一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:14569439 阅读:129 留言:0更新日期:2017-02-06 03:15
本发明专利技术涉及显示技术领域,特别涉及一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置。该量子点电致发光器件包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和第二电极;量子点发光层位于电子传输层和空穴传输层之间;量子点发光层包括基材层和分散于基材层内的量子点发光材料,并且基材层的最高已占轨道能级位于空穴传输层的最高已占轨道能级和量子点发光材料的最高已占轨道能级之间。该量子点电致发光器件能够提高空穴从空穴传输层注入量子点发光层的注入效率,使空穴迁移容易,进而提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置
技术介绍
目前,一般的有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)包括空穴传输层和发光层;空穴传输层的最高已占轨道(HighestOccupiedMolecularOrbital,HOMO)能级为5.0ev~5.3ev,发光层材料的HOMO能级为5.0ev~5.5ev;空穴传输层材料的最高已占轨道能级与发光层材料的最高已占轨道能级之间的微小差异,有利于提高空穴传输能力,进而提高有机电致发光器件的发光效率。但是,在将有机电致发光器件中的空穴传输层材料应用于量子点电致发光器件时,由于量子点发光材料的最高已占轨道能级为6.8ev,而空穴传输层材料具有较低的最高已占轨道能级,因此,空穴传输层材料与量子点发光材料之间较大的频带偏移会降低空穴从空穴传输层注入量子点发光层的注入效率,造成空穴迁移困难,进而降低量子点电致发光器件的发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置,该量子点电致发光器件能够提高空穴从空穴传输层注入量子点发光层的注入效率,使空穴迁移容易,进而提高发光效率。为达到上述目的,本专利技术提供以下技术方案:一种量子点电致发光器件,包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和第二电极;所述量子点发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间;所述量子点发光层包括基材层和分散于所述基材层内的量子点发光材料,并且所述基材层的最高已占轨道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能级和所述量子点发光材料的最高已占轨道能级之间。上述量子点电致发光器件中,由于基材层介于空穴传输层和量子点发光材料之间,又由于基材层的最高已占轨道能级位于空穴传输层的最高已占轨道能级和量子点发光材料的最高已占轨道能级之间,在空穴从空穴传输层注入到量子点发光层时,基材层与空穴传输层和量子点发光材料的能级匹配度较好,使基材层成为空穴从空穴传输层传输到量子点发光材料的过渡层,所以空穴传输层中的空穴能够经过基材层容易地注入到量子点发光材料,使量子点电致发光器件能够提高空穴从空穴传输层注入量子点发光层的注入效率,使空穴迁移容易,进而提高发光效率。可选地,所述基材层的最高已占轨道能级为5.4ev~6.8ev。可选地,所述基材层的最高已占轨道能级为5.8ev~6.2ev。可选地,所述基材层为用于所述量子点发光材料的包覆剂或分散剂。可选地,所述基材层为有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合物。可选地,所述基材层为由基础材料和掺杂于所述基础材料内的能级过渡材料形成的基材层,或者所述基材层为由能级过渡材料制备的基材层,所述能级过渡材料的最高已占轨道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能级和所述量子点发光材料的最高已占轨道能级之间。可选地,所述能级过渡材料包括下述三类有机材料中的至少一类:磷酸根类有机化合物;巯基类有机化合物;羧酸类有机化合物。可选地,当所述能级过渡材料包括磷酸根类有机化合物、巯基类有机化合物以及羧酸类有机化合物三类材料中的至少两类材料时,所述能级过渡材料为由所述至少两类材料聚合形成的材料。可选地,所述量子点发光层的厚度为10~450nm。可选地,所述量子点发光层的厚度为55~400nm。可选地,所述量子点发光材料包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料中的至少一种。可选地,所述第一电极所在一侧用于出射所述量子点发光层产生的光线,且所述第一电极背离所述量子点发光层的一侧设有透明防护层;和/或,所述第二电极所在一侧用于出射所述量子点发光层产生的光线,且所述第二电极背离所述量子点发光层的一侧设有透明防护层。。本专利技术还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述技术方案提供的任意一种量子点电致发光器件。另外,本专利技术还提供了一种如上述技术方案提供的任意一种量子点电致发光器件的空穴传输方法,包括:将空穴传输层中的空穴传递至量子点发光层的基材层中,其中所述基材层的最高已占轨道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能级和所述量子点发光材料的最高已占轨道能级之间;将基材层内的空穴传递至所述量子点发光层内的量子点发光材料中。附图说明图1为本专利技术一种实施例提供的量子点电致发光器件的结构示意图;图2为图1中A部分的工作原理示意图;图3为图1中的量子点电致发光器件的工作原理示意图;图4为本专利技术一种实施例提供的量子点电致发光器件的空穴传输方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置,该显示装置包括量子点电致发光器件;该量子点电致发光器件能够提高空穴从空穴传输层注入量子点发光层的注入效率,使空穴迁移容易,进而提高发光效率。其中,请参考图1,本专利技术一种实施例提供的量子点电致发光器件,包括第一电极1、电子传输层2、量子点发光层3、空穴传输层4和第二电极5;量子点发光层3位于电子传输层2和空穴传输层4之间;量子点发光层3包括基材层31和分散于基材层31内的量子点发光材料32,并且基材层31的最高已占轨道能级位于空穴传输层4的最高已占轨道能级和量子点发光材料32的最高已占轨道能级之间。如图2和图3所示,上述量子点电致发光器件的量子点发光材料32的发光原理为:第一电极1和第二电极5中的一个电极的空穴h注入到空穴传输层4的最高已占轨道能级,电子e注入到电子传输层2的最低已占轨道能级;电子e和空穴h同时向量子点发光层3迁移,由于空穴传输层4的最高已占轨道能级与量子点发光层3的基材层31的最高已占轨道能级相近,所以空穴h优先占据基材层31的最高已占轨道能级;空穴h再由基材层31的最高已占轨道能级注入到量子点发光材料32;空穴h与电子e在量子点发光材料32中复合形成激子,空穴h在得到电子e的同时能量hv增加,并从基态跃迁到激发态;激子在量子点发光材料32中不断的做自由扩散运动,并以辐射或无辐射的方式失活;当激子以辐射跃迁的方式从激发态回到基态就可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点电致发光器件,包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和第二电极;所述量子点发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间;其特征在于,所述量子点发光层包括基材层和分散于所述基材层内的量子点发光材料,并且所述基材层的最高已占轨道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能级和所述量子点发光材料的最高已占轨道能级之间。

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光器件,包括第一电极、电子传输层、量子点发光
层、空穴传输层和第二电极;所述量子点发光层位于所述电子传输层和空穴传
输层之间;其特征在于,
所述量子点发光层包括基材层和分散于所述基材层内的量子点发光材料,
并且所述基材层的最高已占轨道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能
级和所述量子点发光材料的最高已占轨道能级之间。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述基材
层的最高已占轨道能级为5.4ev~6.8ev。
3.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述基材
层的最高已占轨道能级为5.8ev~6.2ev。
4.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述基材
层为用于所述量子点发光材料的包覆剂或分散剂。
5.根据权利要求4所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述基材
层为有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合物。
6.根据权利要求5所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述基材
层为由基础材料和掺杂于所述基础材料内的能级过渡材料形成的基材层,或者
所述基材层为由能级过渡材料制备的基材层;所述能级过渡材料的最高已占轨
道能级位于所述空穴传输层的最高已占轨道能级和所述量子点发光材料的最
高已占轨道能级之间。
7.根据权利要求6所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述能级
过渡材料包括下述三类有机材料中的至少一类:
磷酸根类有机化合物;
巯基类有机化合物;
羧酸类有机化合物。
8.根据权利要求7所述的量子点电致发光器...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝学光程鸿飞乔勇吴新银
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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