A method includes obtaining planar contact resistance devices: using potentiometric method to obtain the planar device contact resistance; the surface potential distribution measurement, planar devices in current state, junction devices form a voltage drop, voltage extraction Kelvin microscope measured by linear fitting method of reduction, and the voltage drop through the current can be divided by the device, accurately calculate the planar junction size region of contact resistance. The invention can accurately measure the contact resistance of the planar device and is suitable for the measurement of the contact resistance of thin film transistors and diodes. The invention has the advantages of reasonable theory, accurate result, simple and convenient operation, and is beneficial to optimize the performance of the device and establish a complete electrical model of the device.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件测量领域,尤其是涉及一种获取平面型器件的接触电阻的方法。
技术介绍
有机、氧化物、石墨烯等无序半导体器件具有低成本、柔性、透明、可大面积制造等优点,有广阔的应用前景。经过近几年的发展,有机、氧化物半导体器件的理论逐步趋于成熟。并且随着器件性能在不断提升,柔性、透明、可印刷制造的射频电子标签、射频识别卡和平板显示驱动等低端应用产品已进入国内外市场。基于有机、氧化物、石墨烯半导体的薄膜晶体管,以及二极管是柔性、透明电子电路中最核心的元件,其器件性能不断提升,器件迁移率可达到0.1~10cm2/Vs。然而接触电阻的影响,一直制约着其性能的进一步提高。因此更精确地测量器件的接触电阻至关重要。在设计基于薄膜晶体管和二极管的集成电路时,必须考虑接触电阻对器件性能及电路性能的影响。此外,在器件制备过程中,必须考虑怎样的工艺条件才能优化器件的接触电阻。因此对于实验工作者,如何实现精确的器件接触电阻的测量是很有意义的。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的不足,本专利技术的主要目的在于提供一种运用电位测量方法获取平面型器件的接触电阻的方法,该方法采用开尔文显微镜测量平面器件的表面势分布,再从表面势图中提取结区处的接触电压降,从而除以流经电流得到接触电阻大小。为实现上述目的,本专利技术提供了一种获取平面型器件的接触电阻的方法,包括以下步骤:制作平面型器件;对该平面型 ...
【技术保护点】
一种获取平面型器件的接触电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:制作平面型器件;对该平面型器件经行表面电位分布进行测量,该平面型器件处于电流流通状态,器件结区形成一定的电压降,采用测量的该电压降除以流经器件电流,从而精确计算出该平面型器件结区处接触电阻的大小。
【技术特征摘要】
1.一种获取平面型器件的接触电阻的方法,其特征在于,包括以下
步骤:
制作平面型器件;
对该平面型器件经行表面电位分布进行测量,该平面型器件处于电流
流通状态,器件结区形成一定的电压降,采用测量的该电压降除以流经器
件电流,从而精确计算出该平面型器件结区处接触电阻的大小。
2.根据权利要求1所述的获取平面型器件的接触电阻的方法,其特
征在于,对该平面型器件经行表面电位分布进行测量是通过开尔文显微镜
的电势扫描模式来实现的。
3.根据权利要求1所述的获取平面型器件的接触电阻的方法,其特
征在于,该平面型器件为多种异质材料处于同一平面形成的接触结垂直于
平面的器件。
4.根据权利要求3所述的获取平面型器件的接触电阻的方法,其特
征在于,该平面型器件为平面型晶体管。
5.根据权利要求4所述的获取平面型器件的接触电阻的方法,其特
征在于,该平面型晶体管为器件纵向含有栅极且包含...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐光伟,韩志恒,王伟,陆丛研,汪令飞,李泠,刘明,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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