高导热大功率桥式整流器结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大功率桥式整流器，特别涉及10-300A的单相桥式整流器或三相桥式整流器。
技术介绍
传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构，如附图10所示，因环氧树脂的导热系数太小（约1W/m.℃）,器件内部芯片产生的热量无法有效散出，而芯片能承受的温度是有限的（约150-175℃）这样就限制了作为桥式整流器的输出功率。另一种如附图11所示，经改进过的封装结构仍无法克服高功率散热问题。因为芯片106所产生的热能,系生成于芯片内部的半导体接合处之PN界面(PNjunction),芯片106和导线架108用焊料连接,再用整体环氧树脂105包封结构,使得导线架108与散热片109之间存在低导热的封装体105无法快速消散热量,在高功率负载或高温的应用环境下，产品有严重功能失效的问题。
技术实现思路
为解决现有高功率整流器散热问题，本专利技术得供一种高导热大功率桥式整流器结构，包括导热基板，引脚，连接线，芯片，封装体，焊料；所述芯片直接布设于导热基板的一个面，芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合，并用封装体灌封，导热基板的另一面曝露于空间，与设备散热体接触。所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。所述导热基板是导热陶瓷板，或是铝基板，或是铜基板。所述连接线是铜片，或是铜线，或是铝带，或是铝线。所述引脚与导热基板为两个独立的部件，通过焊料焊接互连或直接键合。所述引脚为4只或5只。所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料半包覆。所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。本专利技术的优点是，热源（芯片）与热沉之间都是高导热材料，可实现内部热量顺畅散出，其热...
【技术保护点】
一种高导热大功率桥式整流器，包括导热基板，引脚，连接线，芯片，封装体，焊料，其特征在于，所述芯片直接布设于导热基板的一个面，芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合，并用封装体灌封，导热基板的另一面曝露于空间，与设备散热体接触。
【技术特征摘要】
1.一种高导热大功率桥式整流器，包括导热基板，引脚，连接线，芯片，封装体，焊料，其特征在于，所述芯片直接布设于导热基板的一个面，芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合，并用封装体灌封，导热基板的另一面曝露于空间，与设备散热体接触。2.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器，其特征在于，所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。3.按权利要求2所述的高导热大功率桥式整流器，其特征在于，所述导热基板是导热陶瓷板，或是铝基板，或是铜基板。4.按权利要求1所述的高导热大功率桥式...
【专利技术属性】
技术研发人员：何刘红，夏镇宇，卓绵昌，
申请(专利权)人：敦南微电子无锡有限公司，上海旭福电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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