一种高电压光控器电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高电压光控器电路，包括整流输入电路、滤波稳压电路、单片机、光强度触发电路和继电器触发电路，所述滤波稳压电路包括依次连接的π型滤波电路、稳压芯片、功率MOSFET驱动电路、隔离开关变压器和整流滤波输出电路，所述整流输入电路的输出端连接π型滤波电路的输入端，所述整流滤波输出电路的输出端分别连接单片机的供电端、光强度触发电路的供电端和继电器触发电路的供电端，所述光强度触发电路的输出端连接单片机的输入端，所述单片机的输出端连接继电器触发电路的输入端。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有高电压适配、性能稳定可靠、功耗小、结构简单、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，尤其是涉及一种高电压光控器电路。
技术介绍
光控器领域内，使用电子线路实现光控器的宽电压工作，主要是采用阻容降压的方式，因为实现成本低廉，能满足光控器工作的基本要求，因为是阻容降压的电路方式，因此为了实现宽电压的使用，牺牲了光控器对于照度方面的要求，也就是说在低电压和高电压工作时，开关灯的照度值是会有所偏差的，并且这样的实现方式，整个光控器自身的功耗基本会在3-6瓦左右。还有一些电子式光控器，选用了一些集成度较高的芯片，内置了多级放大电路和功能电路，比如TS3704芯片，配合了宽电压降压电路，实现了宽电压工作和低功耗两大优势。虽然是低功耗，但是其功耗也要在2瓦左右，并且光控器可实现的开关灯照度和延时可选择性仍然是十分的有限。目前所生产的光控器使用的高电压大多数都是在300V以内的，部分单片机光控器使用的高电压范围为105～305V，但是有些客户使用产品的电压达到了480V，给光控器产品创新提出了更高的要求，虽然也有开发出满足高电压使用要求的产品，但是由于受到元器件性能的影响，产品的稳定性达不到顾客的满意要求，而且给光控器的生产工艺也增加了难度。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种高电压光控器电路，具有高电压适配、性能稳定可靠、功耗小、结构简单、成本低等优点。本技术的目的可以通过以下技术方案来实现：一种高电压光控器电路包括整流输入电路、滤波稳压电路、单片机、光强度触发电路和继电器触发电路，所述滤波稳压电路包括依次连接的π型滤波电路、稳压芯片、功率MOSFET驱动电路、隔离开关变压器和整流滤波输出电路，所述整流输入电路的输出端连接π型滤波电路的输入端，所述整流滤波输出电路的输出端分别连接单片机的供电端、光强度触发电路的供电端和继电器触发电路的供电端，所述光强度触发电路的输出端连接单片机的输入端，所述单片机的输出端连接继电器触发电路的输入端。所述π型滤波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电感、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述整流输入电路的正输出端分别连接第一电容的一端、第一电阻的一端和第一电感的一端，整流输入电路的负输出端分别连接第三电容的一端、第三电阻的一端、第四电阻的一端、第四电容的一端和地端，所述第一电容的另一端分别连接第一电阻的另一端、第三电容的另一端和第三电阻的另一端，所述第一电感的另一端分别连接第二电阻的一端、第二电容的一端和稳压芯片的供电端，所述第二电阻的另一端分别连接第二电容的另一端、第四电阻的另一端和第四电容的另一端。所述功率MOSFET驱动电路包括第五电阻、第五电容、第一二极管、N沟道场效应管、第一稳压管、第二稳压管、第六电阻和第七电阻，所述第五电阻的一端分别连接π型滤波电路的输出端、第五电容的一端和隔离开关变压器中初级绕组的一端，第五电阻的另一端分别连接第五电容的另一端和第一二极管的负极，所述第一二极管的正极分别连接隔离开关变压器中初级绕组的另一端和N沟道场效应管的漏极，所述N沟道场效应管的栅极分别连接第一稳压管的负极、第二稳压管的负极和第七电阻的一端，N沟道场效应管的源极分别连接稳压芯片的输出端和第一稳压管的正极，所述第二稳压管的正极连接地端，所述第七电阻的另一端连接π型滤波电路的输出端。所述N沟道场效应管采用N沟道耗尽型场效应管。所述隔离开关变压器上设有辅助电源绕组，所述辅助电源绕组的一端连接稳压芯片的供电端，另一端连接地端。所述整流滤波输出电路包括第二二极管、第六电容、第八电阻、第二电感、第七电容、第三电感和第八电容，所述第二二极管的正极连接隔离开关变压器中次级绕组的一端，第二二极管的负极分别连接第六电容的一端、第八电阻的一端、第二电感的一端和继电器触发电路的供电端，所述第六电容的另一端分别连接隔离开关变压器中次级绕组的另一端、第八电阻的另一端和地端，所述第二电感的另一端分别连接第七电容的一端、第三电感的一端和单片机的供电端，所述第三电感的另一端分别连接第八电容的一端和光强度触发电路的供电端，所述第七电容的另一端和第八电容的另一端均分别连接地端。所述第二电感采用铁氧体磁珠。所述单片机采用AVR单片机。所述整流输入电路的输入端连接的交流电源的最高值为480V。与现有技术相比，本技术具有以下优点：1)本技术中π型滤波电路对整流后的直流电源进一步处理，为后级电路提供相对纯净的直流电压，设计功率MOSFET驱动电路，将电源的耐受电压提高到交流电压480V，甚至更高，隔离开关变压器将直流高压与直流低压电路充分隔离，输出安全的12V电压和5V电压，为单片机的PWM输出信号提供能量存储与转换功能，本技术将光控电路与单片机技术的完美结合，不仅有效的解决了原来技术所解决不了的问题，产品性能参数可以根据顾客需要快速方便的改动，而且不再受高电压限制，可接入高电压电源工作，性能稳定可靠。2)本技术选用的芯片、电路结构并不复杂，各芯片、各电路之间的连接简洁清晰，可实现光控器的低功耗工作。3)本技术结构简单，成本低，适合在光控器领域中推广应用。附图说明图1为本技术电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。本实施例以本技术技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于下述的实施例。如图1所示，一种高电压光控器电路包括整流输入电路、滤波稳压电路、单片机U3、光强度触发电路和继电器触发电路，滤波稳压电路包括依次连接的π型滤波电路、稳压芯片U2、功率MOSFET驱动电路、隔离开关变压器T1和整流滤波输出电路，整流输入电路的输出端连接π型滤波电路的输入端，整流滤波输出电路的输出端分别连接单片机U3的供电端、光强度触发电路的供电端和继电器触发电路的供电端，光强度触发电路的输出端连接单片机U3的输入端，单片机U3的输出端连接继电器触发电路的输入端。下面对各电路模块分别说明：整流输入电路采用由二极管D7-D14构成的全桥整流电路，全桥整流电路的输入端连接接口J1上的火线L和零线N，且全桥整流电路的输入端上串联有熔断器FR1，且并联有一压敏电阻VAR。π型滤波电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，整流输入电路的正输出端分别连接第一电容C1的一端、第一电阻R1的一端和第一电感L1的一端，整流输入电路的负输出端分别连接第三电容C3的一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第四电容C4的一端和GND，第一电容C1的另一端分别连接第一电阻R1的另一端、第三电容C3的另一端和第三电阻R3的另一端，第一电感L1的另一端分别连接第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端和稳压芯片U2的供电端，第二电阻R2的另一端分别连接第二电容C2的另一端、第四电阻R4的另一端和第四电容C4的另一端。π型滤波电路对整流后的直流电源进一步处理，为后级电路提供相对纯净的直流电压。稳压芯片U2还包括稳压芯片U2的周围电路，稳压芯片U2的引脚VIN通过电阻R9、R10连接π型滤波电路的正输出端hv，还通过电容C11连接GND，稳压芯片U2的引脚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压光控器电路，包括整流输入电路、滤波稳压电路、单片机、光强度触发电路和继电器触发电路，其特征在于，所述滤波稳压电路包括依次连接的π型滤波电路、稳压芯片、功率MOSFET驱动电路、隔离开关变压器和整流滤波输出电路，所述整流输入电路的输出端连接π型滤波电路的输入端，所述整流滤波输出电路的输出端分别连接单片机的供电端、光强度触发电路的供电端和继电器触发电路的供电端，所述光强度触发电路的输出端连接单片机的输入端，所述单片机的输出端连接继电器触发电路的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种高电压光控器电路，包括整流输入电路、滤波稳压电路、单片机、光强度触发电路和继电器触发电路，其特征在于，所述滤波稳压电路包括依次连接的π型滤波电路、稳压芯片、功率MOSFET驱动电路、隔离开关变压器和整流滤波输出电路，所述整流输入电路的输出端连接π型滤波电路的输入端，所述整流滤波输出电路的输出端分别连接单片机的供电端、光强度触发电路的供电端和继电器触发电路的供电端，所述光强度触发电路的输出端连接单片机的输入端，所述单片机的输出端连接继电器触发电路的输入端。2.根据权利要求1所述的一种高电压光控器电路，其特征在于，所述π型滤波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电感、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述整流输入电路的正输出端分别连接第一电容的一端、第一电阻的一端和第一电感的一端，整流输入电路的负输出端分别连接第三电容的一端、第三电阻的一端、第四电阻的一端、第四电容的一端和地端，所述第一电容的另一端分别连接第一电阻的另一端、第三电容的另一端和第三电阻的另一端，所述第一电感的另一端分别连接第二电阻的一端、第二电容的一端和稳压芯片的供电端，所述第二电阻的另一端分别连接第二电容的另一端、第四电阻的另一端和第四电容的另一端。3.根据权利要求1所述的一种高电压光控器电路，其特征在于，所述功率MOSFET驱动电路包括第五电阻、第五电容、第一二极管、N沟道场效应管、第一稳压管、第二稳压管、第六电阻和第七电阻，所述第五电阻的一端分别连接π型滤波电路的输出端、第五电容的一端和隔离开关变压器中初级绕组的一端，第五电阻的另一端分别连接第五电容的另一端和第一二极管的负极，所述第一二极管的正极分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄健翔，顾宝华，陈巍，
申请(专利权)人：上海朗骏智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31