薄膜彼此的热熔接接合方法以及光学薄膜的制造方法技术

技术编号:14557264 阅读:157 留言:0更新日期:2017-02-05 11:39
本发明专利技术提供一种薄膜彼此的热熔接接合方法以及光学薄膜的制造方法,面压施加工序,将第1薄膜与第2薄膜的接合区域部分予以重合,并利用在接合区域部分的两侧相对向配置的吸引箱彼此的平坦的吸附面加以包夹,从而对重合部分的两面施加面压;离开移动工序,在施加面压之后,使第1薄膜及第2薄膜由各吸引箱的吸附面吸引保持,并使吸引箱彼此向重合部分离开的方向移动;切割工序,在使第1薄膜及第2薄膜离开的状态下切割各薄膜,以在第1薄膜及第2薄膜的接合区域部分形成后端部与前端部;以及热熔接工序,使吸引箱彼此接近移动,对由形成的第1带状薄膜的后端部和第2带状薄膜的前端部重合而成的接合部进行热熔接,从而将薄膜彼此接合。

Hot melt bonding method for thin film and method for manufacturing optical film

The invention provides a method for manufacturing a thin film with each other fusion welding method and optical thin films, surface pressure applying procedure, will engage the first film and the second film to be part of the regional overlap, and use part of the bonding area on both sides relative to the adsorption configuration of the suction box each other flat surface to be clamped, thereby applied surface on both sides of the difference pressure; left moving process, after applying the surface pressure, the first film and 2 film by the surface adsorption suction box and the box to attract keep, attract each other to overlap in the direction away; cutting process, cutting the film in the first film and 2 film out of state next, in the first film and 2 film bonding region formed part of rear end and front end; and welding process, the suction box close to each other on mobile, by first the formation of thin strip The joint part of the back end of the film and the front end of the second strip film is formed by hot melt connection.

【技术实现步骤摘要】
本申请为2012年01月05日递交的申请号为201210001849.1,专利技术名称为薄膜彼此的热熔接接合方法以及接合装置与光学薄膜的制造方法的分案申请。
本专利技术涉及一种薄膜彼此的热熔接接合方法以及光学薄膜的制造方法
技术介绍
随着液晶显示装置(以下称作LCD(LiquidCrystalDisplay))的普及,偏光薄膜的需求剧增。偏光薄膜一般是在具有偏光能的偏光层的两面或单面经由粘结剂层而贴附着保护薄膜。作为偏光层的原材料,一般使用聚乙烯醇(polyvinylalcohol,PVA)系薄膜。偏光薄膜是通过将呈卷(roll)状地卷绕有该PVA系薄膜的坯卷的薄膜前端部送往延伸装置,进行规定的处理且对其进行延伸而制造(例如,参照专利文献1、专利文献2)。此时,要效率良好地进行延伸处理,优选并非对每多个坯卷以批次(batch)式进行延伸处理,而是连续地进行延伸处理。为了对多个坯卷进行连续延伸处理,必须将延伸处理中的坯卷(以下称作“旧卷”)的薄膜后端部与接下来要延伸的坯卷(以下称作“新卷”)的薄膜前端部予以接合。作为将薄膜彼此的后端部与前端部予以接合的装置,例如有专利文献3中揭示的带子(web)的对接接合装置以及接合方法。该接合方法是将薄膜彼此的后端部和前端部保持于吸附鼓(drum)且进行切割,并利用接合胶带(tape)来予以接合。但是,对于利用接合胶带来进行接合的方法而言,仅接合部的厚度或刚性不同于其他薄膜部分,因此有在延伸处理时接合部发生剥离或断裂的问题。由于此问题,因而例如专利文献4所揭示的,进行有以下处理,即,将薄膜彼此的后端部与前端部予以重合并进行热熔接(热封(heatseal))。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2008-122988号公报专利文献2:日本专利特开2008-250326号公报专利文献3:日本专利特开2007-055704号公报专利文献4:日本专利特开2004-160665号公报但是,以往的热熔接接合方法存在以下问题,即:薄膜彼此重合并热熔接的接合部易造成褶皱,从而易在褶皱的内部产生空气滞留。尤其,适合于制造偏光元件的薄膜即PVA系薄膜的材质柔软且为薄膜状,并且由于近来的薄膜宽度的加宽化(例如3m以上),在热熔接时易产生褶皱。而且,所制造的PVA系薄膜是卷绕成中高的卷状而加以保管,因此在展开薄膜时,薄膜易造成褶皱。所谓中高卷,是指以中央部的卷径比端部的卷径粗的方式来卷绕,薄膜宽度方向的中央部与端部的薄膜伸展不同。并且,如果在接合部产生褶皱而在褶皱内部产生空气滞留,则将难以获得充分的接合强度。其结果,实际情况是,在延伸处理时接合部发生剥离或断裂的问题依然未得到解决。而且,在将薄膜彼此的后端部与前端部予以重合并热熔接之后,如果在后端部或前端部未熔接的尾端部分(后端部或前端部的端部)大,则会在尾端(tail)部分的边界处引起张力集中,从而薄膜易断裂。
技术实现思路
本专利技术是有鉴于此类情况而完成,其目的在于提供一种薄膜彼此的热熔接接合方法以及接合装置与光学薄膜的制造方法,可避免在对薄膜彼此的后端部与前端部进行热熔接之后产生褶皱或尾端部分变长,因此例如在延伸处理时接合部也不会发生剥离或断裂。为了达成所述目的,本专利技术的第1方案所涉及的薄膜彼此的热熔接接合方法是将带状的第1薄膜的后端部与带状的第2薄膜的前端部予以重合并热熔接接合,其至少包括:面压施加工序,将所述第1薄膜与所述第2薄膜的接合区域部分予以重合,并利用在该接合区域部分的两侧相对向配置的吸引箱(box)彼此的平坦的吸附面加以包夹,从而对所述重合部分的两面施加面压;离开移动工序,在施加所述面压之后,使所述第1薄膜及第2薄膜由所述各吸引箱的吸附面吸引保持,并使该吸引箱彼此向所述重合部分离开的方向移动;切割工序,在使所述第1薄膜及第2薄膜离开的状态下切割各薄膜,以在第1薄膜及第2薄膜的所述接合区域部分形成所述后端部与所述前端部;以及热熔接工序,使所述吸引箱彼此接近移动,对由所述形成的第1带状薄膜的后端部和第2带状薄膜的前端部重合而成的接合部进行热熔接,从而将薄膜彼此接合。根据上述第1方案,在将第1薄膜及第2薄膜彼此热熔接接合之前,对第1薄膜与第2薄膜的接合区域部分的两侧施加面压。即,利用相对向配置且具有平坦的吸附面的吸引箱来包夹接合区域部分,以对接合区域部分施加面压,因此能够使接合区域部分的褶皱伸展而消除该褶皱。因此,由于在对薄膜彼此的后端部与前端部进行热熔接之后不会产生褶皱,因此例如即使在延伸处理时接合部也不会发生剥离或断裂。而且,可将用于在热熔接时保持第1薄膜及第2薄膜的后端部或前端部的吸引箱用于消除褶皱,因此不需要用于消除褶皱的特别的装置。由此,能够实现装置的缩小化(compact)。在本专利技术中,优选进行上述第1方案的主要特征即面压施加工序与上述第2方案的主要特征即重合宽度调整工序这两者。由此,不会发生在面压施加工序中消除了褶皱的薄膜在调整接合部的重合宽度时再次产生褶皱的问题。在本专利技术的一方案所涉及的热熔接接合方法中,优选还包括:第1薄膜搬送工序,将所述第1薄膜从卷绕支撑使用中的旧卷的第1卷轴(reel)通过所述一对吸引箱之间而搬送至对该第1薄膜实施所需处理的薄膜延伸处理部;第2薄膜抽出工序,将所述第2薄膜从卷绕支撑接下来要使用的新卷的第2卷轴抽出至所述吸引箱彼此之间;以及储放(reservoir)工序,将与对所述第1薄膜及第2薄膜进行热熔接接合的所需时间相当的长度的第1薄膜储放至设在所述吸引箱与所述薄膜延伸处理部之间的储槽内,可一边停止所述第1薄膜的搬送以进行热熔接,一边将该第1薄膜供给至所述薄膜延伸处理部。本专利技术的一方案所涉及的热熔接接台方法可在将装入有用于接合的热熔接接合装置的制造线予以停止的状态下使用。但是,通过具备上述结构,无须停止制造线便可将第1薄膜及第2薄膜彼此接合。在上述方案所涉及的热熔接接合方法中,所述吸引箱的吸附面的摩擦系数为4以下,优选为2以下,尤其优选为1以下。作为所述吸引箱的吸附面,例如可较佳地使用聚四氟乙烯。在上述方案所涉及的热熔接接合方法中,优选在所述接合区域部分的两侧,分别固定配置辅助吸引箱,所述辅助吸引箱的吸附面与所述吸引箱的吸附面在相同平面,且所述辅助吸引箱的吸附面的摩擦系数比所述吸引箱的吸附面的摩擦系数小,在从所述切割工序至所述热熔接工序之间的步骤中,以不会妨碍所述热熔接的方式来吸引保持所述切割的第1薄膜及第2薄膜的切割端附近。由此,可防止切割本文档来自技高网
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薄膜彼此的热熔接接合方法以及光学薄膜的制造方法

【技术保护点】
一种薄膜彼此的热熔接接合方法,将带状的第1薄膜的后端部与带状的第2薄膜的前端部予以重合并热熔接接合,其特征在于,包括:面压施加工序,将所述第1薄膜与所述第2薄膜的接合区域部分予以重合,并利用在该接合区域部分的两侧相对向配置的吸引箱彼此的平坦的吸附面加以包夹,从而对所述重合部分的两面施加面压;离开移动工序,在施加所述面压之后,使所述第1薄膜及所述第2薄膜由所述各吸引箱的吸附面吸引保持,并使该吸引箱彼此向所述重合部分离开的方向移动;切割工序,在使所述第1薄膜及所述第2薄膜离开的状态下切割各薄膜,以在所述第1薄膜及所述第2薄膜的所述接合区域部分形成所述后端部与所述前端部;以及热熔接工序,使所述吸引箱彼此接近移动,对由所述形成的第1薄膜的后端部和第2薄膜的前端部重合而成的接合部进行热熔接,从而将薄膜彼此接合。

【技术特征摘要】
2011.01.07 JP 2011-002413;2011.11.30 JP 2011-262591.一种薄膜彼此的热熔接接合方法,将带状的第1薄膜的后端部与带状的第2薄膜的
前端部予以重合并热熔接接合,其特征在于,包括:
面压施加工序,将所述第1薄膜与所述第2薄膜的接合区域部分予以重合,并利用在该
接合区域部分的两侧相对向配置的吸引箱彼此的平坦的吸附面加以包夹,从而对所述重合部
分的两面施加面压;
离开移动工序,在施加所述面压之后,使所述第1薄膜及所述第2薄膜由所述各吸引箱
的吸附面吸引保持,并使该吸引箱彼此向所述重合部分离开的方向移动;
切割工序,在使所述第1薄膜及所述第2薄膜离开的状态下切割各薄膜,以在所述第1
薄膜及所述第2薄膜的所述接合区域部分形成所述后端部与所述前端部;以及
热熔接工序,使所述吸引箱彼此接近移动,对由所述形成的第1薄膜的后端部和第2薄
膜的前端部重合而成的接合部进行热熔接,从而将薄膜彼此接合。
2.根据权利要求1所述的薄膜彼此的热熔接接合方法,其特征在于,所述面压施加工
序不以所述吸引箱进行吸引。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜彼此的热熔接接合方法,其特征在于,热熔接工序,
对所述第1薄膜的后端部和所述第2薄膜的前端部的由所述吸引箱彼此夹者的所述接合部进
行热熔接,从而将薄膜彼此接合。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜彼此的热熔接接合方法,其特征在于,还包括:
重合宽度调整工序,在所述切割工序与所述热熔接工序之间,使所述吸引箱彼此沿薄膜
长度方向移动,以对由所述第1薄膜的后端部与所述第2薄膜的前端部重合而成的接合部的
重合宽度进行调整。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜彼此的热熔接接合方法,其特征在于,还包括:
第1薄膜搬送工序,将所述第1薄膜从卷绕支撑使用中的旧卷的第1卷轴通过所述吸引
箱之间而搬送至对该第1薄膜实施所需处理的薄膜延伸处理部;
第2薄膜抽出工序,将所述第2薄膜从卷绕支撑接下来要使用的新卷的第2卷轴抽出至
所述吸引箱彼此之间;以及
储放工序,将与对所述第1薄膜及第2薄膜进行热熔接接合的所需时间相当的长度的第
1薄膜储放至设在所述吸引箱与所述薄膜延伸处理部之间的储槽内,可一边停止所述第1薄膜
的搬送以进行热熔接,一边将所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊藤秀知武田亮坂本真澄
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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