【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED领域,具体涉及一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构。
技术介绍
LED灯是现在广泛应用的照明灯具,具有体积小、亮度高、耗电量低、发热少、使用寿命长、环保等优点,并且具有繁多的颜色种类,深受消费者的喜爱。其中白光和黄光的LED灯主要用于日常照明。LED灯的生产可大致分为三个步骤:一是LED发光芯片的制作,二是线路板的制作和LED发光芯片的封装,三是LED灯的组装。LED灯内最重要的部件是LED发光芯片,LED发光芯片的主体是一个发光PN结,主要由N型半导体、P型半导体和夹在两者之间的发光层组成,N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极,并在通电后发光。LED发光芯片发出的光线颜色主要由芯片材料决定,如现有的LED发光芯片大多采用氮化镓半导体材料制作,发出蓝光。采用蓝光LED发光芯片制作其他的单色LED灯时,需要在封装步骤中掺入荧光粉,荧光粉受激发后发出的光与LED发光芯片的蓝光混合后成为其他颜色的光线。此外,现有的LED发光芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层(SiO2层),起保护作用,光阻层(由光刻胶形成)设置在钝化层外。由于现有的LED发光芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层,之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻,使金属电极外露,工序繁琐,制作麻烦,增加成本;同时,由于SiO2是硬性材料,抗冲击、抗压的能力较差,钝化层不能很好起到保护作用。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构,利用软性材料的 ...
【技术保护点】
一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构,其特征在于:包括衬底(10),所述衬底(10)上依次设置有N‑GaN层(20)、发光层(30)和P‑GaN层(40),形成LED晶圆,所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层(60),所述光阻层(60)由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成,所述光刻胶内均匀混合有量子点, 所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构,其特征在于:包括衬底(10),所述衬底(10)上依次设置有N-GaN层(20)、发光层(30)和P-GaN层(40),形成LED晶圆,所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层(60),所述光阻层(60)由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成,所述光刻胶内均匀混合有量子点,所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。
技术研发人员:郝锐,易翰翔,刘洋,许徳裕,
申请(专利权)人:广东德力光电有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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