【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具体涉及低电压金属氧化物半导体场效应管。
技术介绍
MOSFET(Metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,金属-氧化物-半导体场效应管)具有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好等优势,在高频领域应用非常广泛。在工艺上,经过多年的改善,MOSFET产品已经从最初的L-DMOS(横向平面双扩散)结构,逐步发展到目前较为先进的VDMOS(纵向平面双扩散)及trenchMOS(槽栅)结构;然而,由于MOSFET产品尺寸不断减小,其栅极氧化层的厚度也在不断下降,导致栅极氧化层被ESD(静电放电)或系统过电压击穿的概率也明显提高。从本世纪初开始,人们通过在MOSFET的栅极及源极之间引入一组齐纳二极管来增加其防静电能力;此后又经过对齐纳二极管结构的部分升级改造,使其防静电能力逐步增强。齐纳二极管是在多晶硅栅形成后单独构建的,该二极管的存在使MOSFET表面形成一定的高度差。在这种结构下,元胞尺寸的缩小变得更加困难,元胞密度的提升受到限制。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种防静电能力强,元胞尺寸小、密度高的MOSFET器件。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种MOSFET器件,包括一衬底,该衬底上设有外延层,该外延层上设有沟槽式的氧化层,在该沟槽式的氧化层内填充多 ...
【技术保护点】
一种MOSFET器件,包括一衬底,该衬底上设有外延层,该外延层上设有沟槽式的氧化层,在该沟槽式的氧化层内填充多晶硅形成多晶硅栅,构成槽栅区;该氧化层上设有硼磷硅酸层;该槽栅区位于掺杂阱的两侧;所述掺杂阱包括多个第一型掺杂阱和多个第二型掺杂阱,第一型掺杂阱和第二型掺杂阱相互接触;所述硼磷硅酸层上设有栅极金属层和源极金属层;该栅极金属层穿过硼磷硅酸层与所有多晶硅栅相连接,构成栅极;该源极金属层穿过硼磷硅酸层与所有第一型掺杂阱相连接,构成源极;所述的栅极与源极之间连接有齐纳二极管;所述齐纳二极管由多个第一型半导体和多个第二型半导体构成;所述齐纳二极管呈U型状,嵌于掺杂阱之间,并通过氧化层与掺杂阱绝缘。
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件,包括一衬底,该衬底上设有外延层,该外延层上设有沟槽式的氧化
层,在该沟槽式的氧化层内填充多晶硅形成多晶硅栅,构成槽栅区;该氧化层上设有硼磷硅
酸层;该槽栅区位于掺杂阱的两侧;所述掺杂阱包括多个第一型掺杂阱和多个第二型掺杂
阱,第一型掺杂阱和第二型掺杂阱相互接触;所述硼磷硅酸层上设有栅极金属层和源极金
属层;该栅极金属层穿过硼磷硅酸层与所有多晶硅栅相连接,构成栅极;该源极金属层穿过
硼磷硅酸层与所有第一型掺杂阱相连接,构成源极;所述的栅极与源极之间连接有齐纳二
极管;所述齐纳二极管由多个第一型半导体和多个第二型半导体构成;所述齐纳二极管呈U
型状,嵌于掺杂阱之间,并通过氧化层与掺杂阱绝缘。
2.根据权利要求1所述的一种MOS...
【专利技术属性】
技术研发人员:金成汉,
申请(专利权)人:南京晟芯半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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