用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具制造技术

一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，所述模具由两个压盖和两个环形密封垫组成；所述压盖的内端面上设置有安装槽；安装槽的中部设置有通孔，通孔的外周边沿与安装槽的槽壁之间留有间隔；安装槽的槽底被通孔所截后形成的环形端面记为密封面；所述环形密封垫设置在密封面处，环形密封垫的内孔边沿与所述通孔的外周边沿齐平，两个环形密封垫分别对应两个压盖上的密封面；两个压盖转动连接，当两个压盖转动到位时，两个压盖的内端面相互接触，两个压盖上的安装槽、通孔和密封面互相对正。本实用新型专利技术的有益技术效果是：提出了一种用于硅片局部腐蚀减薄的模具，该模具结构简单，操作方便。

Die for local wet etching thinning of silicon wafer

A thinning of the mold for local silicon wet etching, the mold is made up of two and two cover ring gasket; in the end face of the cover is provided with a mounting groove; central mounting groove is provided with a through hole is arranged between the through hole and the peripheral edge of the mounting groove groove wall septum; annular end face of the mounting groove is formed at the bottom of the groove hole is cut after the note is the sealing surface; the annular sealing pad is arranged in the sealing surface, the inner hole edge of annular seal with the through hole of the outer periphery of the flush, two ring gasket sealing surface corresponding to the two. The two cover; rotating connection, when the two cover rotate in place, in the end of two a contact mounting groove, two gland on the through hole and the sealing surface of each other. The utility model has the advantages of simple structure and convenient operation, and the utility model is used for the local corrosion thinning of the silicon chip.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅片减薄技术，尤其涉及一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具。
技术介绍
随着厚度的减薄，硅片的结构强度也会逐步降低，对于6寸大小的硅片而言，当其减薄至200μm时，硅片就会因自身强度无法支撑自身重量而发生翘曲变形，因此，纯机械研磨的方式难以将硅片减薄至200μm以下；现有技术在将硅片减薄至150μm厚度以下时，一般采用机械研磨与湿法腐蚀相结合的方法来对硅片进行减薄处理，具体的操作方式是：先用机械研磨工艺将硅片减薄至250μm左右，然后再用碱性湿法腐蚀将硅片减薄至指定厚度；在腐蚀时，为了使减薄后的硅片不发生翘曲变形，需要在硅片边缘保留一定宽度的区域（硅片边缘保留的区域厚度为250μm），为了使这一区域不被腐蚀，腐蚀操作中，需要采用专用夹具来将硅片边缘保护起来；现有的专用夹具，设计较为落后，硅片的取放操作十分麻烦。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本技术提出了一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，其结构为：所述模具由两个压盖和两个环形密封垫组成；所述压盖的内端面上设置有安装槽；安装槽的中部设置有通孔，通孔的外周边沿与安装槽的槽壁之间留有间隔；安装槽的槽底被通孔所截后形成的环形端面记为密封面；所述环形密封垫设置在密封面处，环形密封垫的内孔边沿与所述通孔的外周边沿齐平，两个环形密封垫分别对应两个压盖上的密封面；两个压盖转动连接，当两个压盖转动到位时，两个压盖的内端面相互接触，两个压盖上的安装槽、通孔和密封面互相对正。使用时，将待减薄的硅片放置在两个环形密封垫之间，两个压盖合上并固定后，两个环形密封垫就将硅片的边沿夹持住，然后将模具浸入腐蚀液中，腐蚀液就通过压盖上的通孔与硅片中部的表面接触并起到腐蚀作用；另外，现有的专用夹具一次只能夹持一片硅片，本技术一次可以夹持两片硅片，只是需要在两片硅片之间再设置一层密封垫，腐蚀液可以通过两个压盖上的通孔对两侧的硅片表面进行腐蚀。优选地，所述通孔的边沿设置有倒角。现有技术中，专用夹具上腐蚀区的边沿与硅片表面垂直，腐蚀过程中产生的气泡容易在腐蚀区的边沿堆积，影响腐蚀效果，而采用前述优选方案后，硅片表面与通孔边沿的夹角较大，腐蚀过程中产生的气泡很快就消散了，不会堆积。优选地，所述压盖上安装槽的外侧设置有一连接孔，两个压盖上的连接孔位置对应。所述连接孔用于固定两个压盖，当两个压盖将硅片夹好后，在两个连接孔内插入连接螺栓，就能将两个压盖固定在一起。本技术的有益技术效果是：提出了一种用于硅片局部腐蚀减薄的模具，该模具结构简单，操作方便。附图说明图1、本技术的结构示意图；图2、本技术的断面示意图；图中各个标记所对应的名称分别为：压盖1、安装槽1-1、通孔1-2、密封面1-3、连接孔1-4、环形密封垫2、连接螺栓3、待加工的硅片A。具体实施方式一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，其结构为：所述模具由两个压盖1和两个环形密封垫2组成；所述压盖1的内端面上设置有安装槽1-1；安装槽1-1的中部设置有通孔1-2，通孔1-2的外周边沿与安装槽1-1的槽壁之间留有间隔；安装槽1-1的槽底被通孔1-2所截后形成的环形端面记为密封面1-3；所述环形密封垫2设置在密封面处，环形密封垫2的内孔边沿与所述通孔1-2的外周边沿齐平，两个环形密封垫2分别对应两个压盖1上的密封面；两个压盖1转动连接，当两个压盖1转动到位时，两个压盖1的内端面相互接触，两个压盖1上的安装槽1-1、通孔1-2和密封面1-3互相对正。进一步地，所述通孔1-2的边沿设置有倒角。进一步地，所述压盖1上安装槽1-1的外侧设置有一连接孔，两个压盖1上的连接孔位置对应。参见图2，图中示出了3个环形密封垫2，两块硅片夹在3个环形密封垫2中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，其特征在于：所述模具由两个压盖（1）和两个环形密封垫（2）组成；所述压盖（1）的内端面上设置有安装槽（1‑1）；安装槽（1‑1）的中部设置有通孔（1‑2），通孔（1‑2）的外周边沿与安装槽（1‑1）的槽壁之间留有间隔；安装槽（1‑1）的槽底被通孔（1‑2）所截后形成的环形端面记为密封面（1‑3）；所述环形密封垫（2）设置在密封面处，环形密封垫（2）的内孔边沿与所述通孔（1‑2）的外周边沿齐平，两个环形密封垫（2）分别对应两个压盖（1）上的密封面；两个压盖（1）转动连接，当两个压盖（1）转动到位时，两个压盖（1）的内端面相互接触，两个压盖（1）上的安装槽（1‑1）、通孔（1‑2）和密封面（1‑3）互相对正。

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片局部湿法腐蚀减薄的模具，其特征在于：所述模具由两个压盖（1）和两个环形密封垫（2）组成；所述压盖（1）的内端面上设置有安装槽（1-1）；安装槽（1-1）的中部设置有通孔（1-2），通孔（1-2）的外周边沿与安装槽（1-1）的槽壁之间留有间隔；安装槽（1-1）的槽底被通孔（1-2）所截后形成的环形端面记为密封面（1-3）；所述环形密封垫（2）设置在密封面处，环形密封垫（2）的内孔边沿与所述通孔（1-2）的外周边沿齐平，两个环形密封垫（2）分别对应两个压盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：江海波，韩恒利，钟玉杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：新型
国别省市：重庆;50