The invention discloses a RF power amplifier two level stack structure, including the input matching circuit, output broadband matching circuit, and the interstage matching circuit cascade two level amplifier circuit, the two amplifier circuit for driving stage after class for the power level; gate RF signal source is connected with the driver's the bottom transistor through the input matching circuit, a drain connected to the interstage matching circuit at one end of the drive transistor top level, gate level between the other end is connected with the power level of the bottom of the matching circuit of the transistor, the transistor upper power level drain through broadband matching circuit is connected with the load output. This circuit can improve the voltage resistance, output voltage swing, working bandwidth, power efficiency, power gain and maximum output power of the power amplifier.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率放大器,尤其涉及一种射频功率放大器。
技术介绍
作为收发机中射频前端的关键单元,射频功率放大器是现代无线通信系统不可或缺的的重要组成部分,主要用于射频信号的线性放大,并通过天线辐射出去。随着智能手机的普及,移动数据呈指数增长的趋势,为了满足用户的高速数据体验的要求,现代通信系统多采用高频谱效率的调制方式,如QPSK等调制方式,这要求应用于新一代通信系统的射频功率放大器必须有着较高的功率效率、线性度与带宽。另外,为了满足不同地区的用户的使用要求,移动手机一般都要求支持两种或两种以上的网络制式。另外,随着便携式设备的功能模块越来越复杂,将各个功能模块集成在一块芯片上,将大大缩短设备制造商的量产和加工时间,并减少在流片方面的资金消耗,因此,如何减小芯片的有效面积和用廉价的工艺在单一芯片上实现整个射频模组具有重要的研究意义。由于硅工艺是最为成熟的,也是成本最低、集成度最高且与多数无线收发机的基带处理部分工艺相兼容,因此,硅CMOS工艺是单片实现各个模块集成的理想方案,不过CMOS工艺自身存在着物理缺陷,如低击穿电压和较差的电流能力等。工作于低电压的功率放大器,需要通过减小负载阻值进而增大电流的方法来提高输出功率,然后,这种方法使输出匹配电路的设计变得异常困难。在中国专利201510150849.1中,通过采用共源共栅结构的射频功率放大器结构来提升功率级的耐压能力,然而共源共栅 ...
【技术保护点】
一种两级堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,以及通过级间匹配电路级联组成的两级放大器电路,所述两级放大器电路的前级为驱动级,后级为功率级;所述两级放大器电路的每级均包括:至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路,第一偏置电路和第二偏置电路,所述第一偏置电路连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极,所述第二偏置电路连接所述最底层晶体管的栅极,所述其余晶体管的栅极通过连接栅极电容接地,所述最底层晶体管的源极接地;射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述驱动级最底层晶体管的栅极,所述驱动级最上层的晶体管的漏极连接所述级间匹配电路的一端,所述级间匹配电路的另一端连接所述功率级最底层晶体管的栅极,所述功率级最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。
【技术特征摘要】
1.一种两级堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,以及通过级间匹配电路级联组成的两级放大器电路,所述两级放大器电路的前级为驱动级,后级为功率级;
所述两级放大器电路的每级均包括:至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路,第一偏置电路和第二偏置电路,所述第一偏置电路连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极,所述第二偏置电路连接所述最底层晶体管的栅极,所述其余晶体管的栅极通过连接栅极电容接地,所述最底层晶体管的源极接地;
射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述驱动级最底层晶体管的栅极,所述驱动级最上层的晶体管的漏极连接所述级间匹配电路的一端,所述级间匹配电路的另一端连接所述功率级最底层晶体管的栅极,所述功率级最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。
2.根据权利要求1所述的两级堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:所述偏置电路A和偏置电路B由一个整合的偏置电路代替。
3.根据权利要求1所述的两级堆叠...
【专利技术属性】
技术研发人员:林俊明,章国豪,张志浩,余凯,黄敬馨,区力翔,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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