The invention provides a metal insulator metal (MIM) capacitor and forming method thereof, wherein the method comprises providing a substrate, forming the substrate from top to bottom with a first conductive layer, a first insulating layer and the second conductive layer; etching the first conductive layer, a first electrode, the first electrode exposed part of the first insulating layer; forming a first electrode covering the top surface and the side wall, and a portion of the first insulating layer on the top surface of the second insulating layer; etching the second insulating layer and the first insulating layer, and exposed the second conductive layer, a first insulating layer remaining on the first electrode the side wall surface and second layer below the insulation form a side wall structure, a first insulating layer is positioned below the first electrode of the dielectric layer; etching the second conductive layer, forming second Electrode. The method for forming the MIM capacitor of the invention can reduce the etching damage to the dielectric layer in the capacitor.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容及其形成方法。
技术介绍
半导体器件应用于各种电子设备中,诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子产品。通常通过在半导体衬底上方沉积绝缘层、导电层和半导体材料层等,使用光刻工艺对各个材料层进行图形化,以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。半导体产业通过不断缩小各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电容器、电阻器等)的集成度,使得半导体芯片的尺寸减小、功耗降低、性能提高。电容在电路中起着去耦、滤波、谐振、阻抗匹配等作用。常见的电容有集成电容和分离电容两大类。分离电容可制作较大的电容量,但是其体积大,寄生电感和电阻较大。集成电容由于其占用面积小、寄生参量小、节约封装成本等优点正在被越来越多的使用。金属-绝缘体-金属(MIM:Metal-insulator-Metal)结构作为一种集成电容,可用于存储各种半导体器件中的电荷,其在射频集成电路和模拟/混合信号集成电路中有着广泛应用。MIM电容横向地形成在半导体晶圆上,其中两个金属极板将与晶圆表面平行的介质层夹在中间。但是,现有技术形成的MIM电容的性能不佳。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是现有技术形成的MIM电容的性能不佳。为解决上述问题,本专利技术实施例提供了一种MIM电容的形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底上自上而下依次具有第一导电层、第一绝 ...
【技术保护点】
一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上自上而下依次具有第一导电层、第一绝缘层和第二导电层;刻蚀所述第一导电层,形成第一电极,所述第一电极暴露出部分所述第一绝缘层;形成覆盖所述第一电极顶表面和侧壁、以及部分所述第一绝缘层顶表面的第二绝缘层;刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,直至暴露出所述第二导电层,剩余在所述第一电极侧壁表面的第二绝缘层及其下方的第一绝缘层构成侧墙结构,位于所述第一电极下方的第一绝缘层构成电介质层;刻蚀所述第二导电层,形成第二电极。
【技术特征摘要】
1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底上自上而下依次具有第一导电层、第一绝缘层和
第二导电层;
刻蚀所述第一导电层,形成第一电极,所述第一电极暴露出部分所述
第一绝缘层;
形成覆盖所述第一电极顶表面和侧壁、以及部分所述第一绝缘层顶表
面的第二绝缘层;
刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,直至暴露出所述第二导电层,
剩余在所述第一电极侧壁表面的第二绝缘层及其下方的第一绝缘层构成
侧墙结构,位于所述第一电极下方的第一绝缘层构成电介质层;
刻蚀所述第二导电层,形成第二电极。
2.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法,其特征在于,在刻蚀所述第
一导电层,形成第一电极后,继续刻蚀所述第一绝缘层,去除部分所述第
一绝缘层。
3.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法,其特征在于,所述第二绝缘
层与所述第一绝缘层的材料相同。
4.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法,其特征在于,所述第二绝缘
层的厚度为100~2000埃。
5.如权利要求1所述的MIM电容的形成方法,其特征在于,刻蚀所述第二
导电层,形成第二电极包括:
形成覆盖所述第一电极、所述侧墙结构和所述第二导电层的第三绝缘
层;
在所述第三绝缘层上形成与待形成的第二电极对应的图形化掩膜层,
刻蚀所述第三绝缘层和所述第二导电层,形成第二电极。
6.如权利要求5所述的MIM电容的形成方法,其特征在于,在刻蚀所述第
一导电层,刻蚀所述第一绝缘层和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄冲,李志国,董碧云,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。