n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。
技术介绍
太阳能电池元件等中所使用的半导体基板具有p型区域与n型区域相接的部分(pn结)。作为具有pn结的半导体基板的制造方法，已知：将p型的半导体基板在包含施主元素的气氛中进行热处理，并使施主元素扩散到半导体基板中而形成n型扩散层的方法(气相反应法)；将包含施主元素的溶液赋予到半导体基板后对其进行热处理，并使施主元素扩散到半导体基板中而形成n型扩散层的方法等。作为利用气相反应法形成n型扩散层的方法，例如可列举以下方法：为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面侧形成有纹理结构的p型硅基板，接着，在磷酰氯(POCl3)、氮气及氧气的混合气体气氛中在800℃～900℃下进行数十分钟的处理，在p型硅基板的表面均匀地形成n型扩散层。作为使用包含施主元素的溶液来形成n型扩散层的方法，例如提出了以下方法：将含有五氧化二磷(P2O5)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)等磷酸盐的溶液赋予到半导体基板，对其进行热处理而使磷扩散到半导体基板中，由此形成n型扩散层(例如参照日本特开2002－75894号公报)。
技术实现思路
专利技术要解决的课题在上述的采用气相反应法的方法中，由于使用混合气体进行磷的扩散，因此不仅在成为受光面一侧的面形成n型扩散层，而且还在侧面及背面也形成n型扩散层。因此，需要<br>进行用于除去侧面的n型扩散层的侧蚀刻。另外，在背面所形成的n型扩散层需要转换为p+型扩散层。因此，在背面的n型扩散层上赋予含有铝的铝糊剂，对其进行热处理而使铝扩散，由此从n型扩散层转换为p+型扩散层。日本特开2002－75894号公报记载的方法也与气相反应法同样，热处理中挥散的磷也扩散至半导体基板的侧面及背面，不仅在半导体基板的受光面形成n型扩散层，而且在侧面及背面也形成n型扩散层。因此，需要用于除去侧面的n型扩散层及将形成于背面的n型扩散层转换为p+型扩散层的工序。此外，在日本特开2002－75894号公报记载的方法中使用的磷酸盐通常吸湿性大。因此，在形成n型扩散层的过程中，因磷酸盐吸湿而扩散能力发生变化，有时无法稳定地形成n型扩散层。本专利技术是鉴于以上的以往问题点而完成的专利技术，其课题在于提供能够在半导体基板的所需区域稳定地形成n型扩散层的n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。用于解决课题的手段用于解决上述课题的手段如下所述。＜1＞一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。＜2＞根据＜1＞所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含硅原子。＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含选自由金属醇盐、硅酮树脂及烷基硅氮烷化合物组成的组中的至少1种。＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含金属醇盐，上述金属醇盐包含硅醇盐。＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含金属醇盐，上述金属醇盐包含硅烷偶联剂。＜6＞根据＜1＞或＜2＞所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含硅酮树脂。＜7＞根据＜6＞所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述硅酮树脂包含二甲基聚硅氧烷。＜8＞根据＜1＞或＜2＞所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述有机金属化合物包含烷基硅氮烷化合物。＜9＞根据＜1＞～＜8＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述施主元素包含选自由P(磷)及Sb(锑)组成的组中的至少1种。＜10＞根据＜1＞～＜9＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，上述包含施主元素的玻璃粒子含有：选自由P2O3、P2O5及Sb2O3组成的组中的至少1种含施主元素物质；和选自由SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及MoO3组成的组中的至少1种玻璃成分物质。＜11＞一种n型扩散层的形成方法，其具有：将＜1＞～＜10＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物赋予到半导体基板上的工序；和对赋予了上述n型扩散层形成组合物的半导体基板进行热处理的工序。＜12＞一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其具有：将＜1＞～＜10＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物赋予到半导体基板上的工序；和对赋予了上述n型扩散层形成组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序。＜13＞一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：将＜1＞～＜10＞中任一项所述的n型扩散层形成组合物赋予到半导体基板上的工序；对赋予了上述n型扩散层形成组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；和在所形成的上述n型扩散层上形成电极的工序。专利技术效果根据本专利技术，可以提供能够在半导体基板的所需区域稳定地形成n型扩散层的n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。附图说明图1是概念性地表示本专利技术的太阳能电池元件的制造工序的一例的剖视图。图2是概念性地表示本专利技术的太阳能电池元件的电极的结构的一例的图，(A)为从受光面观察太阳能电池元件的俯视图，(B)为放大表示(A)的一部分的立体图。图3是概念性地表示背接触型太阳能电池元件的一例的剖视图。具体实施方式在本说明书中，用语“工序”不仅是独立的工序，即使是无法与其他工序明确区别时，只要能实现该工序所希望的目的，也包含于本用语中。另外，在本说明书中使用“～”所表示的数值范围，是表示该范围包含“～”前后所述的数值而分别作为最大值及最小值。此外，在本说明书中，当组合物中相当于各成分的物质存在多个时，只要未特别指明，则组合物中的各成分的含量代表存在于组合物中的该多个物质的合计量。在本说明书中的用语“层”除了包含以俯视图的形式观察时形成于整面的形状的构成以外，还包含以俯视图的形式观察时形成于一部分面的形状的构成。“有机金属化合物”及“金属醇盐”中的“金属”还包括硅等半金属元素。“(甲基)丙烯酸”、“(甲基)丙烯酰氧基”、“(甲基)丙烯酰基”等术语分别指丙烯酸及甲基丙烯酸、丙烯酰氧基及甲基丙烯酰氧基、丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的任意一方或双方。＜n型扩散层形成组合物＞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.30 JP 2013-1798521.一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属
化合物。
2.根据权利要求1所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含硅原
子。
3.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含选
自由金属醇盐、硅酮树脂及烷基硅氮烷化合物组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合
物包含金属醇盐，所述金属醇盐包含硅醇盐。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合
物包含金属醇盐，所述金属醇盐包含硅烷偶联剂。
6.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含硅
酮树脂。
7.根据权利要求6所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述硅酮树脂包含二甲基聚硅
氧烷。
8.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述有机金属化合物包含烷
基硅氮烷化合物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述施主元素包含
选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤铁也，吉田诚人，野尻刚，仓田靖，芦泽寅之助，町井洋一，岩室光则，织田明博，清水麻理，佐藤英一，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP