The invention provides a LED hot school square method, electronic packaging wafer comprises a first step of the multi chip LED for electronic packaging on the wafer neatly placed between the leveling die plate heating furnace; the second step, the top in the flat mould placing weight block; the third step, leveling the temperature setting of the heating furnace and the heat preservation time, and start the heating furnace for multi LED hot leveling processing for electronic packaging wafer; the fourth step, so that the multi LED cooling for electronic packaging wafer in a heating furnace, and remove the cooling after the LED wafer for electronic packaging. In the third step, the temperature is between 700 ~ 1500 DEG C, and the heating rate is from 5 to 15 DEG /min, and the holding time is from 1 to 20 hours.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED(LightEmittingDiode,发光二极管)制造领域,更具体地说,本专利技术涉及一种LED用电子封装圆片的热校平方法。
技术介绍
LED灯芯片中的半导体层可将电流转化为光,半导体层由电子区(即N型掺杂区)和空穴区(即P型掺杂区)组成,电流通过半导体层,电子与空穴结合,以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放,温度可达85℃或更高。现有LED的基片衬底由于是蓝宝石或硅片组成,衬底的散热问题是LED灯寿命较小的最大因素。而且,随着对亮度的要求不断提高,对散热的需求会越来越大。钼铜、钨铜、纯钼具有良好的高温性能和低膨胀系数,同以蓝宝石、硅片为代表的基板具有相同或相近的热膨胀系数,从而此材料作为基板的理想替代材料或理想补充材料。作为电子封装及热沉材料,对于材料的质量和性能具有更高的要求,不仅要求高的纯度和组织均匀、高的导电导热性和严格控制的热膨胀系数,还要求其具有良好的表面以及较低的平面度。LED用电子封装圆片在使用时要进行切割划片,如果产品平面度不好,势必会影响最终芯片的尺寸。因此为了保证最终产品具有良好的平面度,必须进行校平。校平工艺有机械校平和热校平。当金属变形抗力相当大,难以达到很高的平面度时,常常使用模具进行热校平。热校平的原理是将材料加热到金属再结晶温度以下某个适当的温度,这时由于材料变形抗力随温度升高而急剧下降,通过施加很小的外力,就能使板材内部的各层纤 ...
【技术保护点】
一种LED用电子封装圆片的热校平方法,其特征在于包括:第一步骤,将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间;第二步骤,在校平模具板的最上面放置配重块;第三步骤,设置加热炉的校平温度和保温时间,并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理;第四步骤,使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却,随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
【技术特征摘要】
1.一种LED用电子封装圆片的热校平方法,其特征在于包括:
第一步骤,将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模
具板之间;
第二步骤,在校平模具板的最上面放置配重块;
第三步骤,设置加热炉的校平温度和保温时间,并且启动加热炉以便对所
述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理;
第四步骤,使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却,随后取出
冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。
2.根据权利要求1所述的LED用电子封装圆片的热校平方法,其特征在
于,在第三步骤中,热校平处理时,校平温度介于700~1500℃之间,升温速度
为5~15°/min,保温时间为1~7小时。
3.根据权利要求2所述的LED用电子封装圆片的热校平方法,其特征在
于,第三步骤中,热校平处理时,升温速度为5~15°/min,保温时间为1~7小
时。
4.根据权利要求1或2所述的LED用电子封装圆片的热校平方法,其特
征在于,第三步骤中,热校平处理时的气氛为纯氢气为代表的还原性气体、氩
气为代表的惰性气体、真...
【专利技术属性】
技术研发人员:代海,朱玉斌,
申请(专利权)人:上海六晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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