发光二极管封装件制造技术

技术编号:14520753 阅读:101 留言:0更新日期:2017-02-01 23:48
本实用新型专利技术提供一种发光二极管封装件,包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对从所述半导体层叠结构体发出的光进行波长变换,所述壁部与所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域隔开。根据本实用新型专利技术,环绕半导体层叠结构体的壁部配置成从半导体层叠结构体的侧面隔开或覆盖侧面中一部分,从而使光可以向半导体层叠结构体的侧面释放,能够提高发光二极管封装件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管封装件,更详细而言,涉及一种能够提高发光效率的发光二极管封装件。
技术介绍
发光二极管作为释放因电子与空穴复合而发生的光的无机半导体元件,最近,在显示装置、汽车灯直至普通照明的多样领域使用。这种发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点。因此,利用了发光二极管的发光装置有望替代现有的光源。利用发光二极管的发光二极管芯片根据电极位置及结构,分为水平型发光二极管芯片、倒装芯片型发光二极管芯片及垂直型发光二极管芯片,其中,倒装芯片型发光二极管芯片由于电极位于下部,因而具有能够直接贴装于基板上使用的优点。进一步地,倒装芯片型发光二极管芯片具有向水平方向充分发生电流分散、散热效率好的优点,广泛用于高功率发光装置。而且,为了利用如上所述的发光二极管芯片,在释放白色光或其它波长的光的发光装置中使用,可以在发光二极管芯片上部配置有荧光体。而且,为了切断向发光二极管芯片的侧面发光的光,以环绕发光二极管芯片周围的方式形成壁部。因此,使得发光二极管芯片发光的光只向发光二极管芯片的上部释放。
技术实现思路
技术问题本技术要解决的课题是提供一种与以往发光二极管封装件相比能够提高发光效率的发光二极管封装件。技术方案本技术提供一种发光二极管封装件,包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对从所述半导体层叠结构体发出的光进行波长变换,所述壁部与所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域隔开。另一方面,本技术提供一种发光二极管封装件,包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对所述半导体层叠结构体发出的光进行波长变换,所述壁部覆盖所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域。技术效果根据本技术,环绕发光二极管芯片的壁部以从发光二极管芯片的侧面隔开或覆盖侧面中一部分的方式进行配置,因而光可以向发光二极管芯片的侧面释放,从而能够提高发光二极管封装件的发光效率。进一步地,环绕发光二极管芯片的壁部倾斜地形成,以便能够反射向发光二极管芯片的侧面释放的光并反射到发光二极管封装件的上部,具有能够提高发光二极管封装件的发光效率的效果。另外,用透明的树脂填充发光二极管芯片与壁部之间隔开的空间,从而使发光二极管芯片被透明的树脂包围,因而具有能够提高发光二极管封装件的可靠性的效果。附图说明图1是图示本技术一个实施例的发光二极管封装件的背面的俯视图;图2是沿图1截取线I-I′得到的剖面图;图3是放大图示图2的(A)的剖面图;图4是图示本技术另一实施例的发光二极管封装件的剖面图。附图标记说明100:发光二极管封装件110:半导体层叠结构体112:第1导电型半导体层114:活性层116:第2导电型半导体层122:第1电极焊盘124:第2电极焊盘124a:指部130:电极焊盘连接部131:第1接触层131a:中间层133:第1绝缘层135:第2接触层137:第2绝缘层139:缓冲接触层140:壁部142:倾斜面144:内侧上面150:透明部160:波长变换部具体实施方式本技术一个实施例的发光二极管封装件可以包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对所述半导体层叠结构体发光的光进行波长变换,所述壁部可以与所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域隔开。此时,所述壁部可以覆盖所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域。而且,可以还包括透明部,其配置于所述半导体层叠结构体与壁部的隔开的空间,所述半导体层叠结构体、透明部及壁部的上面可以为同一平面。其中,所述透明部可以包含硅,所述波长变换部可以包含硅,所述透明部包含的硅可以与所述波长变换部包含的硅的种类互不相同。另外,环绕所述半导体层叠结构体的所述壁部的内侧面可以为倾斜面,所述倾斜面可以为反射面。另外,所述倾斜面可以为向所述半导体层叠结构体方向凸出的形状。此时,所述发光二极管芯片可以包括:半导体层叠结构体,其包括第1导电型半导体层、配置于所述第1导电型半导体层下部的第2导电型半导体层及介于所述第1导电型半导体层及第2导电型半导体层之间的活性层;第1接触层,其与所述第1导电型半导体层接触;第2接触层,其与所述第2导电型半导体层接触,与所述第1接触层电气绝缘;第1电极焊盘,其配置于所述第1接触层下部,与所述第1接触层电气接触;及第2电极焊盘,其与所述第1电极焊盘隔开,与所述第2接触层电气接触,所述半导体层叠结构体可以包括凸台,所述凸台具有贯通所述第2导电型半导体层及活性层而使所述第1导电型半导体层露出的一个以上的贯通孔;所述第1接触层可以通过所述一个以上的贯通孔而与所述第1导电型半导体层接触;所述第2接触层可以配置于所述凸台下部。而且,所述发光二极管芯片可以还包括配置于所述第2接触层与所述第2电极焊盘之间的中间层,所述发光二极管芯片还包括配置成覆盖所述凸台且介于所述第1接触层与第2接触层之间使得所述第1接触层与所述凸台及第2接触层之间绝缘的第1绝缘层。另外,所述发光二极管芯片可以还包括第2绝缘层,其覆盖在所述第1电极焊盘及第2电极焊盘之间露出的所述第1接触层。此时,所述壁部可以配置于所述第1电极焊盘及第2电极焊盘之间。而且,所述发光二极管芯片可以还包括位于所述半导体层叠结构体的下部的第1电极焊盘及第2电极焊盘,所述第2电极焊盘可以包括多个指部,所述多个指部可以朝向所述第1电极焊盘配置。另一方面,本技术一个实施例的发光二极管封装件可以包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其外置所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对所述半导体层叠结构体发光的光进行波长变换,所述壁部可以覆盖所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域。下面参照附图,详细说明本技术的实施例。下面介绍的实施例是为了使得本技术的技术思想能够充分传递给所属领域的技术人员而作为示例提供的。因此,本技术不限定于以下说明的实施例,也可以以其它形态具体化。而且,在附图中,构成要素的宽度、长度、厚度等可以为了便利而夸张表现。在通篇说明书中,相同的参照符号代表相同的构成要素。图1是图示本技术一个实施例的发光二极管封装件的背面的俯视图,图2是沿图1的截取线I-I′得到的剖面图。而且,图3是放大显示图2的(A)的剖面图。如果参照图1及图2,本技术一个实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片、壁部140、透明部150及波长变换部160。发光二极管芯片配备一个以上,包括半导体层叠结构体110、电极焊盘连接部130、第1电极焊盘122及第2电极焊盘124。在本实施例中,发光二极管芯片不配置于另外的基板上,在半导体层叠结构体110上结合有第1电极焊盘122及第2电极焊盘124。这种发光二极管芯片可以以该状态进行封装或直接贴装于外部装置。半导体层叠结构体110在下部配备有电极焊盘连接部130,可以通过电极焊盘连接部130而分别与第1电极焊盘122及第2电极焊盘124电气结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装件,其特征在于,包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对从所述半导体层叠结构体发出的光进行波长变换,所述壁部与所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域隔开。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装件,其特征在于,包括:发光二极管芯片,其包括半导体层叠结构体;壁部,其环绕所述发光二极管芯片;及波长变换部,其配置于所述半导体层叠结构体及壁部的上部,对从所述半导体层叠结构体发出的光进行波长变换,所述壁部与所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域隔开。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述壁部覆盖所述半导体层叠结构体的侧面中至少一部分区域。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其特征在于,还包括:透明部,其配置于所述半导体层叠结构体与壁部的隔开空间。4.根据权利要求3所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述半导体层叠结构体、透明部及壁部的上面为同一平面。5.根据权利要求3所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述透明部包含硅。6.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述波长变换部包含硅,所述透明部包含的硅与所述波长变换部包含的硅的种类互不相同。7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其特征在于,环绕所述半导体层叠结构体的所述壁部的内侧面为倾斜面。8.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述倾斜面为反射面。9.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述倾斜面为向所述半导体层叠结构体方向凸出的形状。10.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其特征在于,所述发光二极管芯片包括:半导体层叠结构体,其包括第1导电型半导体层、配置于所述第1导电型半导体层的下部的第2导电型半导体层及介于所述第1导电型半导体层及第2导电型半导体层之间的活性层;第1接触层,其与所述第1导电型半导体层接触;第2接触层,其与所述第2导电型半导体层接触,与所述第1接触层电气绝缘;第1电极焊盘,其配置于所述第1接触...

【专利技术属性】
技术研发人员:安智惠朴宰贤
申请(专利权)人:首尔半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:韩国;KR

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