一种过电压保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电压保护领域，尤其涉及一种过电压保护电路。一种过电压保护电路，应用于对一电源的保护中，所述过电压保护电路包括：第一二极管；三极管，所述三极管的基极与所述第一二极管的阴极连接，所述三极管的集电极或发射极与所述电源连接；MOS管，所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极或发射极连接，所述MOS管的源极或漏极与所述电源连接。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电压保护领域，尤其涉及一种过电压保护电路。
技术介绍
当前许多过电压保护(OVP)电路提供过压保护的同时将连接其电源进行切断，断开电源与其后面电路或芯片的连接，从而来保护后面的电路或芯片。但是，例如在集成电路板的测试阶段和客户端使用中，部分电源一旦切断之后，集成电路板就无法进行正常测试工作，造成了系统的瘫痪。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，现提供了一种过电压保护电路。具体的技术方案如下：一种过电压保护电路，应用于对一电源的保护中，所述过电压保护电路包括：第一二极管；三极管，所述三极管的基极与所述第一二极管的阴极连接，所述三极管的第一端与所述电源连接；MOS管，所述MOS管的栅极与所述三极管的第二端连接，所述MOS管的第三端与所述电源连接。优选的，还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOS管的第四端连接，所述第二二极管的阴极与所述电源连接。优选的，所述第一二极管的阳极通过一第一电阻接地。优选的，所述第一二极管的阳极接地。优选的，所述第一二极管为齐纳二极管或瞬态抑制二极管。优选的，所述三极管的第二端通过一第二电阻接地。优选的，所述MOS管、所述三极管和所述第二二极管集成于同一器件中。优选的，所述第一二极管、所述MOS管、所述三极管和所述第二二极管集成于同一器件中。优选的，所述三极管为PNP型三极管。优选的，所述MOS管为NMOS管。上述技术方案的有益效果是：上述技术方案在不切断连接其电源的情况下，将过压电压进行释放，例如在浪涌突波，错接用电电源的情况下，可以及时地对电路进行保护，同时又不影响如测试与客户等的使用。附图说明图1为本技术一种过电压保护电路的实施例的电路连接图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，下述技术方案，技术特征之间可以相互组合。下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明：一种过电压保护电路，应用于对一电源Vcc的保护中，如图1所示，过电压保护电路包括：第一二极管D1；三极管Q，三极管Q的基极与第一二极管D1的阴极连接，三极管Q的第一端与电源Vcc连接；MOS管，MOS管的栅极与三极管Q的第二端连接，MOS管的第三端与电源Vcc连接。本实施例中，当电源Vcc某一个时间段的电压超过第一二极管D1的击穿电压时，例如，在三极管Q的发射极与基极之间产生一个对地释放电流，足以让三极管Q集电极和发射极之间导通，提供一个电压给到MOS管的栅极(Gate)，从而MOS管的漏极和源极之间导通，进而将电源VCC的电压迅速拉低。本实施例的过电压保护电路可以为一种一类不间断过电压保护电路，该芯片由主控MOS管和检测控制单元(第一二极管D1和三极管Q)组成，具有响应速度快，保护电压范围宽，保护电压精度高，漏电流小，释放电流大(数百毫安至数十安培)，抗浪涌能力强，箝位电压小(ClampingVoltagesmall),发热小，高可靠性等特点，在不影响客户体验的情况下，实时对过电压进行有效保护。本技术一个较佳的实施例中，还包括第二二极管D2，第二二极管D2的阳极与MOS管的第四端连接，第二二极管D2的阴极与电源Vcc连接。本实施例中的第二二极管D2为防止反接用的功率二极管。本技术一个较佳的实施例中，第一二极管D1的阳极通过一第一电阻R1接地。本技术一个较佳的实施例中，所述三极管Q的第二端通过一第二电阻R2接地。在三极管Q的集电极或发射极可以通过一第二电阻R2接地，起到一定的电流释放作用。本技术一个较佳的实施例中，第一二极管D1的阳极接地。本技术一个较佳的实施例中，第一二极管D1为齐纳二极管。本技术一个较佳的实施例中，第一二极管D1为瞬态抑制二极管。本实施例中，电压检测可以用齐纳二极管芯片或瞬态抑制二极管芯片半导体放电管芯片，芯片的截止电压范围根据实际应用电路设计，趋近于需要保护的电压点，不限值，功率要求较小。本实施例保护电源时不会将电源切断，既有极大的脉冲电流又有较高的稳态功率、电流。同时实现了瞬态抑制二极管脉冲电流特性好和齐纳二极管稳态电流好的两大特点。本实施例的过压保护电路做到了保护电压范围宽，响应速度快，释放电流大，释放电流可持续时间长，反应速度快，保护电压精准，箝位电压小，发热小，漏电流小的特点。本技术一个较佳的实施例中，MOS管、三极管Q和第二二极管D2集成于同一器件中。本技术一个较佳的实施例中，第一二极管D1、MOS管、三极管Q和第二二极管D2集成于同一器件中。上述实施例中，可以将第一二极管D1、MOS管、三极管Q和第二二极管D2集成在一个单芯片之上，引出4个管脚，其中四个管脚可以分别为第一二极管D1的阳极、三极管Q的源极或漏极(MOS管的栅极)、MOS管的源极或漏极(第二二极管D2的阳极)和电源，这样可以更有利减小空间，降低成本，封装在一个利于散热的封装中(但不限于封装样式)，如DFN系列封装。能更多的被客户应用在要求封装更小，厚度更薄的电子电路中，并且散热效果更好。本技术一个较佳的实施例中，三极管Q为PNP型三极管Q。本实施例中，电压检测用PNP型三极管Q，提供电压给到MOS管的栅极，该三极管Q功率较小，也可以用功率较大的，根据实际应用电路，三极管Q的集电极-发射极击穿电压(Collector-EmitterBreakdownVoltage)设计时大于实际电路最大工作电压，不限值。其中，三极管Q的集电极-基极击穿电压(Collector-BaseBreakdownVoltage)不小于需要保护的电压点，即第一二极管D1的截止电压。本技术一个较佳的实施例中，MOS管为NMOS管。本实施例中，功率N沟道MOS管，主要释放过电压点的电流，主要特点是耐电流大，过瞬态电流大，导通内阻小，发热小，结合上述实施例的封装的散热设计起到更大功率电流的释放。NMOS管的漏-源击穿电压(Drain-SourceBreakdownVoltage)不小于需要保护的电压点，漏电流(DrainCurrent)根据最大释放电流大小进行设计。综上，上述技术方案中的过电压保护电路的工作电压范围宽，可调节击穿电压点，限压特性好，可靠性强，响应速度快，保护电压范围宽，保护电压精度高，漏电流小；抗稳态电流大，瞬态过流能力强，抑制电压小，导通阻抗小，可恢复性强，导通热阻小，可用于瞬态和常态下的过压保护。此外相比其他OVP电路，研制技术成熟，成本低，可操作性强。通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本技术精神，还可作其他的转换。尽管上述技术提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本技术的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本技术的意图和范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过电压保护电路，其特征在于，应用于对一电源的保护中，所述过电压保护电路包括：第一二极管；三极管，所述三极管的基极与所述第一二极管的阴极连接，所述三极管的第一端与所述电源连接；MOS管，所述MOS管的栅极与所述三极管的第二端连接，所述MOS管的第三端与所述电源连接。

【技术特征摘要】
1.一种过电压保护电路，其特征在于，应用于对一电源的保护中，所述过电压保护电路包括：第一二极管；三极管，所述三极管的基极与所述第一二极管的阴极连接，所述三极管的第一端与所述电源连接；MOS管，所述MOS管的栅极与所述三极管的第二端连接，所述MOS管的第三端与所述电源连接。2.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOS管的第四端连接，所述第二二极管的阴极与所述电源连接。3.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述第一二极管的阳极通过一第一电阻接地。4.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述第一二极管的阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宗金，欧新华，袁琼，王晨，俞慧，
申请(专利权)人：上海芯导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31