一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置，包括直流电源、交流电源、发生器组、第一可控硅控制电路、第二可控硅控制电路、第一比较器、第二比较器、逻辑控制电路、变压器、整流电路、第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一电阻器、第二电阻器、电容器、电感、第一继电器、第二继电器、第三继电器和二极管。本实用新型专利技术提供一种自动充退磁装置，能够将钕铁硼中的磁性完全退去；本实用新型专利技术具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种充退磁装置，尤其涉及一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置。
技术介绍
目前，钕铁硼是当代磁性最强的永磁体，它不仅具有高剩磁、高矫顽力、高磁能积、高性价比等优点，而且容易加工成各种尺寸，特别适用于各种性能、小型化、轻型化的电子产品。但是，有时候需要将钕铁硼上的磁性退去，进行重新充磁，而现有的充退磁装置不能够将钕铁硼内的磁性完全退去。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：本技术包括直流电源、交流电源、发生器组、第一可控硅控制电路、第二可控硅控制电路、第一比较器、第二比较器、逻辑控制电路、变压器、整流电路、第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一电阻器、第二电阻器、电容器、电感、第一继电器、第二继电器、第三继电器和二极管，所述发生器组的第一端与所述钕铁硼永磁体连接，所述发生器组的第二端与所述第一可控硅控制电路的第一端连接，所述第一可控硅控制电路的第二端分别与所述第一可控硅的控制端和所述二极管的控制端连接，所述第一可控硅控制电路的控制端与所述逻辑控制电路的控制端连接，所述逻辑控制电路的第一端分别与所述第一比较器的第一端和所述第二比较器的第一端连接，所述第一比较器的第二端与所述第一电阻器的第一端连接，所述第一电阻器的第二端分别与所述电容器的第一端、所述第二电阻器的第一端、所述第一可控硅的负极和所述第二可控硅的正极连接，所述第一可控硅的正极与所述整流电路的正极输出端连接，所述整流电路的正极输入端与所述变压器的二次绕组的第一端连接，所述整流电路的负极输入端与所述变压器的二次绕组的第二端连接，所述变压器的输入端与所述交流电源的输出端连接，所述整流电路的负极输出端分别与所述电容器的第二端、所述第三可控硅的负极、所述电感的第一端和所述第二继电器的第一端连接，所述第三可控硅的正极与所述第二电阻器的第一端连接，所述第二可控硅的控制端串联所述第二可控硅控制电路后与所述逻辑控制电路的第二端连接，所述第三可控硅的控制端串联所述第三继电器后与所述直流电源的输出端连接，所述第二继电器的第二端与所述交流电源的正极连接，所述第二可控硅的负极分别与所述电感的第二端和所述第一继电器的第一端连接，所述第一继电器的第二端与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极与所述交流电源的负极输出端连接。进一步，所述发生器组包括退磁斜率发生器、同步过零脉充发生器和充电脉充发生器。进一步，所述退磁斜率发生器、所述同步过零脉充发生器和所述充电脉充发生器的第一端均与所述钕铁硼永磁体的第一端连接，第二端与所述第一可控硅控制电路的第一端连接。本技术的有益效果在于：本技术提供一种自动充退磁装置，能够将钕铁硼中的磁性完全退去；本技术具有结构简单、性能稳定和使用寿命较长的优点。附图说明图1是本技术所述一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：如图1所示：本技术包括直流电源、交流电源、发生器组、第一可控硅控制电路、第二可控硅控制电路、第一比较器、第二比较器、逻辑控制电路、变压器T、整流电路U、第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、第三可控硅SCR3、第一电阻器R1、第二电阻器R2、电容器C、电感L、第一继电器J1、第二继电器J2、第三继电器J3和二极管D，发生器组包括退磁斜率发生器、同步过零脉充发生器和充电脉充发生器，退磁斜率发生器、同步过零脉充发生器和充电脉充发生器的第一端均与钕铁硼永磁体的第一端连接，第二端与第一可控硅控制电路的第一端连接，第一可控硅控制电路的第二端分别与第一可控硅SCR1的控制端和二极管D的控制端连接，第一可控硅控制电路的控制端与逻辑控制电路的控制端连接，逻辑控制电路的第一端分别与第一比较器的第一端和第二比较器的第一端连接，第一比较器的第二端与第一电阻器R1的第一端连接，第一电阻器R1的第二端分别与电容器C的第一端、第二电阻器R2的第一端、第一可控硅SCR1的负极和第二可控硅SCR2的正极连接，第一可控硅SCR1的正极与整流电路U的正极输出端连接，整流电路U的正极输入端与变压器T的二次绕组的第一端连接，整流电路U的负极输入端与变压器T的二次绕组的第二端连接，变压器T的输入端与交流电源的输出端连接，整流电路U的负极输出端分别与电容器C的第二端、第三可控硅SCR3的负极、电感L的第一端和第二继电器J2的第一端连接，第三可控硅SCR3的正极与第二电阻器R2的第一端连接，第二可控硅SCR2的控制端串联第二可控硅控制电路后与逻辑控制电路的第二端连接，第三可控硅SCR3的控制端串联第三继电器J3后与直流电源的输出端连接，第二继电器J2的第二端与交流电源的正极连接，第二可控硅SCR2的负极分别与电感L的第二端和第一继电器J1的第一端连接，第一继电器J1的第二端与二极管D的正极连接，二极管D的负极与交流电源的负极输出端连接。本领域技术人员不脱离本技术的实质和精神，可以有多种变形方案实现本技术，以上所述仅为本技术较佳可行的实施例而已，并非因此局限本技术的权利范围，凡运用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变化，均包含于本技术的权利范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置，其特征在于：包括直流电源、交流电源、发生器组、第一可控硅控制电路、第二可控硅控制电路、第一比较器、第二比较器、逻辑控制电路、变压器、整流电路、第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一电阻器、第二电阻器、电容器、电感、第一继电器、第二继电器、第三继电器和二极管，所述发生器组的第一端与所述钕铁硼永磁体连接，所述发生器组的第二端与所述第一可控硅控制电路的第一端连接，所述第一可控硅控制电路的第二端分别与所述第一可控硅的控制端和所述二极管的控制端连接，所述第一可控硅控制电路的控制端与所述逻辑控制电路的控制端连接，所述逻辑控制电路的第一端分别与所述第一比较器的第一端和所述第二比较器的第一端连接，所述第一比较器的第二端与所述第一电阻器的第一端连接，所述第一电阻器的第二端分别与所述电容器的第一端、所述第二电阻器的第一端、所述第一可控硅的负极和所述第二可控硅的正极连接，所述第一可控硅的正极与所述整流电路的正极输出端连接，所述整流电路的正极输入端与所述变压器的二次绕组的第一端连接，所述整流电路的负极输入端与所述变压器的二次绕组的第二端连接，所述变压器的输入端与所述交流电源的输出端连接，所述整流电路的负极输出端分别与所述电容器的第二端、所述第三可控硅的负极、所述电感的第一端和所述第二继电器的第一端连接，所述第三可控硅的正极与所述第二电阻器的第一端连接，所述第二可控硅的控制端串联所述第二可控硅控制电路后与所述逻辑控制电路的第二端连接，所述第三可控硅的控制端串联所述第三继电器后与所述直流电源的输出端连接，所述第二继电器的第二端与所述交流电源的正极连接，所述第二可控硅的负极分别与所述电感的第二端和所述第一继电器的第一端连接，所述第一继电器的第二端与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极与所述交流电源的负极输出端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种钕铁硼磁性材料的自动充退磁装置，其特征在于：包括直流电源、交流
电源、发生器组、第一可控硅控制电路、第二可控硅控制电路、第一比较
器、第二比较器、逻辑控制电路、变压器、整流电路、第一可控硅、第二
可控硅、第三可控硅、第一电阻器、第二电阻器、电容器、电感、第一继
电器、第二继电器、第三继电器和二极管，所述发生器组的第一端与所述
钕铁硼永磁体连接，所述发生器组的第二端与所述第一可控硅控制电路的
第一端连接，所述第一可控硅控制电路的第二端分别与所述第一可控硅的
控制端和所述二极管的控制端连接，所述第一可控硅控制电路的控制端与
所述逻辑控制电路的控制端连接，所述逻辑控制电路的第一端分别与所述
第一比较器的第一端和所述第二比较器的第一端连接，所述第一比较器的
第二端与所述第一电阻器的第一端连接，所述第一电阻器的第二端分别与
所述电容器的第一端、所述第二电阻器的第一端、所述第一可控硅的负极
和所述第二可控硅的正极连接，所述第一可控硅的正极与所述整流电路的
正极输出端连接，所述整流电路的正极输入端与所述变压器的二次绕组的
第一端连接，所述整流电路的负极输入端与所述变压器的二次绕组的第二
端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张作恒，林敬霞，陈西云，王学中，刘派，
申请(专利权)人：北京祐林永磁材料有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11