利用碳纳米管或碳纳米管‑金属复合体的陶瓷糊剂组合物及包含其的导电性膜制造技术

技术编号:14504934 阅读:246 留言:0更新日期:2017-01-31 13:46
本发明专利技术的陶瓷糊剂组合物的特征为,所述陶瓷糊剂组合物包含碳纳米管或碳纳米管‑金属复合体及硅粘合剂,并且所述硅粘合剂包含45~65重量%的二氧化硅及0.1~10重量%的硅烷醇基,并且甲基:苯基为1重量比:0.3~2.5重量比。本发明专利技术的陶瓷糊剂组合物具有表面电阻低的特征,并且通过该特征可以实现优异的发热特性及屏蔽、吸收或导电特性。此外,与常规的以碳纳米管为基础的糊剂相比,即使在发热温度为非常高的400℃下,也能够稳定地维持糊剂组合物的物理性质,从而可以实现陶瓷糊剂固有的特性。此外,所述陶瓷糊剂可以通过简单的工序,容易制备成薄片状的导电性膜,并且利用这些可以在保温或供暖等发热产品和电磁波屏蔽及吸收用物品、电极、电子电路或天线等多种领域中被广泛利用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种由碳纳米管(CNT)或碳纳米管-金属复合体组成的陶瓷糊剂组合物及包含其的导电性膜,更详细地,涉及一种基于硅粘结剂的陶瓷糊剂组合物及包含其的导电性膜。将所述糊剂以膜的形态涂布于电极上时,即使在300℃以上的高温下,也不会产生脱离现象或膜的变性。
技术介绍
作为用于克服高分子的耐热性和化学稳定性的极限的方案,最近,对高性能及新功能陶瓷发热体材料的技术开发正在活跃地展开。这种发热体主要以包含银(Ag)、钯(Pd)、钌(Ru)类氧化物的糊状形态制备,其中,银作为低电阻的导电性物质,具有正的温度电阻系数,因此,自身难以作为发热电阻来使用。因此,为了弥补这些,在陶瓷糊剂中添加钯和钌。然而,由于钌比银的比电阻高,因此为了具有低的电阻值,只能增加添加量。并且,随着钌的添加量的增加,会使糊剂自身的电阻增加,因此,随着电阻的增加,温度会上升,由此最终只能使电力消耗量增加。因这种金属氧化物的缺点,正在考虑用碳、金属涂料粉末或它们的混合物的碳纳米管等来作为替代材料使用的代替方案。与碳材料相关的现有技术有韩国公开专利第10-2012-0000878等中利用碳材料的纤维发热体来制备发热片材的技术,或韩国授权专利第10-1029147等中通过制备液状的发热组合物,并涂覆于片材上的技术,或韩国公开专利第10-2010-0053434等中在棉织物、无纺布等基础材料上进一步具备由碳材料组成的发热层的形态等技术。其中,对于纤维发热体,因低的延伸率而难以加工成纤维状,并且由于弹性率高,因此存在纤维发热体容易破裂的问题。此外,制备发热组合物后将其涂覆于片材上或在基底层上进一步具备发热层时,在300℃以上的高温环境下会产生发热层或涂覆膜的脱离现象或存在涂覆膜容易破碎的缺点。为了克服这种缺点,虽然有在碳材料中添加陶瓷粘结剂的技术,但是添加到陶瓷粘结剂中的碳材料,由于其大的吸油量以及难以操作的特性而很难进行混合,因此几乎不可能添加50重量%以上,如果为了弥补这些而增加粘结剂的含量,则虽然物理性质和操作性会得到改善,但是会存在导电性降低的问题。因此,要求开发出一种克服了这些缺点,并具有高的耐热性的同时,物理性质不会改变的具有高的发热效率的糊剂组合物。<现有技术文献>韩国公开专利第10-2012-0000878(2012年01月04日)韩国授权专利第10-1029147(2011年04月06日)韩国公开专利第10-2010-0053434(2010年05月20日)
技术实现思路
要解决的技术问题为了解决上述问题,本专利技术的目的在于,提供一种利用碳纳米管或碳纳米管-金属复合体的陶瓷糊剂组合物及包含其的导电性膜,所述陶瓷糊剂组合物在300℃以上的高温下也不会产生物理性质的变化,并且在制备涂覆膜形态的导电性膜时,也不会产生脱离。技术方案本专利技术涉及一种利用碳纳米管或碳纳米管-金属复合体的陶瓷糊剂组合物及包含其的导电性膜。本专利技术的一个实施方式涉及一种陶瓷糊剂组合物,所述陶瓷糊剂组合物包含碳纳米管或碳纳米管-金属复合体及硅粘合剂,并且所述硅粘合剂以总100重量%计,含有0.1~10重量%的硅烷醇基,并且苯基与甲基的比例为0.3~2.5摩尔比。另外,所述碳纳米管-金属复合体中含有的金属可以为选自银、铂、金、铜、镍、铁、钴及铝中的任一种或两种以上,并且对于所述金属的含量,以所述碳纳米管-金属复合体100重量份计,可以包含1~80重量份的所述金属。另外,所述陶瓷糊剂组合物可以通过包含20~80重量%的碳纳米管或碳纳米管-金属复合体及20~80重量%的硅粘合剂来形成。本专利技术的另一实施方式是一种在所述陶瓷糊剂组合物中进一步包含有机粘结剂、分散剂及有机溶剂的陶瓷糊剂组合物。此时,所述有机粘结剂可以为选自乙基纤维素、硝化纤维及它们的混合物中的任一种;所述分散剂可以为选自含有氨基的低聚物或聚合物的磷酯盐、磷酸的单酯或二酯、酸性二羧酸单酯、聚氨酯-聚胺加成物、聚烷氧基化单胺或二胺中的任一种或两种以上;所述有机溶剂可以为选自丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、聚乙二醇、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、己烷、环己酮、甲苯、氯仿、二氯苯、二甲苯、三甲苯、吡啶、甲基萘、硝基甲烷、丙烯腈、十八烷基胺、苯胺、二甲基亚砜、二乙二醇乙醚及萜品醇中的任一种或两种以上。另外,所述陶瓷糊剂组合物可以通过包含1~50重量%的碳纳米管或碳纳米管-金属复合体、1~20重量%的有机粘结剂、1~30重量%的硅粘合剂,以及1~90重量%的有机溶剂来形成。本专利技术的又一实施方式涉及一种包含所述陶瓷糊剂组合物的导电性膜。此时,当所述导电性膜的厚度为10~600μm时,在1.5~220V的外施电压下的发热温度为40~400℃。有益效果根据本专利技术的陶瓷糊剂组合物具有表面电阻低的特征,并且通过该特征可以实现优异的发热特性及屏蔽、吸收或导电特性。此外,与常规的以碳纳米管为基础的糊剂相比,即使在发热温度非常高的400℃下,也能够稳定地维持糊剂组合物的物理性质,从而能够实现陶瓷糊剂固有的特性。此外,所述陶瓷糊剂可以通过简单的工序来容易制备成薄片状(sheettype)的导电性膜,并且利用这些可以在保温或供暖等发热产品和电磁波屏蔽及吸收用物品、电极、电子电路或天线等多种领域中被广泛利用。附图说明图1为示出根据本专利技术一实施例的利用陶瓷糊剂组合物的导电性膜的图。图2为示出在根据本专利技术的一实施例制得的导电性膜上供应100V的外施电压时,利用热成像相机测定的发热效果的图。图3示出通过实施例1制得的导电性膜根据外施电压的温度变化。图4示出通过实施例2制得的导电性膜根据供应3次外施电压的温度变化。最佳实施方式以下,通过具体例或实施例对本专利技术的陶瓷糊剂组合物及其制备方法进行更详细的说明。但是,下述具体例或实施例仅是用于详细说明本专利技术的一个参考,本专利技术并不限定于此,可以以各种形态来实现。此外,除非进行其它定义,否则所有的技术术语及科学术语具有与本领域技术人员通常所理解的意思具有相同的意思。本专利技术中,在说明中使用的术语仅用于有效叙述特定具体例,并非用于限制本发明。另外,对于说明书及附加的权利要求书中使用的单数形态,如果在上下文中没有特别的说明的情况本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述陶瓷糊剂组合物包含碳纳米管或碳纳米管‑金属复合体及硅粘合剂,并且所述硅粘合剂以总100重量%计,含有0.1~10重量%的硅烷醇基,并且苯基与甲基的比例为0.3~2.5摩尔比。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.12 KR 10-2013-00821051.一种陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述陶瓷糊剂组合物包
含碳纳米管或碳纳米管-金属复合体及硅粘合剂,并且所述硅粘合剂
以总100重量%计,含有0.1~10重量%的硅烷醇基,并且苯基与甲基
的比例为0.3~2.5摩尔比。
2.根据权利要求1所述的陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述
碳纳米管-金属复合体中含有的金属为选自银、铂、金、铜、镍、铁、
钴及铝中的一种或两种以上。
3.根据权利要求2所述的陶瓷糊剂组合物,其特征在于,对于
所述金属的含量,以所述碳纳米管-金属复合体100重量份计,包含1
~80重量%的所述金属。
4.根据权利要求1所述的陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述
陶瓷糊剂组合物包含20~80重量%的碳纳米管或碳纳米管-金属复合
体及20~80重量%的硅粘合剂。
5.根据权利要求1所述的陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述
陶瓷糊剂组合物中进一步包含有机粘结剂、分散剂及有机溶剂。
6.根据权利要求5所述的陶瓷糊剂组合物,其特征在于,所述
有机粘结剂为选自乙基纤维...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴翰浯金在河金俊杓
申请(专利权)人:株式会社百奥尼
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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