当前位置: 首页 > 专利查询>许铭案专利>正文

充电线圈制造技术

技术编号:14499246 阅读:152 留言:0更新日期:2017-01-30 02:36
本实用新型专利技术公开了一种充电线圈,其包含:一基板,具有至少一组导接孔;至少一线圈结构,形成于基板上,每个线圈结构之两端点连接至一组导接孔;支撑层,形成于线圈结构之间隙及周边,以支撑线圈结构。本实用新型专利技术运用微影技术来制作,达到单一平面,匝数最多、厚度最薄的高密度充电线圈,并且,制程简单,良率高的特殊技术功效。

【技术实现步骤摘要】

本技术关于一种基板,特别关于一种充电线圈及其制造方法。
技术介绍
目前,无线充电技术正逐渐深入到各个领域,例如,行动装置、计算机等电子产品,其他电子产品、电动车,甚至行动穿戴装置如电子鞋、电子衣等。未来,若能解决无线充电技术的充电效率问题,无线充电技术将可能成为未来充电的主流。目前主要有四类无线充电技术,磁感应式(InductiveCoupling)、磁共振式(ResonantCoupling)、微波传输(MicrowavePowerTransfer)与激光传输(LaserPowerTransfer)。现阶段,磁感应式与磁共振式是相对成熟的无线充电技术,这两种无线充电技术,都要在充电座与设备端都配置充电线圈。其中,短距离的无线充电,现阶段为磁感应式为主流,只要能确认对位的问题即可,例如行动装置、小型电子产品、行动穿戴装置等;较长距离的无线充电,采用磁感应式较佳,主要为电动车无线充电技术所采用。无线充电线圈运用到不同产品时,可能整合到的位置不同,例如,在手机或者平板计算机的应用上,充电线圈就可能整合到背盖或者是电路板上。例如,充电座运用到如桌子、鞋架、型化的产品时,就要整合到桌面、鞋架中。现阶段的充电线圈制作方式,主要采用绕线式结构,也就是,通过预先制作的漆包线(线径依据充电线圈的规格制作),将其绕线至预定的匝数与面积,再贴合到基板上。其限制在于厚度较大,并且,质量取决于漆包线的质量,较不稳定。因此,如何能开发出同时具有单一平面,匝数最多、厚度最薄的高密度充电线圈,并且,制程简单,良率高等的充电线圈,成为未来充电线圈发展的方向。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术提供了一种充电线圈及其制造方法。本技术提供的充电线圈,包含:一基板,具有至少一组导接孔;至少一线圈结构,形成于该基板上,每个该线圈结构的两端点连接至一组该导接孔,该线圈结构以一金属材质构成,厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间;及一支撑层,形成于该线圈结构的间隙及周边,以支撑该线圈结构。优选地,上述的充电线圈,还包含:一种子金属层,配置于该线圈结构下方与该导接孔,使该线圈结构与该基板隔离。优选地,该支撑层还包覆该线圈结构顶面而构成保护层。优选地,该至少一组线圈结构是两组以上,且彼此并联。优选地,该线圈结构是由至少两组线圈并联且共同连接至该组导接孔。优选地,上述的充电线圈,还包含:一导磁材料层,形成于该支撑层上。优选地,该基板的材料选自:玻璃、蓝宝石或陶瓷材料。本技术提供一种充电线圈的制造方法,包含:提供具有一种子金属层的一基板,该基板具有至少两组导接孔,每组导接孔有两个;形成一光阻层于该基板上;以微影制程于该光阻层制作出至少一线圈结构凹槽,每个该线圈结构凹槽的两端点配置于相对应的该组导接孔;电镀该种子金属层,使每个该线圈结构凹槽与该组导接孔充满电镀金属而构成一线圈结构;移除该光阻层;蚀刻非该线圈结构范围的该种子金属层,使该线圈结构的线与线彼此隔离;及的间隙,以构成一支撑层结构。优选地,上述的充电线圈的制造方法,还包含:形成一导磁材料层于该支撑层上。优选地,每个该线圈结构由至少两组线圈并联且共同连接至该组导接孔。优选地,该至少一线圈结构为两组以上,且彼此并联。优选地,该线圈结构:厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间。优选地,该基板的材料选自:玻璃、蓝宝石或陶瓷材料。优选地,上述充电线圈的制造方法,包含:提供具有至少一组导接孔的一基板,每组导接孔有两个;依序形成一负型光阻层与一掀离光阻层于该基板上;以微影制程于该负型光阻层、该掀离光阻层制作出至少一线圈结构凹槽,该线圈结构凹槽的两端点配置于相对应的该组导接孔;形成一金属薄膜于具有该掀离光阻层的该基板上;移除该掀离光阻层,使该线圈结构凹槽中具有该金属薄膜;电镀该金属薄膜,使该线圈结构凹槽与该组导接孔充满电镀金属而构成一线圈结构;及形成一保护层以覆盖该线圈结构。优选地,上述的充电线圈的制造方法,还包含:形成一导磁材料层于该保护层上。优选地,该线圈结构是由至少两组线圈并联且共同连接至该组导接孔。优选地,该线圈结构:厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间。优选地,该基板的材料选自:玻璃、蓝宝石或陶瓷材料。本充电线圈的制造方法,其特征在于,包含:提供具有至少一组导接孔的一基板,每组导接孔有两个;依序形成一光阻层与一掀离光阻层于该基板上;以微影制程于该光阻层、该掀离光阻层制作出至少一线圈结构凹槽,每个该线圈结构凹槽的两端点配置于相对应的该组导接孔;形成一金属薄膜于具有该掀离光阻层的该基板上;移除该掀离光阻层,使该线圈结构凹槽中具有该金属薄膜;电镀该金属薄膜,使该线圈结构凹槽与该两组导接孔充满电镀金属而构成一线圈结构;移除该光阻层;及以一负型光阻层覆盖该线圈结构并填满该线圈结构的间隙,以构成一支撑层结构。优选地,上述的充电线圈的制造方法,还包含:形成一导磁材料层于该支撑层上。优选地,该线圈结构由至少两组线圈并联且共同连接至该组导接孔。优选地,该线圈结构:厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间。优选地,该至少一线圈结构为两组以上,且彼此并联。本技术提供的充电线圈及其制造方法,运用微影技术来制作,达到单一平面,匝数最多、厚度最薄的高密度充电线圈,并且,制程简单,良率高的特殊技术功效。附图说明图1A是本技术的充电线圈的上视示意图。图1B是本技术的充电线圈的局部2放大示意图。图2A-2B是本技术将具有导接孔的基板形成线圈结构凹槽与线圈结构的主要步骤的上视示意图。图3A是本技术运用种子金属层来制作本技术的充电线圈的一实施例流程图。图3B-3H是本技术图2A的局部2,沿A-A剖面的放大制作流程示意图。图4A是本技术运用无种子金属层的基板来制作本技术的充电线圈的一实施例流程图。图4B-4H是本技术图2A的局部2,沿A-A剖面的放大制作流程示意图。图5A是本技术运用无种子金属层的基板来制作本技术的充电线圈的一实施例流程图。图5B-5I是本技术图2A的局部2,沿A-A剖面的放大制作流程示意图。图6是本技术线圈结构60同时具有三条距离接近的线圈并联而成的实施例。图7是本技术的多组线圈结构同时形成于单一基板上的实施例。【符号说明】2、3局部;10基板;20、21种子金属层;22金属薄膜;30A、30B导接孔;40光阻层;41部分光阻层;50线圈结构凹槽;60线圈结构;70负型光阻层;71保护层;80负型光阻层;81a光阻层;90掀离光阻层。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施,但所举实施例不作为对本技术的限定。根据本技术的实施例,本技术运用微影制程来制作高厚度与线宽的比例的线圈结构凹槽,并运用电镀技术来进行线圈结构的制作,进而完成充电线圈。本技术的充电线圈与方法本文档来自技高网...
充电线圈

【技术保护点】
一种充电线圈,其特征在于,包含:一基板,具有至少一组导接孔;至少一线圈结构,形成于该基板上,每个该线圈结构的两端点连接至一组该导接孔,该线圈结构以一金属材质构成,厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间;及一支撑层,形成于该线圈结构的间隙及周边,以支撑该线圈结构。

【技术特征摘要】
2016.04.08 TW 1052048831.一种充电线圈,其特征在于,包含:一基板,具有至少一组导接孔;至少一线圈结构,形成于该基板上,每个该线圈结构的两端点连接至一组该导接孔,该线圈结构以一金属材质构成,厚度与线宽的比例介于10:1至1:10之间,线宽介于1微米至300微米之间,厚度介于10微米至150微米之间;及一支撑层,形成于该线圈结构的间隙及周边,以支撑该线圈结构。2.如权利要求1所述的充电线圈,其特征在于,还包含:一种子金属层,配置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员:许铭案
申请(专利权)人:许铭案
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1