【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电开关领域,尤其涉及一种断路器的控制电路。
技术介绍
断路器用于切断或连通电路,它与开关相比,内部设置了防短路和限流装置,安全性较高,因此在楼宇电路和各种电气设备中应用广泛。断路器在电路中除了起通断控制作用外,还具有一定的保护功能,如过负荷、短路、欠压和漏电保护等。现有的断路器跳闸时间长,不能及时控制相关电路从而保护相关设备。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种断路器的控制电路,实现有效缩短控制电路控制断路器断电的时间。为了解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种断路器的控制电路,包括:第一芯片、第二芯片、光耦模块、可控硅模块、整流模块、跳闸线圈模块和断路器模块;所述第一芯片和可控硅模块分别与所述光耦模块连接;所述第二芯片和整流模块分别与可控硅模块连接;所述跳闸线圈模块与整流模块连接;所述断路器模块包括电磁铁;所述电磁铁用于控制断路器的通断;所述跳闸线圈模块包括跳闸线圈,用于控制所述电磁铁吸合。本专利技术的有益效果在于:本专利技术提供的控制电路通过第一芯片发送低电平,使光耦模块处于导通状态;第二芯片的供电电压加到可控硅模块上,使可控硅处于导通状态;由于光耦模块和可控硅模块皆处于导通状态,使得跳匝线圈模块中的跳闸线圈上有电流流通,从而产生磁场吸合断路器中的电磁铁,使断路器跳闸断开电路,实现有效缩短控制电路控制断路器断电的时间。附图说明图1为本专利技术一种断路器的控制电路的模块示意图;图2为本专利技术一种断路器的控制电路的第一芯片的电路示意图;图3为本专利技术一种断路器的控制电路的电路示意图;标号说明:100、第一芯片 ...
【技术保护点】
一种断路器的控制电路,其特征在于,包括:第一芯片、第二芯片、光耦模块、可控硅模块、整流模块、跳闸线圈模块和断路器模块;所述第一芯片和可控硅模块分别与所述光耦模块连接;所述第二芯片和整流模块分别与可控硅模块连接;所述跳闸线圈模块与整流模块连接;所述断路器模块包括电磁铁;所述电磁铁用于控制断路器的通断;所述跳闸线圈模块包括跳闸线圈,用于控制所述电磁铁吸合。
【技术特征摘要】
1.一种断路器的控制电路,其特征在于,包括:第一芯片、第二芯片、光耦模块、可控硅模块、整流模块、跳闸线圈模块和断路器模块;所述第一芯片和可控硅模块分别与所述光耦模块连接;所述第二芯片和整流模块分别与可控硅模块连接;所述跳闸线圈模块与整流模块连接;所述断路器模块包括电磁铁;所述电磁铁用于控制断路器的通断;所述跳闸线圈模块包括跳闸线圈,用于控制所述电磁铁吸合。2.根据权利要求1所述的一种断路器的控制电路,其特征在于,所述光耦模块包括发光二极管、光敏半导体管、第一电阻和第二电阻;所述发光二极管的正极与第一电阻的一端连接;所述发光二极管的负极与所述第一芯片的发射端连接;所述第一电阻的另一端与第一电源连接;所述光敏半导体管的一端与可控硅模块的连接;所述光敏半导体管的另一端与第二电阻的一端连接;所述第二电阻的另一端与第二电源连接。3.根据权利要求1所述的一种断路器的控制电路,其特征在于,所述可控硅模块包括晶闸管、第一电容和第三电阻;所述第二芯片和所述第三电阻的另一端分别与所述晶闸管的阳极连接;所述晶闸管的阴极与所述第一电容的一端连接;所述晶闸管的门极与所述第二芯片连接;所述第一电容的另一端与所述第三电阻的一端连接。4.根据权利要求1所述的一种断路器的控制电路,其特征在于,所述第二芯片包括第一引脚、第一二极管、第四电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十八电容、第十九电容、第二十电容、第二十一电容、第二十二电容、第二十三电容、第二十三引脚、第二十四引脚、第二十五引脚、第二十六引脚、第二十七引脚、第二十八引脚、第一零序电流互感器和第二零序电流互感器;所述第一引脚与第一二极管的正极连接;所述第一二极管的负极与所述第四电阻的一端连接;所述第四电阻的另一端与可控硅模块连接;所述第一零序电流互感器和第十八电容的一端分别与所述第十二电阻的一端连接;所述第二零序电流互感器和第十八电容的另一端分别与所述第十二电阻的另一端连接;所述第十八电容的一端通过所述第十三电阻与所述第二十四引脚连接;所述第十八电容的另一端与所述第二十三引脚连接;所述第二十三引脚通过所述第二十三电容接地;所述第二十五引脚接地;所述第二十六引脚通过第十九电容接地;所述第二十六引脚连接所述第二十七引脚;所述第二十八引脚通过所述第二十电容与第一引脚连接;所述第一引脚通过所述第二十二电容接地。5.根据权利要求4所述的一种断路器的控制电路,其特征在于,所述第二芯片还包括第二引脚和第五电阻;所述第二引脚与所述第五电阻的一端连接;所述第五电阻的另一端与可控硅模块连接;所述第二引脚通过所述第二十一电容接地。6.根据权利要求1所述的一种断路器的控制电路,其特征在于,所述整流模块包括第二二极管、第三二极管、第四二极管和第五二极管;所述第二二极管的负极与第四二极管的负极连接;所述第二二极管的正极与第三二极管的负极连接;所述第三二极管的正极与所述第五二...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴文炤,钟李锋,胡海中,施锦锋,
申请(专利权)人:福建通力达实业有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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