。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明，本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术第一实施例的横截面示意图；图2为本专利技术第一实施例中的等效电路图；图3为本专利技术第一实施例中选用材料参数和电参数的示例表；图4为本专利技术第一实施例中选用材料参数和厚度的示例表；图5为本专利技术第二实施例的横截面示意图。其中，外绝缘层1、导体2、第一导电层21、第二导电层22、第三导电层23、基材3、粘合剂4、内绝缘层5、加强部件6、屏蔽层7、C1-C2是等效电容。具体实施方式下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本专利技术：如图1-图5所示，一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆包括：基材3、连接两种分离材料的粘合剂4、用来传输电信号的导体2、隔离导体2的内绝缘层5、屏蔽辐射干扰的屏蔽层7及包裹在最外层的外绝缘层1，所述的导体2从上到下依次包括横截面为薄片状的第一导电层21、第二导电层22和第三导电层23，所述的第一导电层21、第二导电层22和第三导电层23相互平行，所述的第一导电层21与屏蔽层7连接，所述的第三导电层23与内绝缘层5连接。进一步的，所述的导体2的宽度小于基材3与粘合剂4的宽度。进一步的，所述的内绝缘层5为加强绝缘层，所述的加强绝缘层通过粘合剂4覆盖在第三导电层23外侧，所述的加强绝缘层的宽度大于第三导电层23的宽度，其超出第三导电层23的部分填充有粘合剂4。进一步的，所述的第一导电层21与第三导电层23的位置可以互换。进一步的，所述的外绝缘层1内设置有加强芯缠绕而成的加强部件6。进一步的，所述的导体2为175μm以下的铜箔或银箔或镀银铜箔或镀锡铜箔。进一步的，所述的屏蔽层7为铜箔或铝箔或铜丝编织层或铜箔叠加铜丝编织层或铝箔叠加铜丝编织层。具体实施例本专利技术第一实施例的横截面如图1所示，由于该扁平电缆太过细长，故采用波浪号省略相同结构的中间部分，波浪号两边的图形分别为该扁平电缆的两端，其中，由上至下的结构为：外绝缘层1、屏蔽层7、第一导电层21、粘合剂4、基材3、粘合剂4、第二导电层22、粘合剂4、基材3、粘合剂4、第三导电层23、内绝缘层5、屏蔽层7和外绝缘层1，第一导电层21、第二导电层22、第三导电层23本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，其特征在于：所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆包括：基材（3）、连接两种分离材料的粘合剂（4）、用来传输电信号的导体（2）、隔离导体（2）的内绝缘层（5）、屏蔽辐射干扰的屏蔽层（7）及包裹在最外层的外绝缘层（1），所述的导体（2）从上到下依次包括横截面为薄片状的第一导电层（21）、第二导电层（22）和第三导电层（23），所述的第一导电层（21）、第二导电层（22）和第三导电层（23）相互平行，所述的第一导电层（21）与屏蔽层（7）连接，所述的第三导电层（23）与内绝缘层（5）连接。

【技术特征摘要】
1.一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，其特征在于：所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆包括：基材（3）、连接两种分离材料的粘合剂（4）、用来传输电信号的导体（2）、隔离导体（2）的内绝缘层（5）、屏蔽辐射干扰的屏蔽层（7）及包裹在最外层的外绝缘层（1），所述的导体（2）从上到下依次包括横截面为薄片状的第一导电层（21）、第二导电层（22）和第三导电层（23），所述的第一导电层（21）、第二导电层（22）和第三导电层（23）相互平行，所述的第一导电层（21）与屏蔽层（7）连接，所述的第三导电层（23）与内绝缘层（5）连接。
2.根据权利要求1所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，其特征在于：所述的导体（2）的宽度小于基材（3）与粘合剂（4）的宽度。
3.根据权利要求1所述的一种抗干扰三层扁平屏蔽电缆，其特征在于：所述的内绝缘层（5）为加强...

【专利技术属性】
技术研发人员：周荣，吴金炳，赵华，
申请(专利权)人：苏州路之遥科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32