The invention discloses a semiconductor light-emitting diode structure, including an epitaxial substrate, comprising a main surface and a surface; an epitaxial structure on the surface of the main epitaxial substrate, comprises at least a first conductive type semiconductor layer, an active light-emitting layer and a second conductive type semiconductor layer, wherein the first conductive type semiconductor layer with a first side wall, and the first side wall comprises at least a first etching surface and a second etching surface and a first angle, has a first etching surface and the exposed surface, with a second angle beta second etching surface and exposed surface, and the first and second etching surface etching surface and an electrode adjacent to each other; the structure is arranged in the epitaxial structure.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请是申请号为201210423090.6、申请日为2012年10月29日、专利技术名称为“半导体发光二极管结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体发光二极管结构,特别是涉及一种具有多个不平行蚀刻面的半导体发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(light-emittingdiode,LED)是一种使用半导体材料制作而成的固态发光装置,而且能够将电能有效率的转换为光能。由于具有体积小、驱动电压低、反应速率快等优点,发光二极管已被广泛地应用在日常生活的各式电子产品,例如一般照明、广告牌、手机及显示屏背光源等各种用途中。结构上,发光二极管通常包括基底、外延结构,设置在基底上、P电极接触焊盘(P-sideelectrodepad)电连接于外延结构的P型半导体接触层(P-typesemiconductorcontactlayer)、N电极接触焊盘(N-sideelectrodepad)电连接于外延结构的N型半导体接触层(N-typesemiconductorcontactlayer),而外延结构在P型半导体接触层以及N型半导体接触层间另具有活性发光层(activelayer)。此外,在P电极接触焊盘和P型半导体接触层间通常设置有透明导电层(transparentconductivelayer,TCL),和P型半导体接触层构成欧姆接触,可以增进电流的水平扩散能力。
技术实现思路
本专利技术提供一种 ...
【技术保护点】
一种半导体发光二极管结构,其特征在于包括:一外延基底,包含有一主表面和一外露表面;一外延结构,设于所述外延基底的所述主表面上,至少包含有一第一半导体层、一活性发光层和一第二半导体层,其中所述第一半导体层具有一第一侧壁,而且所述第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面,而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第一夹角,所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角,且所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此相邻,所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面都不垂直于所述外延基底的所述外露表面。
【技术特征摘要】
2011.10.27 TW 1001390411.一种半导体发光二极管结构,其特征在于包括:
一外延基底,包含有一主表面和一外露表面;
一外延结构,设于所述外延基底的所述主表面上,至少包含有一第一半导体层、一活性
发光层和一第二半导体层,其中所述第一半导体层具有一第一侧壁,而且所述第一侧壁包
含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面,而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第
一夹角,所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角,且所述第一蚀刻面和所述第
二蚀刻面彼此相邻,所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面都不垂直于所述外延基底的所述外
露表面。
2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构,其特征在于所述的外延基底是一具
有凹凸结构的图案化外延基底。
3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构,其特征在于还包括一外延最底层,其
中所述外延最底层是含铝的氮化层材料。
4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构,其特征在于所述第一蚀刻面和所述
第二蚀刻面彼此不互相平行,及/或所述彼此相邻的第一蚀刻面和所述的第二蚀刻面间有
一位于所述外延结构内的夹角,且所述夹角介于90°至180°之间。
5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构,其特征在于所述第一夹角与所述第
二夹角皆呈锐角,且第一夹角小于所述第二夹角,及/或所述第一蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:温伟值,郭修邑,王泰钧,
申请(专利权)人:广镓光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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