一种半导体元件蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体元件蚀刻液及其制备方法。蚀刻液组分包括：碘、碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、季戊四醇、山梨醇、铵盐、正丁醇、乙醇、维生素C、BHT、山梨酸钾、水。其制备方法为先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌5-10分钟，得溶液A；将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、铵盐、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌5-10分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至30-40℃，搅拌20-30分钟即得。本发明专利技术的蚀刻液蚀刻速度快，精度高，蚀刻均匀性强；且制备方法简单，易控制，易于工业化生产，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻液领域，具体涉及一种半导体元件蚀刻液及其制备方法。
技术介绍
半导体元件是指导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。随着科技的进步，半导体元件的应用越来越广泛，而半导体蚀刻的好坏直接决定了半导体整体的产品质量。目前已经使用的蚀刻液类型主要有六种：⑴酸性氯化铜⑵碱性氯化铜⑶氯化铁⑷过硫酸铵⑸硫酸/铬酸⑹硫酸/双氧水蚀刻液。酸性和碱性氯化铜蚀刻时有一定的温度要求，一般控制在45~55℃范围内；氯化铁蚀刻液需要不停地搅拌等缺点。而大部分半导体元件由于其体积的特殊性，更需要一种蚀刻速度快、不易侧蚀、精度高的蚀刻液来对其加工。
技术实现思路
要解决的技术问题：本专利技术的目的是提供一种蚀刻速度快、精度高、不易侧蚀、蚀刻均匀性强的半导体元件蚀刻液，能够大大提高最终成品的合格率。技术方案：一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘1.5-3份、碘化钠5-10份、碘化铵5-10份、羧甲基壳聚糖1-2份、季戊四醇1-2份、山梨醇1-2份、铵盐2-5份、正丁醇10-20份、乙醇10-20份、维生素C0.1-0.5份、BHT0.1-0.2份、山梨酸钾0.1-0.2份、水5-10份。进一步优选的，所述的一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘2-2.5份、碘化钠6-9份、碘化铵6-9份、羧甲基壳聚糖1.2-1.8份、季戊四醇1.2-1.8份、山梨醇1.2-1.8份、铵盐3-4份、正丁醇12-18份、乙醇12-18份、维生素C0.2-0.4份、BHT0.12-0.18份、山梨酸钾0.12-0.18份、水6-9份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法包括以下步骤：步骤1：将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌5-10分钟，得溶液A；步骤2：将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、铵盐、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌5-10分钟得溶液B；步骤3：将溶液A和B混合，加热至30-40℃，搅拌20-30分钟即得。进一步优选的，步骤1中搅拌时间为6-9分钟。进一步优选的，步骤2中搅拌时间为6-9分钟。进一步优选的，步骤3中加热温度为32-38℃，搅拌时间为22-28分钟。有益效果：本专利技术的半导体元件蚀刻液蚀刻速度快，能提高蚀刻效率，不仅节约时间，而且提高了合格率；不易侧蚀，不会使图形变形或使尺寸出现差错；同时本专利技术蚀刻液蚀刻精度高，蚀刻均匀性强，这些优势都大大提高了最终成品的质量。具体实施方式实施例1一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘1.5份、碘化钠5份、碘化铵5份、羧甲基壳聚糖1份、季戊四醇1份、山梨醇1份、碳酸铵2份、正丁醇10份、乙醇10份、维生素C0.1份、BHT0.1份、山梨酸钾0.1份、水5份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌5分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、碳酸铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌5分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至30℃，搅拌20分钟即得。实施例2一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘2份、碘化钠6份、碘化铵6份、羧甲基壳聚糖1.2份、季戊四醇1.2份、山梨醇1.2份、硫酸氢铵3份、正丁醇12份、乙醇12份、维生素C0.2份、BHT0.12份、山梨酸钾0.12份、水6份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌6分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、硫酸氢铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌6分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至32℃，搅拌22分钟即得。实施例3一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘2.5份、碘化钠9份、碘化铵9份、羧甲基壳聚糖1.8份、季戊四醇1.8份、山梨醇1.8份、氯化铵4份、正丁醇18份、乙醇18份、维生素C0.4份、BHT0.18份、山梨酸钾0.18份、水9份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌9分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、氯化铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌9分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至38℃，搅拌28分钟即得。实施例4一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘2.2份、碘化钠7份、碘化铵8份、羧甲基壳聚糖1.5份、季戊四醇1.5份、山梨醇1.5份、硝酸铵3.5份、正丁醇15份、乙醇15份、维生素C0.3份、BHT0.15份、山梨酸钾0.15份、水7份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌7分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、硝酸铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌7分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至35℃，搅拌25分钟即得。实施例5一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘3份、碘化钠10份、碘化铵10份、羧甲基壳聚糖2份、季戊四醇2份、山梨醇2份、溴化铵5份、正丁醇20份、乙醇20份、维生素C0.5份、BHT0.2份、山梨酸钾0.2份、水10份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌10分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、溴化铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌10分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至40℃，搅拌30分钟即得。对比例1本实施例与实施例5的区别在于不含羧甲基壳聚糖。具体地说是：一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘3份、碘化钠10份、碘化铵10份、季戊四醇2份、山梨醇2份、溴化铵5份、正丁醇20份、乙醇20份、维生素C0.5份、BHT0.2份、山梨酸钾0.2份、水10份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇、BHT、正丁醇和乙醇混合搅拌10分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、溴化铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌10分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至40℃，搅拌30分钟即得。对比例2本实施例与实施例5的区别在于不含有正丁醇和乙醇。具体地说是：一种半导体元件蚀刻液，以重量份计包括：碘3份、碘化钠10份、碘化铵10份、羧甲基壳聚糖2份、季戊四醇2份、山梨醇2份、溴化铵5份、维生素C0.5份、BHT0.2份、山梨酸钾0.2份、水10份。上述半导体元件蚀刻液的制备方法为：先将碘、季戊四醇、山梨醇和BHT混合搅拌10分钟，得溶液A；再将碘化钠、碘化铵、羧甲基壳聚糖、溴化铵、维生素、山梨酸钾和水混合搅拌10分钟得溶液B；将溶液A和B混合，加热至40℃，搅拌30分钟即得。将各实施例与对比例作对比，对比结果如下表1：表1蚀刻液的性能指标专利技术例侧蚀的指标（侧面蚀刻长度/金层厚度）蚀刻速度（μm/s）均匀性实施例11.10.139较好实施例20.90.149较好实施例30.60.161好实施例40.80.153较好本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件蚀刻液，其特征在于：以重量份计包括：碘1.5‑3份、碘化钠5‑10份、碘化铵5‑10份、羧甲基壳聚糖1‑2份、季戊四醇1‑2份、山梨醇1‑2份、铵盐2‑5份、正丁醇10‑20份、乙醇10‑20份、维生素C0.1‑0.5份、BHT0.1‑0.2份、山梨酸钾0.1‑0.2份、水5‑10份。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件蚀刻液，其特征在于：以重量份计包括：碘1.5-3份、碘化钠5-10份、碘化铵5-10份、羧甲基壳聚糖1-2份、季戊四醇1-2份、山梨醇1-2份、铵盐2-5份、正丁醇10-20份、乙醇10-20份、维生素C0.1-0.5份、BHT0.1-0.2份、山梨酸钾0.1-0.2份、水5-10份。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元件蚀刻液，其特征在于：以重量份计包括：碘2-2.5份、碘化钠6-9份、碘化铵6-9份、羧甲基壳聚糖1.2-1.8份、季戊四醇1.2-1.8份、山梨醇1.2-1.8份、铵盐3-4份、正丁醇12-18份、乙醇12-18份、维生素C0.2-0.4份、BHT0.12-0.18份、山梨酸钾0.12-0.18份、水6-9份。
3.如权利要求1所述的一种半导体元件蚀刻液，其特征在于：所述铵盐为碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、硫酸氢铵、碘化铵...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑春秋，
申请(专利权)人：苏州鑫德杰电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32