一种蚀刻设备及反应槽装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种蚀刻设备的反应槽装置，包括反应腔室和用于承载待蚀刻基板的下部电极，所述下部电极设置于所述反应腔室内，所述下部电极包括内部区域和位于所述内部区域周围的外围区域；还包括第一冷却部和第二冷却部，所述第一冷却部和所述第二冷却部分别用于连接冷却设备，所述第一冷却部设置在所述下部电极的内部区域，所述第二冷却部设置在所述下部电极的外部区域。通过上述方式，本发明专利技术能够提高对待蚀刻基板的散热能力，以有效降低待蚀刻基板的温度，进而减小电弧效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种蚀刻设备及反应槽装置。
技术介绍
在半导体基板的制造中，等离子体蚀刻工艺可被用于去除材料层或膜层，以在基板上形成图案，例如形成图案化的硅晶圆。用于显示面板的低温多晶硅(LowTemperaturePloy-silicon，LTPS)基板具有更快的电子迁移速率、薄膜电路面积小、可以使显示面板获得更高的分辨率等优点，因而越来越受厂商的欢迎和重视。在低温多晶硅基板的制造过程中，通常需要对层间介电层(ILD)进行蚀刻以在源漏极层和低温多晶硅半导体层形成孔洞。层间介电层由SiNx层和SiO2层构成，而蚀刻剂一般采用CF4，因此蚀刻剂和层间介电层的反应为典型的发热反应，将会导致基板温度升高，尤其是基板边缘部分的温度会明显上升，而基板温度过高容易诱发电弧等效应。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种蚀刻设备及反应槽装置，能够提高蚀刻过程对待蚀刻基板的散热能力，进而减小基板的温度。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种蚀刻设备的反应槽装置，包括反应腔室和用于承载待蚀刻基板的下部电极，所述下部电极设置于所述反应腔室内，所述下部电极包括内部区域和位于所述内部区域周围的外围区域；还包括第一冷却部和第二冷却部，所述第一冷却部和所述第二冷却部分别用于连接冷却设备，所述第一冷却部设置在所述下部电极的内部区域，所述第二冷却部设置在所述下部电极的外围区域。其中，所述第一冷却部和所述第二冷却部相互独立，所述第一冷却部连接至所述冷却设备的第一冷却通道，所述第二冷却部连接至所述冷却设备的第二冷却通道，所述第一冷却通道和所述第二冷却通道相互独立。其中，所述第一冷却部包括四个相互连通的冷却单元，所述第二冷却部包括两个连通的冷却单元。其中，还包括上部电极，所述反应腔室包括顶壁和底壁，所述上部电极固定在所述顶壁上，所述下部电极固定在所述底壁上以与所述上部电极相对设置。其中，所述上部电极上设置有多个陶瓷气孔。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种蚀刻设备，包括反应槽装置和冷却设备；所述反应槽装置包括反应腔室和用于承载待蚀刻基板的下部电极，所述下部电极设置于所述反应腔室内，所述下部电极包括内部区域和位于所述内部区域周围的外围区域；还包括第一冷却部和第二冷却部，所述第一冷却部和所述第二冷却部分别连接所述冷却设备，所述第一冷却部设置在所述下部电极的内部区域，所述第二冷却部设置在所述下部电极的外围区域。其中，所述第一冷却部和所述第二冷却部相互独立，所述第一冷却部连接至所述冷却设备的第一冷却通道，所述第二冷却部连接至所述冷却设备的第二冷却通道，所述第一冷却通道和所述第二冷却通道相互独立。其中，所述第一冷却部包括四个相互连通的冷却单元，所述第二冷却部包括两个连通的冷却单元。其中，所述反应槽装置还包括上部电极，所述反应腔室包括顶壁和底壁，所述上部电极固定在所述顶壁上，所述下部电极固定在所述底壁上以与所述上部电极相对设置。其中，所述上部电极上设置有多个陶瓷气孔。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的反应槽装置中，第一冷却部设置在下部电极的内部区域，第二冷却部设置在下部电极的外围区域，通过设置两个冷却部对下部电极的温度进行控制，进而控制位于下部电极上的待蚀刻基板的温度，从而能够提高蚀刻过程对待蚀刻基板的散热能力，能够有效降低待蚀刻基板的温度，从而减小电弧效应。附图说明图1是本专利技术蚀刻设备的反应槽装置一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。参阅图1，本专利技术蚀刻设备的反应槽装置一实施方式中，蚀刻设备为等离子蚀刻设备，反应槽装置包括：反应腔室11和用于承载待蚀刻基板20的下部电极12。下部电极12设置在反应腔室11内。其中，下部电极12包括内部区域121和位于内部区域121外围的外部区域122。反应槽装置还包括第一冷却部13和第二冷却部14。其中第一冷却部13设置在下部电极12的内部区域121，第二冷却部14设置在下部电极12的外部区域122。其中，第一冷却部13和第二冷却部14分别连接冷却设备30，由此实现散热。本实施方式中，通过在下部电极12的内部区域121和外围区域122分别设置冷却部，由此可以有效提高系统的冷却能力，能够大大降低待蚀刻基板20的温度，从而可以减小蚀刻过程的电弧等效应。进一步地，在本专利技术反应槽装置中，第一冷却部13和第二冷却部14相互独立，第一冷却部13连接冷却设备30的第一冷却通道31，第二冷却部14连接冷却设备30的第二通道32，其中第一冷却通道31和第二冷却通道32相互独立。通过设置两个独立的冷却通道分别对下部电极12的内部和边缘的温度进行控制，能够进一步提高散热效果。其中，第一冷却部13和第二冷却部14可以采用冷却液体的方式进行散热，例如第一冷却部13和第二冷却部14可以是管路形成，分别与冷却设备30的对应冷却通道形成循环冷却液体管路，图中箭头方向表示冷却液体的循环路径。当需要进行散热时，由冷却设备30提供冷却液体，当冷却液体流经第一冷却部13、第二冷却部14后将热能带走。进一步地，第一冷却部13包括四个冷却单元131，四个冷却单元131可以是相互连通的冷却管道，或者其他冷却机构。第二冷却部14包括两个冷却单元141，两个冷却单元141为相互连通的冷却管道。其中，第二冷却部14围绕在第一冷却部13的周围，用以进行下部电极12的边缘的冷却。当然，在其他方式中，第一冷却部13可以仅包括两个冷却单元，或者包括六个或更多个冷却单元，第二冷却部14可以包括三个或更多个冷却单元，对此不做限定。通过使第二冷却部14围绕在第二冷却部13周围，并且利用独立的冷却通道对下部电极12的内部和边缘进行冷却，可以有效提高冷却能力，能够大大降低蚀刻过程基板20边缘的温度。当然，在其他实施方式中，第二冷却部14也可以是设置在下部电极12的周围，例如包围下部电极12，或者也可以设置在下部电极12的本体之外的其他的位置。此外，第一冷却部13和第二冷却部14还可以连接至不同的冷却设备以形成两个独立的冷却通道，进而提高散热效果。继续参阅图1，本实施方式的反应槽装置中，还包括上部电极15。反应腔室11包括顶壁111和底壁112，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻设备的反应槽装置，其特征在于，包括反应腔室和用于承载待蚀刻基板的下部电极，所述下部电极设置于所述反应腔室内，所述下部电极包括内部区域和位于所述内部区域周围的外围区域；还包括第一冷却部和第二冷却部，所述第一冷却部和所述第二冷却部分别用于连接冷却设备，所述第一冷却部设置在所述下部电极的内部区域，所述第二冷却部设置在所述下部电极的外围区域。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻设备的反应槽装置，其特征在于，包括反应腔室和用于
承载待蚀刻基板的下部电极，所述下部电极设置于所述反应腔室内，所
述下部电极包括内部区域和位于所述内部区域周围的外围区域；
还包括第一冷却部和第二冷却部，所述第一冷却部和所述第二冷却
部分别用于连接冷却设备，所述第一冷却部设置在所述下部电极的内部
区域，所述第二冷却部设置在所述下部电极的外围区域。
2.根据权利要求1所述的反应槽装置，其特征在于，所述第一冷却
部和所述第二冷却部相互独立，所述第一冷却部连接至所述冷却设备的
第一冷却通道，所述第二冷却部连接至所述冷却设备的第二冷却通道，
所述第一冷却通道和所述第二冷却通道相互独立。
3.根据权利要求1所述的反应槽装置，其特征在于，所述第一冷却
部包括四个相互连通的冷却单元，所述第二冷却部包括两个连通的冷却
单元。
4.根据权利要求1所述的反应槽装置，其特征在于，还包括上部电
极，所述反应腔室包括顶壁和底壁，所述上部电极固定在所述顶壁上，
所述下部电极固定在所述底壁上以与所述上部电极相对设置。
5.根据权利要求4所述的反应槽装置，其特征在于，所述上部电极
上设置有多个陶瓷气孔。
6.一种蚀刻设备，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳昌模，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42