【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
随着大规模集成电路(LargeScaleIntegratedCircuit,以下称为LSI)的微细化,对于控制晶体管元件间的漏电流干涉的加工技术而言,技术上的困难日益增加。LSI的元件间分离通过下述方法进行:在作为衬底的硅(Si)上,在想要分离的元件间形成槽或孔等空隙,在所述空隙中堆积绝缘物。作为绝缘物,多是使用氧化膜,例如,使用氧化硅膜。氧化硅膜通过Si衬底本身的氧化、化学气相成长法(ChemicalVaporDeposition,以下称为CVD)、绝缘物涂布法(SpinOnDielectric,以下称为SOD)而形成。随着近年来的微细化,对于微细结构的埋入、特别是氧化物对纵向深的空隙结构或横向窄的空隙结构的埋入而言,利用CVD法进行的埋入方法正在达到技术极限。在这样的背景下,使用了具有流动性的氧化物的埋入方法、即SOD的采用有增加的趋势。在SOD中,使用被称为SOG(Spinonglass)的包含无机或有机成分的涂布绝缘材料。该材料在CVD氧化膜出现之前就被用于LSI的制造工序,但加工技术为0.35μm~1μm左右的加工尺寸,并不微细,因此,涂布后的改质方法容许在氮气氛下进行400℃左右的热处理。
技术实现思路
然而,以近年来的LSI、DRAM(DynamicRandomAccessMemory)、FlashMemor ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法,其具有下述工序:将衬底搬入处理容器内的工序,所述衬底形成有具有硅氮键的膜,并对所述膜实施了前烘;以所述前烘的温度以下的第一温度向所述衬底供给含氧气体的工序;和以高于所述第一温度的第二温度向所述衬底供给处理气体的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.10 JP 2013-2128061.一种半导体器件的制造方法,其具有下述工序:
将衬底搬入处理容器内的工序,所述衬底形成有具有硅氮键的
膜,并对所述膜实施了前烘;
以所述前烘的温度以下的第一温度向所述衬底供给含氧气体的
工序;和
以高于所述第一温度的第二温度向所述衬底供给处理气体的工
序。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述处理气体为包含水蒸气的气体。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,
供给所述处理气体的工序在供给所述含氧气体的工序之后进行,
在供给所述处理气体的工序中,一边供给所述含氧气体,一边供
给所述处理气体。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法,其中,
在供给所述处理气体的工序之后,具有停止所述处理气体和所述
含氧气体的供给、而供给含氮气体的退火工序。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
在供给所述处理气体的工序之后,具有在保持所述衬底的温度的
状态下对所述处理容器内进行排气的工序。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法,其中,
在对所述处理容器内进行排气的工序之后,具有在保持所述衬底
的温度的状态下向所述处理容器内供给非活性气体、供给所述非活性
气体直到所述处理容器内成为规定的压力为止、然后使衬底降温的工
序。
7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述第一温度为150℃以下,所述第二温度为250℃~400℃。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述具有硅氮键的膜为包含低分子量的聚硅氮烷的膜。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述处理气体为包含过氧化氢的气体。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述具有硅氮键的膜为利用CVD法形成的膜。
11.一种衬底处理装置,其具有:
处理容器,收纳形成有具有硅氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:定田拓也,角田彻,奥野正久,立野秀人,
申请(专利权)人:株式会社日立国际电气,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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