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一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用技术

技术编号:14553173 阅读:9 留言:0更新日期:2017-02-05 02:21
本发明专利技术公开了一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用,属于半导体功率器件封装制造技术领域。该钎料为铜或铝引线用钎焊料,铜引线用钎焊料为(wt.%):Cu 20-29%,Al 10.0-20.0%,Ag 2.0-11.0%,Bi 2.0-5.0%,Sb 3.0-9.0%,In 3.0-9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料为(wt.%):Cu 21.0-29.0%,Al 18.0-27%,Ag 2.0-9.0%,Bi 2.0-3.5%,Sb 6.0-8.0%,In 6.0-8.0%,Sn为余量。该钎料用于半导体功率器件封装的引线焊接工艺中,焊接温度280-320℃,能直接融化润湿铝垫和框架实现三者之间稳定可靠的连接。

Lead welding solder for semiconductor power device package and preparation method and application thereof

The invention discloses a lead welding solder for semiconductor power device packaging and a preparation method and application thereof. The filler metal is copper or aluminum wire solder, copper wire solder for (wt.%):Cu 20-29% Al, 10.0-20.0% Ag, 2.0-11.0% Bi, 2.0-5.0%, Sb 3.0-9.0%, In 3.0-9.0%, Sn margin; aluminum wire solder for (wt.%):Cu 21.0-29.0% Al 18.0-27%., Ag 2.0-9.0%, Bi 2.0-3.5% Sb, 6.0-8.0%, In 6.0-8.0%, Sn margin. The solder is used in the lead wire welding process of the semiconductor power device package, the welding temperature is 280-320 DEG C, and the aluminum pad and the frame can be directly melted to form a stable and reliable connection between the three.

一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件封装制造
,具体涉及一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用
技术介绍
在自然界中,铜的导电性和导热性仅次于银,居第二位,铜与人的亲和性仅次于钛,因此,铜在电的传输、热量交换和生活日用品领域获得了广泛的应用。在半导体功率器件的封装制造过程中,考虑到功率器件大电流、高发热量、超高功率的特性,决定采用铜代替或部分代替铝线完成芯片和引脚的连接,而其中最为关键的一环,即是实现铜制焊丝(铜线或带状铜桥)和芯片铝垫及框架的稳定连接,但铜铝连接的可靠性问题一直困扰着学术界和制造业界。目前连接铝铜的传统焊接方法包括熔化焊和压力焊等,其中:熔化焊:熔化焊是利用局部加热的方法将连接处的金属加热至熔化状态而完成连接的焊接方法。熔化焊方法在铝铜焊接中存在很大的困难,因为异种金属熔化焊时,接头的力学性能主要取决于熔化的焊缝金属,其次才是热影响区。铝铜熔化焊时,当焊缝中铜的质量分数超过33%时,会形成一定程度的低熔共晶,接头处形成一系列硬脆的化合物。这些化合物的强度都在15MPa以下,力学性能较差。就其工艺而言,铝和铜的熔化温度相差较大,往往铝熔化了而铜还处于固态,易形成未熔合和夹杂,焊接难度较大。在器件封装制造中,融化焊更是难以操作,对母材的部分融化会造成热损伤,对于温度敏感器件尤甚,过早的埋下可靠性隐患。压力焊:目前应用较成功的铝铜连接方法是压力焊,包括超声热压焊(wire<br>bonding)、摩擦焊、冷压焊、爆炸焊、电阻焊、扩散焊、热压焊和磁脉冲焊等,但这种工艺不适用于操作面积小、精度要求高的为电子制造领域。钎焊:钎焊法是目前铝铜连接研究的热点之一。其原理是将焊件母材和比母材熔化温度低的钎料(填充金属)加热到高于钎料熔化温度,但低于母材熔化温度的温度,利用液相钎料润湿母材、填充接头间隙,并与母材相互扩散和发生冶金反应,而实现连接。由于钎焊反应只在母材数微米至数十微米以下界面进行,一般不牵涉母材深层的结构,因此特别有利于异种金属之间的连接。工业中钎焊一般会使用钎料,传统的Sn-Pb焊料由于焊料中的铅对环境和健康的危害性极大,已逐渐被世界各国禁用,而新型的Sn-Cu无铅焊料价格相对低廉,但是铜和铝之间存在1.644V电极电位差非常容易引起腐蚀现象,并且Cu与Al之间容易形成CuAl2脆性化合物,使焊点强度降低。功率器件的封装制造过程中,为了兼顾成本和导热、耐流等电气特性,大规模使用金线不可取,细铝线耐流值不足,影响产品可靠性,因此考虑选用粗铝线和较细的铜线作为焊丝应用在产品中,介于物理特性的差异,就产生了适应于两种焊丝的不同钎焊料:铜焊丝的钎焊料和铝焊丝的钎焊料。目前市场中的以粗铝线为主要应用耗材的打线机速度慢(500ms/线),隐患诸多,亟待改造提升。而Cu、Al都属易氧化金属,两者的焊接一直以来都是国际难题,所以传统意义上的焊接(熔焊和压焊)无法直接应用到微电子制造业中,而钎焊的优势则十分明显。钎焊工艺的加热温度比较低(通过调整组分,可精确控制钎料熔点。因为不同的器件粘片、塑封的工艺温度会有所不同,所以需要有不同熔点的钎焊料)因此钎焊以后焊件的变形小(微小区域加热、瞬间完成焊接过程是保证形变小的前提条件),容易保证焊件的尺寸精度。钎焊工艺可适用于各种金属材料、异种金属、金属与非金属的连接,避开了细小Cu-Al焊接的国际难题。可以一次完成多个零件或多条钎缝的钎焊,生产率较高,适合量产。可以钎焊极薄或极细的零件,以及粗细、厚薄相差很大的零件,配合自动化程度高的自动钎焊机,我们可以期望这一改变足以使国内功率器件生产、国内半导体行业技术的面貌极大改观。但前述亦提到,虽然技术上已经具备可行性,但钎材成分至关重要,钎料一般分为软钎料(低于450℃)和硬钎料(一般高于450℃),芯片生产中自然会选用低温软钎料以减少热损伤,但半导体工艺流程长、工序繁多,所选钎料不但要配合Cu-Al钎焊要求且还需配合引线和焊盘的材质进行选择。功率半导体器件连线连接的两端通常是粗铝线(或铜线)和芯片上的电极铝层,细小的铝-铝或铜-铝焊接素来是一个国际性难题,无成熟配方可供参考。更为重要的,应该关注半导体各段工艺温度的梯度性,引线连线的工艺温度必须介于(芯片粘片工艺的工艺温度)芯片电极的退火温度和引线连接后的塑封工艺温度之间。不同的引线(铜丝或铝丝)焊接将需要用不同的钎焊料。若忽略这一点会引发许多问题,例如热应力导致的翘曲、高于扩散温度引发继续扩散而使得扩散深度超出产品设定值等。可见,寻找一种可靠性高、成本低且适用于半导体功率器件封装制造中铜铝焊接的焊料已成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
为了解决目前半导体功率器件封装技术中焊丝(即引线,采用铝线或铜线)与芯片铝垫或框架(铜材质)的可靠连接问题,本专利技术的目的在于提供一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用,所制备的钎料能直接融化润湿铝垫和框架实现三者之间稳定可靠的连接,其中铝垫和框架由于未达熔点不会融化,而只是预热使得表面充分伸展协助和液相钎料的结合,这就避免了热损伤和传统打线工艺存在的应力问题。为实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案如下:一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,该钎料包括铜引线用钎焊料A和铝引线用钎焊料B,按重量百分含量计,铜引线用钎焊料A化学成分为:Cu20-29%,Al10.0-20.0%,Ag2.0-11.0%,Bi2.0-5.0%,Sb3.0-9.0%,In3.0-9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料B化学成分为:Cu21.0-29.0%,Al18.0-27%,Ag2.0-9.0%,Bi2.0-3.5%,Sb6.0-8.0%,In6.0-8.0%,Sn为余量。上述铜引线用钎焊料A化学成分优选为(wt,%):Cu22-24%,Al18.0-20%,Ag2.0-8.0%,Bi2.0-5.0%,Sb6.0-9.0%,In6.0-9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料B化学成分优选为(wt,%):Cu20.0-22.0%,Al22-25.0%,Ag2.0-9.0%,Bi2.0-3.5%,Sb6.5-8.0%,In6.0-8.0%,Sn为余量。上述铜引线用钎焊料A化学成分更优选为(wt,%):Sn34.1%,Cu22.4%,Al20%,Ag2.0%,Bi3.5%,Sb9.0%,In9.0%;铝引线用钎焊料B化学成分更优选为(wt,%):Sn34.1%,Cu21.0%,A本文档来自技高网
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一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用

【技术保护点】
一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,其特征在于:该钎料包括铜引线用钎焊料A和铝引线用钎焊料B,按重量百分含量计,铜引线用钎焊料A化学成分为:Cu 20‑29%,Al 10.0‑20.0%,Ag 2.0‑11.0%,Bi 2.0‑5.0%,Sb 3.0‑9.0%,In 3.0‑9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料B化学成分为:Cu 21.0‑29.0%,Al 18.0‑27%,Ag 2.0‑9.0%,Bi 2.0‑3.5%,Sb 6.0‑8.0%,In 6.0‑8.0%,Sn为余量。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,其特征在于:该钎料包括铜
引线用钎焊料A和铝引线用钎焊料B,按重量百分含量计,铜引线用钎焊料A化学
成分为:Cu20-29%,Al10.0-20.0%,Ag2.0-11.0%,Bi2.0-5.0%,Sb3.0-9.0%,In
3.0-9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料B化学成分为:Cu21.0-29.0%,Al18.0-27%,
Ag2.0-9.0%,Bi2.0-3.5%,Sb6.0-8.0%,In6.0-8.0%,Sn为余量。
2.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,其特征在
于:按重量百分含量计,铜引线用钎焊料A化学成分为:Cu22-24%,Al18.0-20%,
Ag2.0-8.0%,Bi2.0-5.0%,Sb6.0-9.0%,In6.0-9.0%,Sn为余量;铝引线用钎焊料
B化学成分为:Cu20.0-22.0%,Al22-25.0%,Ag2.0-9.0%,Bi2.0-3.5%,Sb6.5-8.0%,
In6.0-8.0%,Sn为余量。
3.根据权利要求1所述的用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,其特征在
于:按重量百分含量计,铜引线用钎焊料A化学成分为:Sn34.1%,Cu22.4%,Al
20%,Ag2.0%,Bi3.5%,Sb9.0%,In9.0%;铝引线用钎焊料B化学成分为:Sn
34.1%,Cu21.0%,Al23.4%,Ag2.0%,Bi3.5%,Sb8.0%,In8.0%。
4.根据权利要求1-3任一所述的用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料,其
特征在于:所述引线焊接钎料为丝材,直径为0.05-0.3mm。
5.根据权利要求1-3任一所述的用于半导体功率器件封装的引线焊接钎料的制
备方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:王伟
申请(专利权)人:王伟
类型:发明
国别省市:上海;31

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