一种磁路系统、扬声器及移动终端技术方案

技术编号:14528530 阅读:137 留言:0更新日期:2017-02-02 10:38
本发明专利技术实施例提供了一种磁路系统、扬声器及移动终端,该磁路系统包括磁钢、磁石和华司;所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体;所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中;所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中;在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构;和/或,在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构。从而到达引导磁场的效果,磁场在导磁介质中通过,对于尖锐的部位,引起的物理效应会更强,即磁场强度会增强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
,尤其涉及一种磁路系统、一种扬声器及一种移动终端。
技术介绍
随着移动通信技术的发展,移动终端已经成为人们生活中不可或缺的一部分,实现了随时随地无障碍通话,并且,移动终端所包含的很多常用的功能,给人们生活带来便利。在移动终端中,为了进行通话、播放歌曲等操作,基本会安装扬声器,即将电能转换为声音的换能器件。在动圈式扬声器中,尤其是在微型的动圈式扬声器中,磁路系统是的重要结构组成部分,能够提供的磁能被音圈利用,产生声音。当音圈离开磁路系统时,磁场的强度降低,音圈的受力也随之降低,容易造成比较明显的非线性失真,导致发出的声音产生浑浊、发毛、发沙、发破、发炸或者发硬等问题,音质变差。如果通过增大磁能或者减小磁路间隙来加强磁场对于音圈的作用,受材料的限制,容易漏磁,不仅造成磁能浪费,而且影响周围的电子器件的正常运作。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种磁路系统,以解决如何在避免漏磁的前提下、改善非线性失真的问题。第一方面,提供了一种磁路系统,所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司;所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体;所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中;所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中;在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构;和/或,在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构。第一方面,提供了一种扬声器,所述扬声器包括振动系统和磁路系统;所述振动系统包括振膜和音圈;所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司;所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体;所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中;所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中;在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构,和/或,在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构;所述振膜位于所述磁钢和所述华司之上,所述音圈悬挂在所述振膜之下;所述音圈的两侧为所述第一尖端结构和/或所述第二尖端结构。第三方面,提供了一种移动终端,所述移动终端包括上述的扬声器。这样,本专利技术实施例中,利用磁的尖端聚集现象,在壁体内侧设置有至少一个朝向华司的第一尖端结构,和/或,在华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构,从而到达引导磁场的效果,磁场在导磁介质中通过,对于尖锐的部位,引起的物理效应会更强,即磁场强度会增强。当音圈位置离开磁路间隙之后,磁场强度降低缓慢,音圈处在磁场中的长度变小,在音圈中的电流值不变的情况下,音圈所受的安培力缓慢减小,可以使得音圈受力在整个磁场中变得均衡,而且磁能的扩宽可以使得音圈所受的安培力的作用更大,让音圈在离开磁路间隙较远时,也能够有较好的动力,提高喇叭的灵敏度,减缓非线性失真。并且,对磁路系统并没有进行大的改造,没有对增大磁能或者减少磁路间隙,来加强磁场对于音圈的作用,因此,避免了漏磁,从而避免了磁能浪费以及影响周围的电子器件的正常运作。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的剖面图;图2是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图3是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图4是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图5是一种传统的磁路系统的磁路仿真的示例图;图6是一种传统的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图;图7是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图;图8是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图;图9是本专利技术的一种示例性实施例的扬声器的剖面图;图10是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图;图11是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图12是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图13是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图14是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图;图15是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图;图16是本专利技术的一种示例性实施例的扬声器的剖面图;图17是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的剖面图;图18是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图19是本专利技术的另一种示例性实施例的磁路系统的局部放大图;图20是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的示例图;图21是本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的磁路仿真的磁场强度的示例图;图22是本专利技术的一种示例性实施例的扬声器的剖面图;图23是本专利技术一个实施例的移动终端的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例一参照图1,示出了本专利技术的一种示例性实施例的磁路系统的剖面图。如图1所示,该磁路系统100为内磁式结构,较外磁式结构漏磁小、体积小,适用于微型化的扬声器,以应用在移动终端(如手机、平板电脑等等)的受话器、耳机等零部件中。该磁路系统100可以包括磁钢110(yoke)、磁石120(maghet)和华司130(washer/plate)。磁钢110为U铁(U-Yoke),材料多为SPCC(一般用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCD(冲压用冷轧碳素钢薄板及钢带)、SPCE(深冲用冷轧碳素钢板及钢带)等,主要通过冲压制作。磁钢110具有底座111和位于底座111上方的壁体112,通常情况下,底座111为圆形、壁体112为圆环形状,两者吻合,使得磁钢110呈筒形、其剖面图呈“U”形。磁石120的材料为磁性材料,如铝镍钴和稀土类(如钕硼铁)等,用于产生磁能,形状大多为圆形、椭圆形,也有组装需要及特殊设计成异型,如方形、三角形等,位于底座111之上、壁体112包围的区域之中,磁石120一般与底座111直接接触,而与壁体112之间留有空隙,并非直接接触。华司130又称上板、上片,一般由热轧钢板(含碳量)冲压而成,,形状大多为圆形、椭圆形,也有组装需要及特殊设计成异型,如方形、三角形等,位于磁石120之上、壁体112包围的区域之中,华司130一般与磁石120直接接触,而与壁体112之间留有空隙,并非直接接触。在本专利技术实施例中,在壁体112内侧设置有至少一个朝向华司130的第一尖端结构113,即第一尖端结构113是壁体112的末端,体积较壁体112小。如图2所示,华司130与壁体112之间形成磁路间隙140,又称磁隙(GAP),第一尖端结构113的顶部面积小于壁体112在磁路间隙140中的表面积,第一尖端结构113的顶部面积小于华司130在磁路间隙140中的表面积。为了保证磁场的导通效果,第一尖端结构113的至少部分结构位于磁路间隙140中,即第一尖端结构113可以有部分结构位于磁路间隙140外。当第一尖端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁路系统,其特征在于,所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司;所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体;所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中;所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中;在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构;和/或,在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构。

【技术特征摘要】
1.一种磁路系统,其特征在于,所述磁路系统包括磁钢、磁石和华司;所述磁钢具有底座和位于所述底座上方的壁体;所述磁石位于所述底座之上、所述壁体包围的区域之中;所述华司位于所述磁石之上、所述壁体包围的区域之中;在所述壁体内侧设置有至少一个朝向所述华司的第一尖端结构;和/或,在所述华司外侧设置有至少一个朝向所述磁钢的第二尖端结构。2.根据权利要求1所述的磁路系统,其特征在于,所述华司与所述壁体之间形成磁路间隙;所述第一尖端结构的至少部分结构位于所述磁路间隙中;和/或,所述第二尖端结构的至少部分结构位于所述磁路间隙中。3.根据权利要求2所述的磁路系统,其特征在于,当所述第一尖端结构的数量为两个或两个以上时,多个所述第一尖端结构之间的距离大于或等于所述磁路间隙的宽度;和/或,当所述第二尖端结构的数量为两个或两个以上时,多个所述第二尖端结构之间的距离大于或等于所述磁路间隙的宽度。4.根据权利要求1-3任一项所述的磁路系统,其特征在于,所述壁体在所述磁路间隙中具有凸出结构,所述凸出结构超出所述壁体的内侧边缘;在所述凸出结构中设置第一凹槽,以在所述第一凹槽两侧形成第一尖端结构。5.根据权利要求1-3任一项所述的磁路系统,所述华司的边缘结构超出所述磁石的外侧边缘;在所述边缘结构中设置有第二凹槽,以在所述第二凹槽两侧形成第二尖端结构。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:阮清波王志远
申请(专利权)人:维沃移动通信有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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