一种带有失真补偿电路的功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有失真补偿电路的功率放大器，包括失真补偿电路和放大电路；所述失真补偿电路包括第一晶体管、并联负反馈电路以及串联负反馈电路；并联负反馈电路连接在第一晶体管的集电极和基极之间，串联负反馈电路连接在第一晶体管的发射极和地之间。所述放大电路包括第二晶体管、第三晶体管、CLC滤波结构和LCL滤波结构；所述CLC滤波结构连接在第二晶体管和第三晶体管之间，LCL滤波结构设置在信号输出端。本实用新型专利技术可实现对放大电路的增益补偿和相位偏差的补偿。且引入了谐振网络，有效的减轻直流信号与交流信号间的相互干扰，使得基波信号可以最大限度的输出。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率放大器，具体涉及一种带有失真补偿电路的功率放大器。
技术介绍
随着通信市场对数据传输速度的要求越来越高，信号的调制也越趋复杂，对于目前的主流通信技术，如:EDGE,WCDMA,以及未来的LTE信号，不仅其信号包络的幅度携带有用信息，其载波的相位也同样包含有用信息。对于线性功率放大器来说，在处理这一信号的过程中，不论发生了幅度失真还是相位失真，都会引起解调误码。这一幅度和相位的失真就是在研究线性功率放大技术中常会遇到的的AM-AM失真和AM-PM失真。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术公开了一种带有失真补偿电路的功率放大器。本技术的技术方案如下：一种带有失真补偿电路的功率放大器，包括失真补偿电路和放大电路；所述失真补偿电路包括第一晶体管、并联负反馈电路以及串联负反馈电路；所述第一晶体管为NPN型晶体管；所述并联负反馈电路包括并联负反馈电阻和并联负反馈电容；并联负反馈电阻的第一端连接第一晶体管的集电极，并联负反馈电阻的第二端连接并联负反馈电容的第一端，并联负反馈电容的第二端连接第一晶体管的基极；所述串联负反馈电路包括串联负反馈电阻；所述串联负反馈电阻的第一端连接第一晶体管的发射极，第二端接地；所述第一晶体管的基极为信号输入端，集电极连接偏置电源，发射极作为信号输出端，将信号传输给所述放大电路；所述放大电路包括第二晶体管、第三晶体管、CLC滤波结构和LCL滤波结构；所述第二晶体管和第三晶体管都为NPN型晶体管；所述CLC滤波结构包括第一电容、第二电容和第一电感；所述第一电容的第一端连接第二晶体管的集电极，第一电容的第二端连接第二电容的第一端，第二电容的第二端连接第三晶体管的基极；所述第一电感的第一端连接在第一电容和第二电容的公共端，第二端接地；所述第二晶体管的基极连接第一晶体管的发射极，集电极连接偏置电源，发射极接地；所述LCL滤波结构包括第二电感、第三电感和第三电容；所述第二电感的第一端连接第三晶体管的集电极，第二电感的第二端连接第三电感的第一端，第三电感的第二端为功率放大器的信号输出端；所述第三电容的第一端连接在第二电感和第三电感的公共端，第二端接地；所述第三晶体管的集电极连接偏置电源，发射极接地；其进一步的技术方案为：还包括两个谐振网络；所述谐振网络包括并联在一起的谐振电容和谐振电感；第一谐振网络的一端连接偏置电源，另一端连接在第二晶体管的集电极；第二谐振网络的一端连接偏置电源，另一端连接在第三晶体管的集电极。本技术的有益技术效果是：本技术公开了一种带有失真补偿电路的功率放大器，通过失真补偿电路中的两个负反馈网络，可实现对放大电路的增益补偿和相位偏差的补偿，改善了AM-AM失真和AM-PM失真。且本技术引入了谐振网络，有效的减轻直流信号与交流信号间的相互干扰，使得基波信号可以最大限度的输出。经过测试，本技术在1.5～1.8的频段范围内，对比同类型的功率放大器，最大功率附加效率大大提高。附图说明图1是本技术的电路结构图。图2是实施例的失真补偿电路的增益曲线。图3是实施例的失真补偿电路的相位偏移曲线。具体实施方式图1是本技术的电路结构图。本技术包括失真补偿电路和放大电路。失真补偿电路作为输入级，放大电路作为失真补偿电路的后级。失真补偿电路包括第一晶体管T1、并联负反馈电路以及串联负反馈电路。第一晶体管T1为NPN型晶体管。并联负反馈电路包括并联负反馈电阻Rf和并联负反馈电容Cf。并联负反馈电阻Rf的第一端连接第一晶体管T1的集电极，并联负反馈电阻Rf的第二端连接并联负反馈电容Cf的第一端，并联负反馈电容Cf的第二端连接第一晶体管T1的基极。串联负反馈电路包括串联负反馈电阻Re，串联负反馈电阻Re的第一端连接第一晶体管T1的发射极，第二端接地。第一晶体管T1的基极为功率放大器的信号输入端，需要被放大的交流信号由此输入，集电极连接偏置电源，发射极作为信号输出端，将经过失真补偿电路处理过的信号传递给放大电路。在图1中，功率放大器的信号源表示为一个电压源和一个电流源，具体包括电压源Vcc、与电压源Vcc串联的电压源电阻Rcc、电流源Ig、与电流源Ig并联的电流源电阻Rg。功率放大器的信号源都连接在第一晶体管T1的基极，作为所输入的信号。并联负反馈电阻Rf、并联负反馈电容Cf和第一晶体管T1共同组成了一个并联负反馈网络，串联负反馈电阻Re和第一晶体管T1共同组成了一个串联负反馈网络。并联负反馈网络使得输入阻抗减小，串联负反馈网络使得输入阻抗增大，根据整个电路的情况，可以调整串联负反馈网络和并联负反馈网络的反馈系数，使其与输入信号的带宽匹配。此外，两种负反馈网络可以使得放大电路的功率增益更加稳定。图2是实施例的失真补偿电路的增益曲线。图3是实施例的失真补偿电路的相位偏移曲线。图2和图3为归一化后的数据，显示了在本实施例的参数情况下，失真补偿电路的作用。由图2和图3可以看出，失真补偿电路可以产生增益增大和相位偏移的情况，则可以补偿放大电路相应的增益和相位的偏移，使得后级的放大电路的线性程度增加。可根据实际的信号输入情况和放大需要，调整失真补偿电路的参数，即可调整相应的增益和相位偏移，以补偿放大电路的失真。放大电路包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、CLC滤波结构以及LCL滤波结构。CLC滤波结构包括第一电容C1、第二电容C2和第一电感L1。第一电容C1的第一端连接第二晶体管T2的集电极，第一电容C1的第二端连接第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端连接第三晶体管T3的基极。第一电感L1的第一端连接在第一电容C1和第二电容C2的公共端，第二端接地。第二晶体管T2的基极连接第一晶体管T1的发射极，接收失真补偿电路所传输的信号，集电极连接偏置电源，发射极接地。LCL滤波结构包括第二电感L2、第三电感L3和第三电容C3。第二电感L2的第一端连接第三晶体管T3的集电极，第二电感L2的第二端连接第三电感L3的第一端，第三电感L3的第二端为信号输出端，输出经功率放大器所处理的信号。第三电容C3的第一端连接在第二电感L2和第三电感L3的公共端，第二端接地。第三晶体管T3的集电极连接偏置电源，发射极接地。第二晶体管T2和第三晶体管T3起到了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有失真补偿电路的功率放大器，其特征在于：包括失真补偿电路和放大电路；所述失真补偿电路包括第一晶体管(T1)、并联负反馈电路以及串联负反馈电路；所述第一晶体管(T1)为NPN型晶体管；所述并联负反馈电路包括并联负反馈电阻(Rf)和并联负反馈电容(Cf)；并联负反馈电阻(Rf)的第一端连接第一晶体管(T1)的集电极，并联负反馈电阻(Rf)的第二端连接并联负反馈电容(Cf)的第一端，并联负反馈电容(Cf)的第二端连接第一晶体管(T1)的基极；所述串联负反馈电路包括串联负反馈电阻(Re)；所述串联负反馈电阻(Re)的第一端连接第一晶体管(T1)的发射极，第二端接地；所述第一晶体管(T1)的基极为信号输入端，集电极连接偏置电源，发射极作为信号输出端，将信号传输给所述放大电路；所述放大电路包括第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、CLC滤波结构和LCL滤波结构；所述第二晶体管(T2)和第三晶体管(T3)都为NPN型晶体管；所述CLC滤波结构包括第一电容(C1)、第二电容(C2)和第一电感(L1)；所述第一电容(C1)的第一端连接第二晶体管(T2)的集电极，第一电容(C1)的第二端连接第二电容(C2)的第一端，第二电容(C2)的第二端连接第三晶体管(T3)的基极；所述第一电感(L1)的第一端连接在第一电容(C1)和第二电容(C2)的公共端，第二端接地；所述第二晶体管(T2)的基极连接第一晶体管(T1)的发射极，集电极连接偏置电源，发射极接地；所述LCL滤波结构包括第二电感(L2)、第三电感(L3)和第三电容(C3)；所述第二电感(L2)的第一端连接第三晶体管(T3)的集电极，第二电感(L2)的第二端连接第三电感(L3)的第一端，第三电感(L3)的第二端为功率放大器的信号输出端；所述第三电容(C3)的第一端连接在第二电感(L2)和第三电感(L3)的公共端，第二端接地；所述第三晶体管(T3)的集电极连接偏置电源，发射极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种带有失真补偿电路的功率放大器，其特征在于：包括失真补偿电路和放大电路；
所述失真补偿电路包括第一晶体管(T1)、并联负反馈电路以及串联负反馈电路；所述第一晶体管(T1)为NPN型晶体管；所述并联负反馈电路包括并联负反馈电阻(Rf)和并联负反馈电容(Cf)；并联负反馈电阻(Rf)的第一端连接第一晶体管(T1)的集电极，并联负反馈电阻(Rf)的第二端连接并联负反馈电容(Cf)的第一端，并联负反馈电容(Cf)的第二端连接第一晶体管(T1)的基极；所述串联负反馈电路包括串联负反馈电阻(Re)；所述串联负反馈电阻(Re)的第一端连接第一晶体管(T1)的发射极，第二端接地；所述第一晶体管(T1)的基极为信号输入端，集电极连接偏置电源，发射极作为信号输出端，将信号传输给所述放大电路；
所述放大电路包括第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、CLC滤波结构和LCL滤波结构；所述第二晶体管(T2)和第三晶体管(T3)都为NPN型晶体管；
所述CLC滤波结构包括第一电容(C1)、第二电容(C2)和第一电感(L1)；所述第一电容(C1)的第一端连接第二晶体管(T2)的集电极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦建堂，万颖高，
申请(专利权)人：无锡中普微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32