一种大功率金属单列直插封装对称晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。

High power metal single in line package symmetrical transistor

The utility model relates to a large power metal single in-line package symmetric transistor includes a substrate, a light-emitting layer, a gradient layer and the NPN and PNP structure, NPN structure and PNP structure are arranged symmetrically on the substrate, a base collector and PNP NPN triode tube connected with the tube base and NPN three PNP triode connected together, while the NPN triode PNP and a triode collector connected together; the substrate as the substrate inorganic non-metallic materials; silicon substrate is provided with a groove, wherein the light-emitting layer formed on the NPN and PNP structure, the transition layer is aluminum gallium indium nitride graded layer. Formed in the light emitting layer.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体
，具体的是一种大功率金属单列直插封装对称晶体管。
技术介绍
通常，集成电路包含形成在衬底上的NMOS(η型金属-氧化物-半导体)晶体管和PMOS(P型金属-氧化物-半导体）晶体管的组合。集成电路的性能与其所包含的晶体管的性能有直接关系。因此，希望提高晶体管的驱动电流以增强其性能。美国专利申请No.20100038685Α公开了一种晶体管，在该晶体管的沟道区与源/漏区之间形成位错，这种位错产生拉应力，该拉应力提高了沟道中的电子迁移率，由此晶体管的驱动电流得以增加。对已经形成了栅极电介质和栅极的半导体衬底进行硅注入，从而形成非晶区域。对该半导体衬底进行退火，使得非晶区域再结晶，在再结晶过程中，水平方向和竖直方向上的两个不同的晶体生长前端相遇，从而形成了位错。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述问题，提出一种大功率金属单列直插封装对称晶体管。一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。所述对称晶体管还包括形成在所述衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量；进一步包括位于所述源区和漏区上方的半导体层，该半导体层使得所述位错不暴露于自由表面；其中源区和漏区中每一个具有至少两组位错，且其中每组包含两个位错；其中所述位错对沟道区施加拉应力，使得所述沟道区的电子迁移率增加。所述氮化铟铝镓渐变层的厚度为25nm。所述对称晶体管的第一引线11-1；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第1开关手段Q1；与上述第1开关手段Q1的控制输入端相连的第二引线BU；与上述第1开关手段Q1的另一端相连的第3引线U；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第2开关手段Q2；与上述第2开关手段Q2的控制输入端相连的第4引线BV；与上述第2开关手段Q2的另一端相连的第5引线V；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第3开关手段Q3；与上述第3开关手段Q3的控制输入端相连的第6引线BW；与上述第3开关手段Q3的另一端相连的第7引线W；具有控制输入端且一端与上述第3引线U相连的第4开关手段Q4；与上述第4开关手段Q4的控制输入端相连的第8引线BX；具有控制输入端且一端与上述第5引线V相连的第5开关手段Q5；与上述第5开关手段Q5的控制输入端相连的第9引线BY；具有控制输入端且一端与上述第7引线W相连的第6开关手段Q6；与上述第6开关手段Q6的控制输入端相连的第10引线BZ；与上述第4至第6开关手段Q4～Q6的另一端相连的第11引线11-2；封装有上述第1至第6开关手段Q1～Q6和上述第1～第11引线11-1，BU，U，BV，V，BW，W，BX，BY，BZ，11-2的内引线部分的SIP型组件14；且上述第8引线BX，第9引线BY，第10引线BZ和第11引线11-2相邻配置。所述无机非金属材料衬底由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述衬底由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3mm。根据本技术的晶体管由于在源/漏区具有更多的位错，因此作用在沟道区的拉应力得到增强，沟道区的电子迁移率也得以进一步增加。附图说明图1是根据本技术的一个实施例的晶体管的横截面示意图；图2是衬底的结构示意图。其中，1是衬底；2是栅极电解质；3是发光层；4是渐变层；5是NPN和PNP结构；6是导电层；7是绝缘；11是硅层；12是氮化硅层；13是碳化硅层；14是碳层；15是氧化铝基体层。具体实施方式一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。所述对称晶体管还包括形成在所述衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量；进一步包括位于所述源区和漏区上方的半导体层，该半导体层使得所述位错不暴露于自由表面；其中源区和漏区中每一个具有至少两组位错，且其中每组包含两个位错；其中所述位错对所述沟道区施加拉应力，使得所述沟道区的电子迁移率增加。所述氮化铟铝镓渐变层的厚度为25nm。所述对称晶体管的第一引线11-1；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第1开关手段Q1；与上述第1开关手段Q1的控制输入端相连的第二引线BU；与上述第1开关手段Q1的另一端相连的第3引线U；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第2开关手段Q2；与上述第2开关手段Q2的控制输入端相连的第4引线BV；与上述第2开关手段Q2的另一端相连的第5引线V；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第3开关手段Q3；与上述第3开关手段Q3的控制输入端相连的第6引线BW；与上述第3开关手段Q3的另一端相连的第7引线W；具有控制输入端且一端与上述第3引线U相连的第4开关手段Q4；与上述第4开关手段Q4的控制输入端相连的第8引线BX；具有控制输入端且一端与上述第5引线V相连的第5开关手段Q5；与上述第5开关手段Q5的控制输入端相连的第9引线BY；具有控制输入端且一端与上述第7引线W相连的第6开关手段Q6；与上述第6开关手段Q6的控制输入端相连的第10引线BZ；与上述第4至第6开关手段Q4～Q6的另一端相连的第11引线11-2；封装有上述第1至第6开关手段Q1～Q6和上述第1～第11引线11-1，BU，U，BV，V，BW，W，BX，BY，BZ，11-2的内引线部分的SIP型组件14；且上述第8引线BX，第9引线BY，第10引线BZ和第11引线11-2相邻配置。所述无机非金属材料衬底由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述衬底由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3mm。最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，其特征在于：包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。

【技术特征摘要】
1.一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，其特征在于：包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。
2.根据权利要求1所述的对称晶体管，其特征在于：所述对称晶体管还包括形成在所述衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量；进一步包括位于所述源区和漏区上方的半导体层，该半导体层使得所述位错不暴露于自由表面；其中源区和漏区中每一个具有至少两组位错，且其中每组包含两个位错；其中所述位错对沟道区施加拉应力，使得所述沟道区的电子迁移率增加。
3.根据权利要求2所述的对称晶体管，其特征在于：所述氮化铟铝镓渐变层的厚度为25nm。
4.根据权利要求1所述的对称晶体管，其特征在于：所述对称晶体管的第一引线11-1；具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第1开关手段Q1；与上述第1开关手段Q1的控制输入端相连的第二引线BU；与上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王开敏，张伟，裴立新，毛晶，
申请(专利权)人：沈阳飞达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21