用于倒装芯片的LED支架以及LED制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于倒装芯片的LED支架，所述LED支架包括基板(10)，其中，所述基板(10)上铺设有绝缘带(30)，所述绝缘带(30)两侧铺设有金属层，所述绝缘带两侧的金属层分别为正极区域(21)与负极区域(22)，所述正极区域(21)与所述负极区域(22)上分别设置有凹槽。上述用于倒装芯片的LED支架以及LED，在基板的正极区域以及负极区域设置有凹槽，锡膏可均匀填充于凹槽中，回流焊时熔融锡膏不会移动偏移，从而避免封装过程锡膏熔融偏移造成的IR问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利属于LED封装
，特别是涉及一种用于倒装芯片的LED支架以及LED。
技术介绍
近年来，随着LED产品技术的快速发展，倒装芯片由于其热阻低，超电流驱动和高光效的优势，已成为行业研究的重点方向，然而倒装芯片存在漏电流(IR)问题。现有技术中，存在通过Au-Sn合金电极技术以及共晶焊技术，以使得倒装芯片和基板进行良好的焊接，并避免IR问题，但该技术需使用Au-Sn合金设备以及共晶焊设备，投入成本高，且共晶焊技术中温度高达320℃，这是常规的SMD塑胶支架和白油类基板所无法承受的应用条件，该温度已超过塑胶熔融温度，易导致其熔融变形，白油黄变，反射率急剧下降。倒装芯片采用锡膏固晶技术虽然实用性强，性价比高。但是封装后由于锡膏在回流焊时的熔融方向不可控，而出现锡膏流动导通倒装芯片底部的正负极，从而出现IR问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对采用锡膏固晶技术固定倒装芯片时易出现漏电流的问题，提供一种用于倒装芯片的LED支架以及LED。本技术提供的一种用于倒装芯片的LED支架，所述LED支架包括基板，其中，所述基板上具有金属层以及绝缘带，所述绝缘带将所述金属层隔绝为正极区域与负极区域，所述正极区域与所述负极区域上分别设置有凹槽。在其中的一个实施例中，所述凹槽为倒梯形凹槽。在其中的一个实施例中，所述梯形为等腰梯形。在其中的一个实施例中，所述倒梯形凹槽底面与侧面的夹角为100°～120°。在其中的一个实施例中，所述凹槽开口的面积与倒装芯片的电极面积相同。在其中的一个实施例中，所述凹槽深度为20μm～30μm。在其中的一个实施例中，所述凹槽的壁上设置有凹陷或凸起的纹路。在其中的一个实施例中，所述正极区域与所述负极区域的凹槽结构不同。在其中的一个实施例中，所述LED支架为贴片式支架、平板式支架、COB支架、大功率支架中的一种。本技术还提供一种LED，其中，所述LED包括如上所述的LED支架。上述用于倒装芯片的LED支架以及LED，在基板的正极区域以及负极区域设置有凹槽，锡膏可均匀填充于凹槽中，回流焊时熔融锡膏不会移动偏移，从而避免封装过程锡膏熔融偏移造成的IR问题。上述用于倒装芯片的LED支架以及LED，倒梯形结构的凹槽有助于锡膏充分均匀的填充于凹槽内，有利于降低锡膏在老化受热过程中的应力，提升成品生产过程中的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术用于倒装芯片的LED支架实施例1结构示意图；图2为图1中A处放大图；图3为包括实施例1所述的用于倒装芯片的LED支架的LED结构示意图；图4为本技术用于倒装芯片的LED支架实施例2结构示意图；图5为包括实施例2所述的用于倒装芯片的LED支架的LED结构示意图；其中，10-基板；21-正极区域；22-负极区域；30-绝缘带；41-正极凹槽；42-负极凹槽；50-塑料围堰；60-倒装芯片；70-封装胶。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本技术的用于倒装芯片的LED支架以及LED进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1至图3所示，本技术实施例1的支架为一种贴片式用于倒装芯片60的LED支架。该支架包括基板10，在基板10上铺设有绝缘带30，绝缘带30的两侧铺设有金属层，两侧的金属层分别为正极区域21以及负极区域22。通过模压法在正极区域21邻近绝缘带30的位置设置有正极凹槽41；在负极区域22邻近绝缘带30的位置设置有负极凹槽42。在金属层上设置有塑料围堰50，该塑料围堰50在正极凹槽41以及负极凹槽42为中心的区域形成封装腔体。上述正极凹槽41以及负极凹槽42为倒梯形凹槽，其中梯形为等腰梯形，其在金属层上形成的倒梯形凹槽深度为20μm，凹槽开口面积与倒装芯片60的电极面积相同，倒梯形凹槽底面与侧面的夹角α为100°。凹槽为倒梯形凹槽，有助于锡膏充分填充与凹槽内，熔融成型后的锡膏为倒梯形结构，在封装烘烤固化时可减少锡膏所受的应力，提升了锡膏电连通的可靠性。作为可选的实施方式，上述正极凹槽41以及负极凹槽42可以为矩形凹槽或倒三角形凹槽。作为可选的实施方式，上述正极凹槽41以及负极凹槽42可以在凹槽的壁上设置有凹陷或凸起的纹路，以进一步放置锡膏在封装烘烤固化时所受的应力作用。当进行倒装芯片60封装时，在正极凹槽41以及负极凹槽42中注满锡膏，将倒装芯片60的正极对准正极凹槽41、负极对准负极凹槽42固定该倒装芯片60，通过回流焊技术熔融锡膏使倒装芯片60与LED支架形成电通路。向塑料围堰50形成的封装腔体内灌注封装胶70，烘烤使封装胶70固化完成封装。由于锡膏注入在正极凹槽41和负极凹槽42中，当通过回流焊技术熔融锡膏时，锡膏受到正极凹槽41以及负极凹槽42的限制作用，高温回流焊时锡膏不会熔融流出正极凹槽41或负极凹槽42，从而可以使锡膏与金属层以及倒装芯片60的正负极电性连接优良，也避免正极和负极的连通，不会出现IR问题。请参阅图4至图5所示，本技术实施例2的支架为一种平板式用于倒装芯片60的LED支架。该支架包括基板10，在基板10上设置有金属层，通过绝缘带30将金属层隔绝为正极区域21以及负极区域22。通过刻蚀法在正极区域21邻近绝缘带30的位置设置有正极凹槽41；在负极区域22邻近绝缘带30的位置设置有负极凹槽42。上述正极凹槽41以及负极凹槽42为倒梯形凹槽，其中梯形为等腰梯形，其在金属层上形成的倒梯形凹槽深度为30μm，凹槽开口面积与倒装芯片60的电极面积相同，倒梯形凹槽底面与侧面的夹角α为120°。当进行倒装芯片60封装时，在正极凹槽41以及负极凹槽42中注满锡膏，将倒装芯片60的正极对准正极凹槽41、负极对准负极凹槽42固定该倒装芯片60，通过回流焊技术熔融锡膏使倒装芯片60与LED支架形成电通路。点高触变封装胶70在倒装芯片60上方，使高触变封装胶70形成半球形结构，烘烤使高触变封装胶70固化完成封装。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于倒装芯片的LED支架，所述LED支架包括基板(10)，其特征在于，所述基板(10)上铺设有绝缘带(30)，所述绝缘带(30)两侧铺设有金属层，所述绝缘带两侧的金属层分别为正极区域(21)与负极区域(22)，所述正极区域(21)与所述负极区域(22)上分别设置有凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于倒装芯片的LED支架，所述LED支架包括基板(10)，其特征在于，所述基板(10)上铺设有绝缘带(30)，所述绝缘带(30)两侧铺设有金属层，所述绝缘带两侧的金属层分别为正极区域(21)与负极区域(22)，所述正极区域(21)与所述负极区域(22)上分别设置有凹槽。2.根据权利要求1所述LED支架，其特征在于，所述凹槽为倒梯形凹槽。3.根据权利要求2所述的LED支架，其特征在于，所述梯形为等腰梯形。4.根据权利要求2所述的LED支架，其特征在于，所述倒梯形凹槽底面与侧面的夹角为100°～120°。5.根据权利要求1所述的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：任艳艳，
申请(专利权)人：惠州雷通光电器件有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44