一种EMI耦合器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种EMI耦合器件,包括电容芯片、引线、磁珠、包封体，两引线分别与电容芯片的两电极焊接固定，磁珠套设在引线上，所述包封体将电容芯片及部分磁珠包封为一体，引线的一端及部分磁珠露在包封体外。所述的磁珠露在包封体外的长度为磁珠全长的1/5～1/2。本实用新型专利技术具有结构紧凑、尺寸稳定、性能一致便于整机装配等一系列优点，彻底消除因震荡引起的噪声，明显降低装配的劳动强度和物料管控难度，节省装配线人工和工序，适应智能装配需要。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电器元件领域，特别涉及一种EMI耦合器件。
技术介绍
当前，随着传统元件科研生产逐步走向成熟，电子元件行业正在步入以新材料、新工艺、新技术带动下的产品更新升级和深化发展的新时期，产业整体呈现出向集成化方向发展趋势，而且，随着电子信息产业整体发展，对于电子元件行业的发展也提出新要求。随着微电子电路、表面安装技术(SMT)的采用和不断发展完善，集成化程度成为衡量电子整机产品的重要标志。随着各种电子整机产品自动化生产进程的不断提高，对电子元器件的集成化和高性能提出了更高的要求，如何在保证产品性能的同时满足整机自动化装配的要求成了电子元件制造行业新的课题和挑战。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种适合自动插件设备使用的EMI耦合器件，同时保证该产品满足电性能要求。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案实现：一种EMI耦合器件,包括电容芯片、引线、磁珠、包封体，两引线分别与电容芯片的两电极焊接固定，磁珠套设在引线上，所述包封体将电容芯片及部分磁珠包封为一体，引线的一端及部分磁珠露在包封体外。所述的电容芯片为瓷介电容芯片、云母电容芯片、电解电容芯片、涤纶电容芯片、聚苯乙烯电容芯片、聚丙烯电容芯片。所述磁珠为锰锌铁氧体或镍锌铁氧体或其他高频感性材料制成。所述的引线为拉伸成型，其材质为铁及铁合金、铝及铝合金、铜及铜合金、银及银合金。所述的磁珠露在包封体外的长度为磁珠全长的1/5～1/2。所述的电容芯片为片式、圆柱型、鼓型、碟形、方形或其他形状。所述EMI耦合器件装配形式包括垂直装配、L型装配、T型装配及表面贴装。与现有的技术相比，本技术的有益效果是：本技术具有结构紧凑、尺寸稳定、性能一致便于整机装配等一系列优点，彻底消除因震荡引起的噪声，明显降低装配的劳动强度和物料管控难度，节省装配线人工和工序，适应智能装配需要。附图说明图1为圆柱型电容芯片垂直装配形式耦合器件示意图。图2为圆柱型电容芯片L型装配形式耦合器件示意图。图3为圆柱型电容芯片T型装配形式耦合器件示意图。图4为方形电容芯片异侧电极耦合器件示意图。图5为方形电容芯片同侧电极耦合器件示意图。图中：电容芯片1、引线2、磁珠3、包封体4。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式进一步说明：如图1-图5，一种EMI耦合器件,包括电容芯片1、引线2、磁珠3、包封体4，两引线2分别与电容芯片1的两电极焊接固定，电容芯片为瓷介电容芯片、云母电容芯片、电解电容芯片、涤纶电容芯片、聚苯乙烯电容芯片、聚丙烯电容芯片及其他介质和本体封装形式的耦合电容芯片，电容芯片1的电极可在芯片的同侧或异侧。引线为拉伸成型，其材质为铁及铁合金、铝及铝合金、铜及铜合金、银及银合金。磁珠3套设在引线2上，磁珠为锰锌铁氧体或镍锌铁氧体制成。所述包封体4将电容芯片1及部分磁珠3包封为一体，引线2的一端及部分磁珠3露在包封体外。露在包封体外的磁珠长度为磁珠全长的1/5～1/2。EMI耦合器件的为片式、圆柱型、鼓型、碟形、方形或其他形状。EMI耦合器件装配形式包括垂直装配、L型装配、T型装配及表面贴装。上面所述仅是本技术的基本原理，并非对本技术作任何限制，凡是依据本技术对其进行等同变化和修饰，均在本专利技术保护方案的范畴之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EMI耦合器件,其特征在于，包括电容芯片、引线、磁珠、包封体，两引线分别与电容芯片的两电极焊接固定，磁珠套设在引线上，所述包封体将电容芯片及部分磁珠包封为一体，引线的一端及部分磁珠露在包封体外。

【技术特征摘要】
1.一种EMI耦合器件,其特征在于，包括电容芯片、引线、磁珠、包封体，两引线分别与电容芯片的两电极焊接固定，磁珠套设在引线上，所述包封体将电容芯片及部分磁珠包封为一体，引线的一端及部分磁珠露在包封体外。2.根据权利要求1所述的一种EMI耦合器件,其特征在于，所述的电容芯片为瓷介电容芯片、云母电容芯片、电解电容芯片、涤纶电容芯片、聚苯乙烯电容芯片、聚丙烯电容芯片。3.根据权利要求1所述的一种EMI耦合器件,其特征在于，所述磁珠为锰锌铁氧体或镍锌铁氧体制成。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：范垂旭，李红心，史宝林，
申请(专利权)人：鞍山厚德科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21