A LED chip, the LED chip includes: a substrate; a semiconductor epitaxial layer on the substrate, including a N type semiconductor layer, a light-emitting layer and the P type semiconductor layer; and the P type semiconductor layer electrically conductive P electrode and the N type semiconductor layer electrically conductive electrode N pass; the semiconductor epitaxial layer formed in the insulating layer is closed, the P electrodes are all located in the semiconductor epitaxial layer above the layer of insulation, P type semiconductor layer and the insulating layer of P external electrode electric conduction. The insulating layer is closed, and the P electrode are all located in the semiconductor epitaxial layer, layer insulation result, the insulation layer of the epitaxial layer failure, weaken the light absorption of P electrode, enhance the luminous efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供了一种LED芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现,早期只能发出低光度的红光,之后发展出其他单色光的版本,时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。随着技术的不断进步,用途也由初时作为指示灯、显示板等广泛的应用于显示器、电视机采光装置和照明。对于蓝宝石衬底的氮化镓基LED芯片,P电极直接形成在P型半导体层上,导致P电极下面外延发出的光很大部分被P电极吸收。通过导入反射电极,即在P电极底层加入铝等具有反射效果的金属层,能够减弱P电极对光的吸收,有效提高LED芯片的亮度。然而导入反射电极的方法受限于金属的反射率和镀膜的工艺,无法完全避免P电极的吸光现象。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的问题,其目的在于提供一种LED芯片及其制作方法,以避免P电极的吸光。为实现上述目的,本专利技术提供了一种LED芯片,所述LED芯片包括:衬底;位于所述衬底上的半导体外延层,包括N型半导体层、发光层及P型半导体层;与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极;所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层,所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方,所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。作为本专利技术的进一步改进,所述绝缘层贯穿所述N型半导体层、发光层及P型半导体层。作为本专利技术的进一步改进,所述绝缘层的顶端高 ...
【技术保护点】
一种LED芯片,其特征在于:所述LED芯片包括:衬底;位于所述衬底上的半导体外延层,包括N型半导体层、发光层及P型半导体层;与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极;所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层,所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方,所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片,其特征在于:所述LED芯片包括:
衬底;
位于所述衬底上的半导体外延层,包括N型半导体层、发光层及P型半导体层;
与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极;
所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层,所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方,所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。
2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述绝缘层贯穿所述N型半导体层、发光层及P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述绝缘层的顶端高度不低于所述P型半导体层的上表面。
4.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述绝缘层的截面呈圆环形,所述P电极的截面呈圆形,并且所述P电极位于所述绝缘层的中心位置。
5.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述P型半导体层上设有透明导电层,所述P电极设置于透明导电层上侧,所述P电极与绝缘层外部的P型半导体层通过透明导电层电性导通。
6.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述P型半导体层上设有引脚电极,所述P电极与绝缘层外部的P型...
【专利技术属性】
技术研发人员:李庆,张广庚,陈立人,
申请(专利权)人:聚灿光电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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